電子工程 91 年積體電路技術考古題

新竹科學園區內需水量年年遽增，伴隨著區外廢水公害問題頻傳。主要是矽半導體 積體電路(IC)製造代工廠增加很多，這些IC 廠裡，為了提高良率，生產過程裡需要 很多清洗(Cleaning)製程，（每小題5 分，共20 分） 具體描述清洗製程主要去除那幾種污染？ 詳述這幾種污染各有可能的來源是何處？ 一般IC 清洗(Cleaning)製程中，針對 的各種污染，主要各使用什麼化學品？ 不影響產量情況下，IC 製程本身要如何努力，以求降低整廠用水量或廢水量？

半導體邏輯CMOS IC 元件製造流程裡，需要使用很多片光罩(Mask)。以N 型矽基板、 雙井(Twin Well)結構為例，具體條列主要的CMOS 製程步驟順序，並畫出元件局部 完成剖面圖，同時說明各光罩的目的。（20 分）

半導體製造的技術演變裡，過去都是追求微細加工，譬如5μm 到3μm 到2μm，甚至到 1μm 以下、到0.13μm。目前已漸改為追求新材料技術，譬如Low-k 絕緣材料、銅(Cu) 金屬材料等。（每小題10 分，共20 分） 具體描述需要Low-k、Cu 理由何在？ 具體描述雙鑲崁(Dual Damascene)製程步驟。

隨LSI 元件密度提高及多層配導線的使用，半導體製程漸趨複雜，其中平坦化 (Planarization)技術越來越重要，（每小題10 分，共20 分） 具體詳述什麼是平坦化技術？ 複雜製程中若沒有平坦化技術，會有什麼重要影響？詳述其理由。

IC 製程裡，光蝕刻(Photo-Lithography)技術是決定半導體元件構造微細化的能力， （每小題10 分，共20 分） 條列詳述一般光蝕刻技術裡主要包含那些製程步驟及其技術內容？ 又微細化能力(解像力)是決定在那些參數？