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電子工程·113 年·半導體工程第 1/6 題

電子工程 113 年半導體工程考古題

6 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。

試題6 題

113 年申

第 1 題

請說明在矽晶圓中N 型半導體的多數載子是什麼？矽晶圓中N 型摻雜物是那些材料？（10 分）

113 年申

第 2 題

在P 型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？（20 分）

113 年申

第 3 題

CVD 與PVD 之主要差別為何？（10 分）

113 年申

第 4 題

IC 製程中可以形成圖案之技術有那些？（20 分）

113 年申

第 5 題

請畫出基本的快閃記憶體元件結構圖，它與NMOS 之間主要的不同是什麼？（20 分）

113 年申

第 6 題

半導體製程中量測電阻為何須用四點探針，請畫出其量測圖。（20 分）