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電子工程·104·電子學大意1/40

電子工程 104電子學大意考古題

40 題選擇題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科91-115
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題目與答案為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。

試題40
104
1

如圖所示之理想運算放大器電路,AO = ∞,輸入訊號為一弦波,頻率為2 MHz,假使輸出之大小為輸入訊號之大小的5 倍,則RC 值約為何?

(A)0.8 μs✓ 正解
(B)1.8 μs
(C)2.8 μs
(D)3.8 μs
104
2

如圖所示電路,假設R1 = R2 = Rg = Rf = 10 kΩ,且輸入電壓V1 =3 V,V2 =4 V,則輸出電壓Vo 為:

(A)1 V✓ 正解
(B)2 V
(C)3 V
(D)7 V
104
3

如圖所示電路,R1= 1 kΩ,R2= 10 kΩ,Vi = 1 V,則Vo=?

(A)10 V
(B)-10 V
(C)11 V✓ 正解
(D)-11 VRVoutCVinAo-+-+RfR1R2V1V2Rg-+OPAVoR1R2ViVo-+
104
4

如圖所示之電路,其輸出之正邏輯函數為何?

(A)A+B
(B)BA +✓ 正解
(C)BA⋅
(D)BA⋅
104
5

假設一CMOS 反相器(inverter)之負載電容CL 為2 pF,偏壓(bias)電壓為5 V,且其切換頻率為100 kHz,此反相器之消耗功率約為何?

(A)1 μW
(B)3 μW
(C)5 μW✓ 正解
(D)7 μW
104
6

當一虛擬(pseudo)NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時,其中的NMOS 和PMOS 的操作區域分別為何?

(A)三極體區、三極體區
(B)三極體區、飽和區✓ 正解
(C)飽和區、三極體區
(D)截止區、三極體區
104
7

半導體pn 接面在接面處會產生一空乏區,在n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是:

(A)電洞
(B)電子
(C)負離子
(D)正離子✓ 正解
104
8

圖中)(sIVio為帶通濾波器,下列敘述何者正確?

(A)L 越大則中心頻率越高
(B)C 越大則中心頻率越高
(C)C 越大則頻寬越寬
(D)R 越大則頻寬越窄✓ 正解
104
9

利用下列何種效應可以測出半導體是屬於P 型或N 型?

(A)光電效應
(B)霍爾(Hall)效應✓ 正解
(C)米勒(Miller)效應
(D)黑體輻射效應
104
10

關於圖中含理想運算放大器之振盪器,下列何者錯誤?

(A)本電路為橋式(Wien Bridge)振盪器
(B)振盪頻率等於RCπ21
(C)R2/R1=3✓ 正解
(D)Vo 振幅為1.5 倍二極體導通電壓VDDAVoBIiRCL+-VoD1D2R1R2Vo+-RCCR
104
11

二極體不具下列何種功能?

(A)截波
(B)檢波
(C)整流
(D)放大✓ 正解
104
12

如圖的二極體電路,設各二極體為理想二極體,則電流Io 為:

(A)0 mA
(B)1 mA✓ 正解
(C)1.33 mA
(D)2 mA
104
13

圖示整流電路,若輸入弦波vI 與電阻R 皆固定,今若電容C 變大,下列敘述何者正確?

(A)輸出電壓vO 的漣波(ripple)變大
(B)二極體導通時間變長
(C)二極體最大導通峰值電流變大✓ 正解
(D)輸出電壓vO 的頻率變大
104
14

如圖所示之電路,二極體導通之壓降為0.7 V,RC >> vi 之週期,求電路穩態時之V3 為何?

(A)5.3 V
(B)9.3 V
(C)24.3 V✓ 正解
(D)34.3 V
104
15

利用歐姆錶來測量二極體,無論測試棒如何接法,指針的指示值均為低值,表示該二極體的狀況是:

(A)正常
(B)斷路
(C)短路✓ 正解
(D)無法判斷
104
16

圖示理想運算放大器電路,vI 為輸入電壓,vO 為輸出電壓,本電路為:

(A)整流電路✓ 正解
(B)箝位電路
(C)濾波電路
(D)倍壓電路+10 V5 kΩ10 kΩ-10 VIoiDDCRvO+-vi 15 V0 V-15 V5 V+-C+-RvoV1V3V2R2R1vID2D1vO-+vI+-
104
17

P 通道之MOSFET 其傳導電荷載子是:

(A)電子
(B)離子
(C)質子
(D)電洞✓ 正解
104
18

關於以下之放大器,若電晶體操作於三極管區(Triode region),下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區?

(A)增加RG
(B)增加ID✓ 正解
(C)減少RS
(D)增加VDD
104
19

雙極性接面電晶體(BJT)中,那種電路組態其電壓增益(Av)大於1 且電流增益(Ai)近似於1?

(A)共基極(common base)組態✓ 正解
(B)射極隨耦(Emitter Follower)組態
(C)共射極(common emitter)組態
(D)共集極(common collector)組態
104
20

下列組態的串接放大器,何者的輸入電阻最小?

(A)共基極-共射極✓ 正解
(B)共射極-共射極
(C)共集極-共基極
(D)共射極-共基極
104
21

一個操作於飽和區的MOS 電晶體,其汲極電流ID 與過激電壓Vov(Overdrive Voltage, VGS-Vt)的關係為:

(A)ovDV1I∝
(B)ovDVI∝
(C)ovDVI∝
(D)2ovDVI∝✓ 正解
104
22

空乏型N 通道MOSFET,閘極和源極間電壓VGS 加上一負電壓時,通道導通程度會:

(A)變大
(B)變小✓ 正解
(C)不變
(D)無窮大
104
23

如圖為一共汲極(common drain)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導(transconductance)參數為gm,輸出電阻為ro→∞,則此放大器的電壓增益為何?

(A)gmRS
(B)gmRS / (1+gmRS)✓ 正解
(C)- gmRS
(D)-gmRS / (1+gmRS)
104
24

試問一個n 通道MOSFET 的過激電壓(Overdrive Voltage, VGS-Vt)Vov 及其臨界電壓(ThresholdVoltage)Vtn,與MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確?

(A)Vov=VGS-Vtn✓ 正解
(B)Vov=VDS-Vtn
(C)Vov=VGD-Vtn
(D)Vov=VBS-VtnVDDIDVoRGCRSVi+VDDvIvoRS
104
25

如圖所示為一共源極(common source)放大器(偏壓電路未繪示),該電路電晶體之Vt=0.5 V,VDD=5 V。當VI=1.5 V 時,MOSFET 工作於飽和(saturation)區,且ID=1 mA。求使此MOSFET維持工作在飽和區之最大RD 值為何?

(A)1 kΩ
(B)2 kΩ
(C)4 kΩ✓ 正解
(D)8 kΩ
104
26

若圖中電晶體為N 通道增強型MOSFET,且電壓增益(vo / vi)為 -3.3,則Rin 約為:

(A)8.44 MΩ
(B)6.32 MΩ
(C)4.56 MΩ
(D)2.33 MΩ✓ 正解
104
27

如下圖電路,其RS=1 kΩ、CC=0.2 μF、rπ=1.2 kΩ、gm=50 mA/V、RL=10 kΩ和CL=2 nF。則此電路之頻寬約為:

(A)7000 Hz
(B)7300 Hz
(C)7600 Hz✓ 正解
(D)8200 Hz
104
28

有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當gm 增加時,利用米勒效應(Miller effect)估計等效輸入電容Cin 及等效輸出電容Cout 的變化趨勢為何?

(A)Cin 變大、Cout 變大
(B)Cin 變大、Cout 變小✓ 正解
(C)Cin 變小、Cout 變大
(D)Cin 變小、Cout 變小VDD=5 VID=1 mARDVOVI=1.5 V+15 V10 kΩ(∞)10 kΩ(∞)-+vo10 MΩ-viRinRSCC-vπ+-rπgmvπRLCLvovivs-RsRinCinCgsCgdgmvgsRLvoCoutvgs+-++
104
29

如圖的共集極(common collector)(CC)放大器(其偏壓電路未繪示),設電晶體工作於順向主動區(forward active region),其小訊號參數gm、re、rπ 均為已知,輸出電阻ro→∞,則此放大器之輸出電阻Rout(不含RL)為:

(A)rπ+Rsig
(B)re+Rsig
(C)(rπ+Rsig)/(β+1)✓ 正解
(D)(re+Rsig)/(β+1)
104
30

分析以下之電路,若BJT 皆操作在順向主動區(forward active region)且轉導(transconductance)參數gm 為10 mA/V,β=100。試求Ri=?

(A)20 kΩ
(B)51 kΩ
(C)101 kΩ
(D)121 kΩ✓ 正解
104
31

如圖電路中若齊納二極體的VZ=10 V,電源V=20 V,R=2 kΩ,RL=5 kΩ,則流過齊納二極體之電流IZ 大約有多大?

(A)0
(B)2 mA
(C)3 mA✓ 正解
(D)5 mA
104
32

具有相位落後特性的電路,其輸出相對於輸入而言有下列何項特性?

(A)電壓放大
(B)電流放大
(C)時間延遲✓ 正解
(D)時間超前
104
33

如圖之差動對電路,電晶體之β=100,ro→∞,RC=4 kΩ,I=2 mA,VCC=-VEE=10 V,取VBE(on)=0.7 V,VCE(sat)=0.3 V,VT=25 mV,當v B1=v B2=0 時,vE 之值約為何?

(A)0
(B)-0.3 V
(C)-0.7 V✓ 正解
(D)-10 VVccRsig ViRoutRLVoVsig +-VDD10 kΩ10 kΩRiViQ1Q21 kΩIb1Ib2VRIZVZRLVCCRCvc1iC1 iC2RCvc2vIvB2vEvB1IVEE---
104
34

圖示電路,若電晶體Q1、Q2、Q3 之特性完全相同,則IO / IREF 與β 之關係約為:

(A)與β 無關
(B)β/211+
(C)2/211β+✓ 正解
(D)3/211β+
104
35

圖示摺疊式疊接(folded cascode)放大器,vI 為輸入電壓,vO 為輸出電壓,相較於傳統疊接(cascode)放大器,摺疊式疊接放大器的主要目的在:

(A)提高輸入阻抗
(B)提高電壓增益
(C)降低輸出阻抗
(D)降低所需電源電壓✓ 正解
104
36

一環形振盪器是由五個反相器所構成,若反相器的傳播延遲為4 ns,其振盪頻率為何?

(A)10 MHz
(B)25 MHz✓ 正解
(C)50 MHz
(D)100 MHz
104
37

達靈頓放大器具有下列何種特性?

(A)低的輸入阻抗
(B)高的輸出阻抗
(C)小的電流增益
(D)放大器內部兩電晶體採用「共集極」組態✓ 正解
104
38

某一放大器的中頻帶電壓增益為100,若其低頻 -3dB 頻率為1 kHz,當操作頻率為f=100 Hz 時,則此時電壓增益約為:

(A)100
(B)10✓ 正解
(C)1
(D)0
104
39

一BJT 放大器操作在IC=1 mA 下,其單一增益頻率(unity-gain frequency)為200 MHz,其電容Cπ為24 pF,其電容Cμ 值為何?

(A)8 pF✓ 正解
(B)12 pF
(C)20 pF
(D)24 pF
104
40

有一放大器電路的轉移函數(Transfer function)F(s)=VO (s) / VI (s),其中s=jω=j2πf:2106110)(×+=πsssF試估計此放大器在頻率f=3 kHz 時的電壓增益,下列何者正確?

(A)dB55)()(kHz3>=fIOsVsV✓ 正解
(B)dB55)()(dB35kHz3≤<=fIOsVsV
(C)dB35)()(dB15kHz3≤<=fIOsVsV
(D)dB15)()(kHz3≤=fIOsVsVIREFIOQ1Q2VDDvIQ1I1Q2VBIASvOI2Q3
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