電子工程 113 年電子學概要考古題

4 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。

試題4 題

113 年申

第 1 題

圖一所示為BJT 放大器之小信號電路模型，RS = 10 kΩ，rπ = 5 kΩ， gm = 50 mA/V，ro = 120 kΩ，RL = 30 kΩ。請計算小信號電壓增益vo/vin。（25 分） gmvbe vin RS ro RL vo vbe rπ B C E 圖一

113 年申

第 2 題

圖二所示放大器，其開路電壓增益為無限大。vin = 5 V，R1 = 10 kΩ， R2 = 60 kΩ，R3 = 60 kΩ。請計算輸出電壓vo。（25 分） R2 R1 vo vin R3 圖二

113 年申

第 3 題

圖三所示兩級放大器，使用理想電流源I、2I 偏壓，電晶體Q1～Q5 皆操作於飽和區。輸入電壓vin = 10 V，電晶體轉導gm1～gm5 均為20 mA/V，電晶體ro1～ro5 均為100 kΩ。請計算電壓增益vo/vin。（25 分） ̶ VSS +VDD 2I 2 in v + 2 in v - ̶ VSS I +VDD vo Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 圖三

113 年申

第 4 題

請畫出兩輸入之CMOS NOR 閘，並寫出其布林代數式。（25 分）