電子工程 94 年積體電路技術考古題
民國 94 年（2005）電子工程「積體電路技術」考試題目，共 5 題 | 資料來源：考選部
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以典型之P 型矽基板、N 井（Well）結構之CMOS 製程，如擬完成下圖的電路製作，
按合理的製程步驟順序，具體條列所需的各層光罩名稱與其使用目的，並畫出對應
之元件完成剖面圖。其中，R1 為P+擴散電阻、M1 為增強型NMOS 電晶體。
（24 分）
單電晶體放大器圖
請說明CMOS 製程中，多晶矽層薄膜之製作方法，並列舉至少三種多晶矽層在CMOS
電路與製程中之用途。（16 分）
請具體詳述「濕式蝕刻（Wet etching）」與「乾式蝕刻（Dry etching）」等技術之特性、
優缺點與用途。（20 分）
請以P 型矽基板、N 井（Well）結構之CMOS 製程為例，詳述CMOS 電路之閂鎖（Latch
up）效應如何產生？以及有那些製程方法可以減少閂鎖現象的發生？（20 分）
請解釋下列名詞，並簡述其在積體電路結構之重要性或性能之衝擊：(每小題5 分，
共20 分)
STI
Electromigration
CMP
Spacer
R1
VDD
VIN
VOUT
M1
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