電子工程 110 年積體電路技術考古題

試以數學表示式定義「等效氧化層厚度」（EOT, equivalent oxide thickness）。（10 分） 假設氧化鋁的厚度為20 nm、相對介電常數εr = 9，試求其等效氧化層 厚度（EOT）為？（10 分）

試繪圖說明何謂CMOS 閂鎖（latch-up）效應。（10 分） 試說明兩種可預防發生CMOS 閂鎖效應之製程設計。（10 分）

金氧半場效電晶體（MOSFET）以定電場方式縮小元件尺寸（constant-field scaling），如果尺寸縮小參數（scaling factor）k = 0.7，試輔以數學表示式 說明下列元件或電路參數在微型化後之變化：（每小題4 分，共20 分） 通道長度（L） 汲-源極電壓（VDS） 施體或受體摻雜濃度（ND 或NA） 閘極電容（CG） 功率（P）

試指出濕式蝕刻（wet etching）係具備等向性（isotropic）或非等向性 （anisotropic）蝕刻特性。（5 分） 請列舉三項控制濕式蝕刻速率之因素。（15 分）

假設樣品A 為被氮化鈦（TiN）黏著層完全包覆之銅（Cu）導線，其正方 形截面積為0.5 μm × 0.5 μm，TiN 之厚度為t；另樣品B 為具有相同正方 形截面積之TiN/鋁（Al）/TiN 堆疊層導線，其上層TiN 厚度為40 nm、 下層TiN 厚度為60 nm。假設Cu 之電阻係數為1.7 μΩ-cm，Al 之電阻 係數為2.7 μΩ-cm，且樣品A 與B 在相同長度之下，具有相同的電阻， 試求樣品A 之TiN 黏著層厚度t =？（20 分）