電子工程 91 年半導體工程考古題

試列舉並簡要說明三種測量半導體電子或電洞濃度(concentration)的方法。（20 分）

請解釋下列名詞：（每小題5 分，共20 分） Lightly-doped drain (LDD) Two-dimensional electron gas (2DEG) Quantum Hall effect Negative differential resistance (NDR)

在CMOS 中為何會發生閉鎖(latch-up)現象？（10 分） 如何解決CMOS 的閉鎖現象？（10 分）

試列舉並簡要說明三種在矽半導體上成長SiO2 薄膜的方法。（20 分）

下二圖分別為獨立（尚未連接）的兩個半導體能帶圖，試畫出在熱平衡(thermal equilibrium)下， 圖 中的兩個半導體連接後之能帶圖（10 分） 圖 中的兩個半導體連接後之能帶圖（10 分） （需標出 V C 2 F 1 F 2 V 1 V 2 C 1 C E , E , E , E , E , E , E , E ∆ ∆ ） Vacuum level qχ2 qχ1 EC2 EC1 EF1 EV1 Eg1 Eg2 EF2 EV2 qΦS2 qΦS1 C E ∆ v E ∆ 圖 Vacuum level qχ2 qχ1 EC2 EC1 EF1 EV1 Eg1 Eg2 EF2 EV2 qΦS2 qΦS1 C E ∆ v E ∆ 圖