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電子工程 94 年電子學考古題

民國 94 年(2005)電子工程「電子學」考試題目,共 20 題 | 資料來源:考選部

0 題選擇題 + 20 題申論題

如下圖1,RB = 10 kΩ,RC= 1 kΩ,RE= 1 kΩ,zener 二極體之Vz = 8 V 若VCC = 20 V,試求 IE, VC (10 分) 若VCC = 5 V,試求 IE, VC (10 分) 圖1
請問將兩個pn 二極體反向相接,為何無法組成一個雙載子接面電晶體(BJT)?(10 分) 請問何謂Miller’s theorem?並說明Miller’s theorem 對元件所造成的影響。(10 分) VCC +20 V RC 4.7 k RB 100 k RE 10 k VEE -20 V 圖一
如圖所示為一6.8V 齊納電路,其規格如下: mA I r mA I V V ZK Z Z Z 2.0 20 5 8.6 = Ω = = = 且 , , 時, 當 。 電源 + V 正常提供10V,但會有 ± 1V 變動, 當無負載及電源 + V 為正常值時,求VO。(5 分) 求出因為電壓 + V 變化 ± 1V 所導致VO 改變量。(5 分) 當二極體操作在崩潰區時,求出 L R 最小值。(10 分)
如圖一所示之電路,設 β = 50,RB = 640Ω,RC = 440Ω,VCC = +5 V。(20 分) 若VI = 0.2 V時;試求Vo、IB、IC及消耗在電晶體中的功率。 若VI = 3.6 V時;試求Vo、IB、IC及消耗在電晶體中的功率。 RC=440Ω Vo VI 圖一 VCC = +5V RB=640Ω
如下圖2 之OP 濾波器電路, 計算此電路之頻率響應A(jω) = vout / vin (8 分) 說明此電路為何種型態之濾波器。 (7 分) 圖2 R c IB V c c V R B RC E VZ = 8V β = 50 + vin R C R1 R2 vout 94 年第二次特種考試地方政府公務人員考試試題 代號: 科 別: 電力工程、電子工程 全一張 (背面) 33350 33450
如圖一設在某溫度變化的範圍內,ßDC從85 增至100;VBE由0.7 V降至0.6 V,試求Q 點的變化量。(20 分) RC RB VCC 10 k 10 V VBB 3 V 圖二
如圖所示,電路中NMOS 電晶體被偏壓使其 Ω = = k r V mA g o m 100 / 1 , 。 求中頻增益 M A 。(10 分) 若 pF 2.0 C pF 1 gd = = , gs C ,求高三分貝頻率 H f 。(10 分) ± 圖 V+(10 ? 1V) R=0.5 KΩ 6.8 V RL + Vo - RL VO R V+(10± 1V) 94 年專門職業及技術人員 高等考試建築師、技師考試暨普通考 試不動產經紀人、地政士、記帳士考試試題 類 科: 電子工程技師 全一張 (背面) 圖 B A C B A C VDD Y 圖 RB RB A B RC Y +VCC
如圖二所示電路,已知FET參數gm = 1 mS,rd = 20 kΩ,求如圖二具迴授 ( feedback)情況下之gmf (=IO/VS)及Avf (=VO/VS)各為多少?(20 分) VDD Vo 10kΩ Vs 470Ω 0 圖二
如下圖3,二極體均為理想,試求 輸出電壓(vo)之波形(10 分) 輸出電壓(vo)之平均值(10 分) 圖3
假設VCE(sat) = 0.2 V,ßDC = 50,二極體之障壁電壓為0.7 V,試問圖二的電晶體是否 位於飽和區內。(20 分) 94 年公務人員升官等考試、94 年關務人員升官等考試試題 代號: 科 別: 電力 力工程(關務) 全一張 (背面) 38030、38230 38330、70930 工程(公務)、電子工程(公務)、資訊工程、電
如圖所示,求差動增益 id o v v 。(設圖中的放大器為理想的運算放大器)(20 分)
圖三為移相振盪器(Phase-shift oscillator),求其振盪頻率(以R及C表示),並請 問若要振盪,R1應符合什麼條件?(20 分) 圖三 0 0 - R R C C C R R1 + Vo 0 94 年公務人員高等考試三級考試第二試試題 代號: 科 別: 電力工程、電子工程 全一張 (背面) 35830 35930
如下圖4 之FET 電路,VGS=-2.6V,ID=2.6mA,IDSS=8mA,VP=-6V,rd=50kΩ, 求gm(7 分) 輸入阻抗Zi(ro=∞ Ω)(6 分) 輸出阻抗Zo(ro=∞ Ω)(6 分) 小訊號電壓增益Av=Vo/Vi(ro=∞ Ω)(6 分) 圖4
如圖三所示電路,Vcc = 10 V,R = 10 kΩ,電晶體Q1、Q2特性完全相同,其β = 100, VBE = 0.7 V,則IC為多少?(20 分) 圖三 IC Q2 Q1 0 0 R R R VCC
如圖所示, 求轉移函數 Q ) ( ) ( 0 及 、ω s V s V i o ,並指出濾波器為何種型式。(10 分) 求電路產生震盪時之K 值。(10 分)
試求圖四中MOSFET電路的低頻電壓增益為何?(已知gm1 = gm2 = gm)。(20 分) VDD R Q1 Q2 I VO RD + - VS 圖四
如下圖5 之差動放大器(differential amplifier),試求輸出電壓Vo。(20 分) 圖5 vi 100V -100V vi t 2.2 kΩ 2.2 kΩ 2.2 kΩ vo Ideal diodes 20 V 3.3 kΩ C2 Vo Zo 1 kΩ 1 MΩ Zi Zi Vi C1 IDSS = 8 mA VP =-6 V +9 V 47 kΩ 47 kΩ 43 kΩ -9 V RC Vo Q2 Q1 ri1=ri2=20 kΩ β1=β2=75 Vi1=2 mV
一C類放大器以1M Hz信號推動,每個週期電晶體導通了0.2μs,且放大器操作在 整條負載線上,若IC(sat) = 50 mA,VCC = 10 V,RC = 500 Ω,求平均功率消耗為多 少?又效率為多少?(20 分)
如圖所示,求其所代表之邏輯函數。(10 分) 如圖所示,為一雙輸入之RTL 閘,求此RTL 閘所代表之邏輯函數。(10 分) - + R R R R RG R R + vId - + vO - 圖 vid 圖 K - + R2 C3 R1 Vi C4 VO K VO − VK 圖(四) Vi Vo
(四)
假設圖五中之威爾遜電流鏡所有的BJT都匹配,β 為有限值,而且Q1 與Q2 的射極 電流均為IE,試以IE求出IREF及IO的表示式,並計算IO / IREF。(20 分) 圖五 Q2 Q1 Q3 Io IREF -VEE

電子工程 94 年其他科目

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