電子工程 108 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

108 年選

第 1 題

某FET 工作在飽和區（Saturation

(A)增強型NMOS

(B)增強

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第 2 題

下列有關矽PN 接面二極體的敘

(A)二極體為順偏且固定電壓時✓ 正解

(B)二極體為順偏且固定電流時

(C)二極體逆偏崩潰電壓若大於

(D)二極體的飽和電流之溫度係

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第 3 題

一個電壓v 對時間t 的函數為square value）：3.54

(A)伏特5✓ 正解

(B)伏

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第 4 題

如圖所示為一CMOS 反相器，QN 之小信號轉導gm = 1 mA/V求小信號增益vo/vi（選最接近之

(A)-10

(B)-18✓ 正解

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第 5 題

如圖所示之電路，OP AMP 為理R/2

(B)3R/2政府公務人員考試試題座號選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題n Region），其|iD|-vGS關係如圖所示，|iD|是汲極電強型PMOS✓ 正解

(C)空乏型NMOS

(D)敘述，何者正確？，電流會隨溫度上升而上升，電壓會隨溫度上升而上升20 V，崩潰電壓之溫度係數為負值數為負值v(t) = 20 + 5 sin(2πft) V，f=60 Hz。求其AC 信伏特7.07

(C)伏特

(D)在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為，ro = 30 kΩ；而電晶體QP 之小信號轉導gm =之值）。

(C)-30

(D)理想。求vi/i。2

(C)2R

(D)0Vt|iD|vGSVDDQPQNC=∞C=∞vovi1MΩvoviiRR3R2R座號：題不予計分。上作答者，不予計分。電流之大小，則此FET 為：

(D)空乏型PMOS號的均方根值（root mean20

(D)伏特為放大器之用。若電晶體= 0.5 mA/V，ro = 20 kΩ，

(D)-75

(D)3R

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第 6 題

如圖，CMOS 場效電晶體的輸

(A)拉上（pull-up）至VDD✓ 正解

(C)VDD/2

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第 7 題

有一個時間常數為1 ns，電容（duration）5 ns 的方形波。設此

(A)無窮大

(B)10 k✓ 正解

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第 8 題

在印刷電路板上的數位IC，其

(A)增加電流量

(C)提高工作速度

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第 9 題

有一放大器電路如圖所示，放間，二極體D1、D2 順向電壓均兩個二極體導通的狀態為何？

(A)二極體D1、D2 均導通

(C)二極體D1 導通、二極體D2✓ 正解

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第 10 題

如圖所示之電路，運算放大器2.5 kΩ

(B)5 kΩ輸入端vI 接地時，其輸出端vo 是處於下列何種狀

(B)拉下（pull-down）至地

(D)QP與QN 皆關閉，輸出浮容值為100 fF 的RC 低通濾波器，設其驅動電此電路在方形波注入前後均無其他輸入信號，則kΩ

(C)1 kΩ

(D)其電源接腳旁經常有一顆0.1 μF 的電容器，其作

(B)消除電源線中的雜訊干擾

(D)減少功率消耗大器U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍均為VD＝0.7 V，電阻R1、R2、R3 均為1 kΩ

(B)二極體D1、D2 均不導通2 不導通

(D)二極體D1 不導通、二極為理想，求此電路之輸入阻抗值為何？Ω

(C)7.5 kΩ

(D)VDDQNQPvIvoR2R1BACD1DD2U1R3VI5kΩ2.5kΩVoutVinZi狀態？浮接電壓是一個振幅10 V，寬則此濾波器之電阻值為何？

(D)100 Ω作用是下列那一項功能？擾圍侷限在+10 V 與-10 V 之Ω，電源VI＝-5 V，試問通極體D2 導通

(D)10 kΩ

108 年申

第 11 題

如圖所示之放大器電路，其中二 (A) (B)

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第 12 題

有一差動放大器，其一端輸入共模拒斥比（CMRR）為10，9.5 mV

(B)11.5✓ 正解

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第 13 題

圖示的二極體-電容器倍壓電路之峰值逆向電壓PIV1 與PIV2V

(A)C2=10 V

(B)PIV

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第 14 題

橋式整流-電容濾波電路（二極1.414%，若負載電阻R 改變為0.707

(A)倍

(B)1 倍✓ 正解

108 年申

第 15 題

如下圖所示，若稽納二極體（位電路正常工作？

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第 16 題

(A)V (B)14 VVoutVin二極體及運算放大器均為理想。此電路之電壓轉 (C) (D)Vi1 ＝100 μV，另一端輸入Vi2 ＝50 μV，且此則其輸出電壓為何？5 mV (C)13.5 mV (D)路於穩定狀態時電容器C1 所跨電壓VC1=10 V的敘述何者錯誤？V1=20 V (C)PIV2=20 V (D)極體為理想且RC 時間常數遠大於輸入信號為原先的1.414 倍且漣波因素為1%時，電容值倍1.414 (C)倍 (D)Zener diode）的VZ＝10 V，輸入電壓Vi 為多少V (C)12 V (D)VoutVinRLVoutVoutVinVinVC1VC2PIV1PIV2C1C2D2D1N1：N2VOViR1R220kΩ10kΩVZ轉移特性圖為下列何者？ (D)此放大器之Acm 為20，而 (D)15.5 mV，下列有關VC2，D1 及D2 (D)VC2+PIV2=40 V號週期）中之漣波因素為值C 需為原先的多少倍？2.828 (D)倍少才可使此稽納二極體箝 (D)10 VVoutVin16「橋式整流電路」中二極體之反體的：

(A)V

(B)14 VVoutVin二極體及運算放大器均為理想。此電路之電壓轉

(D)Vi1 ＝100 μV，另一端輸入Vi2 ＝50 μV，且此則其輸出電壓為何？5 mV

(C)13.5 mV✓ 正解

(D)路於穩定狀態時電容器C1 所跨電壓VC1=10 V的敘述何者錯誤？V1=20 V

(C)PIV2=20 V✓ 正解

(D)極體為理想且RC 時間常數遠大於輸入信號為原先的1.414 倍且漣波因素為1%時，電容值倍1.414

(C)倍✓ 正解

(D)Zener diode）的VZ＝10 V，輸入電壓Vi 為多少V

(C)12 V✓ 正解

(D)VoutVinRLVoutVoutVinVinVC1VC2PIV1PIV2C1C2D2D1N1：N2VOViR1R220kΩ10kΩVZ轉移特性圖為下列何者？

(D)此放大器之Acm 為20，而

(D)15.5 mV，下列有關VC2，D1 及D2

(D)VC2+PIV2=40 V號週期）中之漣波因素為值C 需為原先的多少倍？2.828

(D)倍少才可使此稽納二極體箝

(D)10 VVoutVin16「橋式整流電路」中二極體之反體的：

(A)兩倍

(B)一樣

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第 17 題

下圖為一整流器，若各二極體之導若輸出漣波電壓< 0.1 V，C=1050 k

(A)Ω500✓ 正解

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第 18 題

下圖中二極體D1 與D2 之導通為0.7 V，崩潰電壓皆為5 V，正確？

(A)vo(t)之振幅為10 V

(B)vo(t)✓ 正解

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第 19 題

理想箝位電路及其輸入信號vi(6

(B)8

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第 20 題

圖示由理想二極體構成電路，7

(A)mA

(B)4 m✓ 正解

108 年選

第 21 題

雙極性電晶體（BJT）共基極電β=α/(α

(A)-1)

(B)β= (6-4反向峰值電壓（PIV）值大約是「變壓器中間抽樣大

(C)一半✓ 正解

(D)導通電壓皆為0 V，導通電阻皆為0 Ω，輸入信號為00 μF，則電阻R 之最小值為何？kΩ5 M

(C)Ω✓ 正解

(D)通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，稽納二極體導通電阻為0 Ω。輸入信號為弦波，vi (t)= 10)之振幅為5.7 V

(C)vo(t)之振幅為4.3 V✓ 正解

(D)(t)如圖，則該二極體D 承受的最大逆向電壓P

(C)10✓ 正解

(D)若電阻R 為1 kΩ，則電流I 為多少毫安（mAmA

(C)2 mA✓ 正解

(D)電流增益α 與共射極電流增益β，兩者之關係為(α-1)/α

(C)β=α/(1-α)✓ 正解

(D)vovsRCD1D3D4D2100ΩD2D1Z1Z2vovi+－－+vi(t)vo(t)vi(t)tDC2VRvOI+1 V+2 V+4 VR抽頭式整流電路」中二極

(D)四分之一為弦波，vs(t)= 5 sin (10πt) V，50 M

(D)Ω體Z1 及Z2 之導通電壓皆sin 10t V，下列敘述何者

(D)vo(t)之振幅為0.7 VPIV 約為多少伏特（V）？

(D)12A）？

(D)1 mA為：

(D)β=α/(1+α)

108 年選

第 22 題

如圖所示二極體電路，假設二C=47 μF、VDC=3 V、R 為無窮

(A)-3.7 V

(B)-4.3

108 年選

第 23 題

請問如圖所示放大器之集極電0.7 V。0.3 mA

(B)3 m✓ 正解

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第 24 題

若將雙極性電晶體（BJT）的集

(A)耐壓提高，增益降低

(B)耐壓

108 年選

第 25 題

圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)=在飽和區，Vo= 4V，則R 值為1

(A)kΩ

(B)1.8 k

108 年選

第 26 題

圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)1=效應，則Vo =？4.9 V

(B)4.8 VDCvSVDC極體導通電壓VD=0.7 V。已知電壓vs(t)為方波大，在穩態時，輸出vO 電壓的最大負值約為多V✓ 正解

(C)-6.3 V

(D)流IC 為何？假設電晶體之電流增益β 為100mA

(C)0.7 mA

(D)集極與射極對調使用，則下列何者正確？壓不變，增益降低

(C)耐壓降低，增益不變

(D)=0.5 mA/V2，臨界電壓VT =0.8 V，若忽略通道調為何？kΩ

(C)2.2 kΩ

(D)= 0.5 [ μnCox(W/L)2]= 0.5 mA/V2，臨界電壓VTV

(C)2.8 V

(D)RvOvDiDvSVD10ms8ms10kΩ1.0Vβ=100IC1kΩ5VM1RVo5VM1M2Vo100Ω1mA波，波形如下右圖所示、多少？

(D)-8.3 V，基極與射極導通壓降為

(D)7 mA

(D)耐壓降低，增益亦降低調變效應且M1 維持操作

(D)4 kΩ=0.8 V，若忽略通道調變

(D)0.1 V12V0Vt

108 年選

第 27 題

圖中電晶體M1 操作在飽和區| vo / vs | =？100

(B)10

108 年選

第 28 題

將圖示放大電路的電晶體輸入該電阻RB 約為多少？已知RC =1.5 kΩ

(B)10 k

108 年選

第 29 題

圖示之增強型MOSFET 放大器Vth= 1 V 且μnCox(W/L) =2 mA/V8 V

(B)6 V✓ 正解

108 年選

第 30 題

增強型MOSFET 分壓式偏壓共R2 = 400 kΩ、R3 = 1.5 kΩ 及R4幅3 V，求輸入小信號之振幅約大工作區。0.03 V

(B)0.06區，輸出阻抗ro= 10 kΩ，轉導值gm=10 mA/V

(C)90/11

(D)特性以定壓降0.5 V 模型化後，如果想要得到= 1 kΩ。kΩ15✓ 正解

(C)kΩ

(D)器中，MOSFET 的輸出直流偏壓VDSQ 等於多V2。✓ 正解

(C)5 V

(D)共閘極放大器中，MOSFET 的μnCox(W/L) = 4 mA/4 = 3 kΩ，測得流經電阻R3 的直流偏壓電流為約為多少？其中，該放大器之偏壓電路等可提6 V✓ 正解

(C)0.25 V

(D)1kΩvovsIVDDM1C=∞+－RC10V2VRBICQIBQIB(μA)VBE(V)0.5β=5012VVDSQ1.5kΩ6MΩ2MΩVDDvoviR1R2R3R4CGCDCSV，電流源I 為理想，則✓ 正解

(D)5到5 V 的輸出直流工作點，40✓ 正解

(D)kΩ多少？電晶體的臨界電壓✓ 正解

(D)4 V/V2，電阻值R1 = 800 kΩ、為2 mA 及輸出弦波信號振提供該MOSFET 正確的放✓ 正解

(D)0.5 V✓ 正解

108 年選

第 31 題

圖示雙極性接面電晶體（BJT）為電流源的主要原因為何？

(A)阻抗RO 太小✓ 正解

(C)電流IO 與IREF相差太大

108 年選

第 32 題

如圖為共集（CC）放大器（其訊號參數gm、re、rπ 均為已知R

(A)L/(re + RL)✓ 正解

(B)RL/(

108 年選

第 33 題

如圖所示為非反相施密特觸發一偏壓電源VR =2 V，若此電路多少伏特（V）？

(A)-10 V

(B)0 V

108 年選

第 34 題

變壓器耦合串級放大電路中第壓VT = 25 mV，Q1 與Q2Av1=vo1/vi1=Av2=vo2/vi2，求負載R2

(A)kΩ

(B)1.6 kC1vi1:8）電路，其中IO 為輸出電流，電晶體Q1 與Q2 特✓ 正解

(B)阻抗RREF太大✓ 正解

(D)Q1 不在主動區（Active其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式，輸出電阻ro→∞，電壓增益ovivAv≡為：(rπ+ RL)

(C)RL/[(rπ + (β + 1) RL)]

(D)電路，其OPA 為理想並使用±10 V 的電源電壓路vI先輸入10 V 一段時間後，vI 再改輸入為0

(C)5 V

(D)1、第2 級放大電路具有相同的基極偏壓電流的β 值與爾利電壓（Early voltage）均相RL 約為多少？kΩ

(C)600 Ω

(D)VCCROIORREFR1Q1Q2IREFVCCRsigvivoVsigRLvOvIVR+－1kΩ2kΩRLREC2C1R2REC2R2R1R1Q1Q2VCCvvi1vi2vo2vo15:14:18特性相同，此電路不能作Region）工作式（active mode），其小

(D)RL/( β + 1)(re + RL)壓，於OPA 反相輸入端加V，則最終輸出電壓約為

(D)10 V流IB1=IB2=10 μA，其中熱電相同。若欲使電壓增益

(D)200 ΩLvo

108 年選

第 35 題

R1=R2且C1=C2 的韋恩電橋（W幅為2 V 時，則輸出vO的有效值1.414

(A)V

(B)2 V

108 年選

第 36 題

RC 串級放大電路於未耦合前的忽略電容效應，求該串級放大4000

(B)200

108 年選

第 37 題

造成積體電路放大器在高頻的

(A)電導

(B)電感

108 年選

第 38 題

某電路之轉移函數：(( )(oiVT sV=

(A)低通響應✓ 正解

(C)高頻增益為10 dB

108 年選

第 39 題

圖示電路，當電路正常工作時

(A)弦波

(B)方波

108 年選

第 40 題

如圖為一共射（CE）放大器電Cμ）中，以何者對放大器的低C

(A)c1

(B)Cc2Ri1=1viWien-bridge）振盪電路如圖，當該電路發生等幅振值vO,rms約為多少伏特（V）？其中理想OPA 的

(C)4.24 V✓ 正解

(D)的各單級放大電路示意圖含輸出/輸入電阻、電電路的總電壓增益？0

(C)800✓ 正解

(D)衰減，主要的原因為放大器內部的：感

(C)電洞✓ 正解

(D)( )10( )100sss=+，下列有關T(s)之敘述，何者正確

(B)直流增益為0

(D)增益為10 dB 時的頻率為，問電壓v1 的波形為何？波

(C)三角波✓ 正解

(D)路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶頻響應影響最大？

(C)CE✓ 正解

(D)C1RRfR2R1C2VOkΩRo1=3kΩRo2=2kΩRi2=1kΩRL=8kΩvo2vo1vi2voR2R1RCv1v2vovsigRsigCc1Cc2RCRLRBCEI-VEEVCC+－Vf振盪時，若能測得Vf 的振的輸入電源為±12 V。

(D)8.48 V電壓增益及負載如圖所示，

(D)400

(D)電容確？為100 rad/s

(D)階梯波晶體的內部極際電容（Cπ、

(D)Cπ