電子工程 114 年電子學概要考古題

如圖一所示電路為BJT 放大器之小信號電路模型，其中電晶體參數為 100 ， 1.2 k r 。試求電路之小信號電壓增益 / o S V V 及輸入電阻 iR 。 （25 分） 圖一

如圖二所示之共源極電路，其中 24 V DD V ， 20 D R 。試求出MOSFET 所需的電流、電壓及額定功率。（25 分） 圖二 RS=0.5 kΩ RC= 2 kΩ RB= 10 kΩ RE= 0.4 kΩ Vin + _ + _ Vo R1 R2 OPA C Vi VDD ML MDA vB MDB vA vo

如圖三所示電路，試推導電壓轉換函數（voltage transfer function） ) ( ) / ( ( ) o i s T s V V s 及 3dB f 截止頻率（cutoff frequency）。（25 分） 圖三

如圖四所示NMOS NOR 閘電路，其中 1.8 V DD V ，且電晶體參數為 2 100 μA/V nk ， 0.4 V TND V ， 0.6 V TNL V ，( / )

D W L ，( / ) 1 L W L 。 忽略本體效應（body effect），試求當輸入電壓 1.8 V A B v v 時的輸出電 壓 ov 及電路的功率消耗。（25 分） 圖四 R2 R1