電子工程 108 年電子學概要考古題

如圖一所示，假如V1= R1=1 kΩ，R2=1 kΩ，R R8=1 kΩ，R9=1 kΩ，求

如圖二之電路，電晶體之 其直流工作點偏壓在V R2=20 MΩ，R3=20 MΩ R8=12 kΩ，C1=C2=C3= ㈠求gm，ro。 ㈡求Rin 及Vo/Vs。 R1 R2 R3 V1 V2 V3 NM Vs 種考試地方政府公務人員考試 工程 座 試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題 理公式外，應使用本國文字作答。 =2 V，V2=2 V，V3=2 V，V4=1 V R3=1 kΩ，R4=3 kΩ，R5=1 kΩ，R 求 0 1 V V =？（20 分） 圖一 之Vt=1 V，Kn= 4 mA/V2，VA（ear VD=7.0 V，VGS=2 V，ID=0.5 mA Ω，R4=20 MΩ，R5=14 kΩ，R6=1 =∞。（每小題10 分，共20 分） 圖二 R4 R5 R7 R8 R9 V4 V5 V6 R4 R1 R2 R3 R5 R7 R8 +15V R6 C1 C2 C3 MOS +15V 考試試題 座號： 題上作答者，不予計分。 ，V5=1 V，V6=1 V， R6=2 kΩ，R7=1 kΩ， rly voltage）=100 V， A，又R1=0.33 MΩ， 16 kΩ，R7=16 kΩ， R6 V0 Vo

如圖三（不考慮early 可接負載RL=1 kΩ，求 ㈠Rin=？ ㈡Rout（不考慮負載 ㈢開路之總增益（ove ㈣加負載之總增益（o

利用壓電之晶體（pie oscillator），請畫出壓電 變化圖（crystal reactan

一個4Mbits 記憶體晶片 1024 列（rows），128 位址（columns address 元（bits）來操控？（ Vs effect，ro=∞），R1=50 kΩ，β1= 求：（每小題5 分，共20 分） ）=？ erall voltage gain），Gvo=Vo/Vs= overall voltage gain），Gv=Vo/Vs= 圖三 ezoelectric crystal）可以形式晶體 電晶體之等效電路，同時畫出其晶 nce versus frequency），並加以說明 片，製作時分成32 個區塊（blo 行（columns），請計算列位址 s）及區塊位址（blocks address） 20 分） R1 Rin Q1 Q2 Rout RL Vo 9mA =β2=90，電路在Vo ？ =？ 晶體振盪器（crystal 其晶體阻抗隨頻率之 說明。（20 分） ocks），每個區塊有 （rows address），行 ），各需要多少的位 Vo