電子工程 104 年電子學大意考古題
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試題40 題
104 年選
第 1 題如圖所示之理想運算放大器電路,AO = ∞,輸入訊號為一弦波,頻率為2 MHz,假使輸出之大小為輸入訊號之大小的5 倍,則RC 值約為何?
(A)0.8 μs✓ 正解✕ 你選的
(B)1.8 μs✕ 你選的
(C)2.8 μs✕ 你選的
(D)3.8 μs✕ 你選的
104 年選
第 2 題如圖所示電路,假設R1 = R2 = Rg = Rf = 10 kΩ,且輸入電壓V1 =3 V,V2 =4 V,則輸出電壓Vo 為:
(A)1 V✓ 正解✕ 你選的
(B)2 V✕ 你選的
(C)3 V✕ 你選的
(D)7 V✕ 你選的
104 年選
第 3 題如圖所示電路,R1= 1 kΩ,R2= 10 kΩ,Vi = 1 V,則Vo=?
(A)10 V✕ 你選的
(B)-10 V✕ 你選的
(C)11 V✓ 正解✕ 你選的
(D)-11 VRVoutCVinAo-+-+RfR1R2V1V2Rg-+OPAVoR1R2ViVo-+✕ 你選的
104 年選
第 4 題如圖所示之電路,其輸出之正邏輯函數為何?
(A)A+B✕ 你選的
(B)BA +✓ 正解✕ 你選的
(C)BA⋅✕ 你選的
(D)BA⋅✕ 你選的
104 年選
第 5 題假設一CMOS 反相器(inverter)之負載電容CL 為2 pF,偏壓(bias)電壓為5 V,且其切換頻率為100 kHz,此反相器之消耗功率約為何?
(A)1 μW✕ 你選的
(B)3 μW✕ 你選的
(C)5 μW✓ 正解✕ 你選的
(D)7 μW✕ 你選的
104 年選
第 6 題當一虛擬(pseudo)NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時,其中的NMOS 和PMOS 的操作區域分別為何?
(A)三極體區、三極體區✕ 你選的
(B)三極體區、飽和區✓ 正解✕ 你選的
(C)飽和區、三極體區✕ 你選的
(D)截止區、三極體區✕ 你選的
104 年選
第 7 題半導體pn 接面在接面處會產生一空乏區,在n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是:
(A)電洞✕ 你選的
(B)電子✕ 你選的
(C)負離子✕ 你選的
(D)正離子✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 8 題圖中)(sIVio為帶通濾波器,下列敘述何者正確?
(A)L 越大則中心頻率越高✕ 你選的
(B)C 越大則中心頻率越高✕ 你選的
(C)C 越大則頻寬越寬✕ 你選的
(D)R 越大則頻寬越窄✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 9 題利用下列何種效應可以測出半導體是屬於P 型或N 型?
(A)光電效應✕ 你選的
(B)霍爾(Hall)效應✓ 正解✕ 你選的
(C)米勒(Miller)效應✕ 你選的
(D)黑體輻射效應✕ 你選的
104 年選
第 10 題關於圖中含理想運算放大器之振盪器,下列何者錯誤?
(A)本電路為橋式(Wien Bridge)振盪器✕ 你選的
(B)振盪頻率等於RCπ21✕ 你選的
(C)R2/R1=3✓ 正解✕ 你選的
(D)Vo 振幅為1.5 倍二極體導通電壓VDDAVoBIiRCL+-VoD1D2R1R2Vo+-RCCR✕ 你選的
104 年選
第 11 題二極體不具下列何種功能?
(A)截波✕ 你選的
(B)檢波✕ 你選的
(C)整流✕ 你選的
(D)放大✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 12 題如圖的二極體電路,設各二極體為理想二極體,則電流Io 為:
(A)0 mA✕ 你選的
(B)1 mA✓ 正解✕ 你選的
(C)1.33 mA✕ 你選的
(D)2 mA✕ 你選的
104 年選
第 13 題圖示整流電路,若輸入弦波vI 與電阻R 皆固定,今若電容C 變大,下列敘述何者正確?
(A)輸出電壓vO 的漣波(ripple)變大✕ 你選的
(B)二極體導通時間變長✕ 你選的
(C)二極體最大導通峰值電流變大✓ 正解✕ 你選的
(D)輸出電壓vO 的頻率變大✕ 你選的
104 年選
第 14 題如圖所示之電路,二極體導通之壓降為0.7 V,RC >> vi 之週期,求電路穩態時之V3 為何?
(A)5.3 V✕ 你選的
(B)9.3 V✕ 你選的
(C)24.3 V✓ 正解✕ 你選的
(D)34.3 V✕ 你選的
104 年選
第 15 題利用歐姆錶來測量二極體,無論測試棒如何接法,指針的指示值均為低值,表示該二極體的狀況是:
(A)正常✕ 你選的
(B)斷路✕ 你選的
(C)短路✓ 正解✕ 你選的
(D)無法判斷✕ 你選的
104 年選
第 16 題圖示理想運算放大器電路,vI 為輸入電壓,vO 為輸出電壓,本電路為:
(A)整流電路✓ 正解✕ 你選的
(B)箝位電路✕ 你選的
(C)濾波電路✕ 你選的
(D)倍壓電路+10 V5 kΩ10 kΩ-10 VIoiDDCRvO+-vi 15 V0 V-15 V5 V+-C+-RvoV1V3V2R2R1vID2D1vO-+vI+-✕ 你選的
104 年選
第 17 題P 通道之MOSFET 其傳導電荷載子是:
(A)電子✕ 你選的
(B)離子✕ 你選的
(C)質子✕ 你選的
(D)電洞✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 18 題關於以下之放大器,若電晶體操作於三極管區(Triode region),下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區?
(A)增加RG✕ 你選的
(B)增加ID✓ 正解✕ 你選的
(C)減少RS✕ 你選的
(D)增加VDD✕ 你選的
104 年選
第 19 題雙極性接面電晶體(BJT)中,那種電路組態其電壓增益(Av)大於1 且電流增益(Ai)近似於1?
(A)共基極(common base)組態✓ 正解✕ 你選的
(B)射極隨耦(Emitter Follower)組態✕ 你選的
(C)共射極(common emitter)組態✕ 你選的
(D)共集極(common collector)組態✕ 你選的
104 年選
第 20 題下列組態的串接放大器,何者的輸入電阻最小?
(A)共基極-共射極✓ 正解✕ 你選的
(B)共射極-共射極✕ 你選的
(C)共集極-共基極✕ 你選的
(D)共射極-共基極✕ 你選的
104 年選
第 21 題一個操作於飽和區的MOS 電晶體,其汲極電流ID 與過激電壓Vov(Overdrive Voltage, VGS-Vt)的關係為:
(A)ovDV1I∝✕ 你選的
(B)ovDVI∝✕ 你選的
(C)ovDVI∝✕ 你選的
(D)2ovDVI∝✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 22 題空乏型N 通道MOSFET,閘極和源極間電壓VGS 加上一負電壓時,通道導通程度會:
(A)變大✕ 你選的
(B)變小✓ 正解✕ 你選的
(C)不變✕ 你選的
(D)無窮大✕ 你選的
104 年選
第 23 題如圖為一共汲極(common drain)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導(transconductance)參數為gm,輸出電阻為ro→∞,則此放大器的電壓增益為何?
(A)gmRS✕ 你選的
(B)gmRS / (1+gmRS)✓ 正解✕ 你選的
(C)- gmRS✕ 你選的
(D)-gmRS / (1+gmRS)✕ 你選的
104 年選
第 24 題試問一個n 通道MOSFET 的過激電壓(Overdrive Voltage, VGS-Vt)Vov 及其臨界電壓(ThresholdVoltage)Vtn,與MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確?
(A)Vov=VGS-Vtn✓ 正解✕ 你選的
(B)Vov=VDS-Vtn✕ 你選的
(C)Vov=VGD-Vtn✕ 你選的
(D)Vov=VBS-VtnVDDIDVoRGCRSVi+VDDvIvoRS✕ 你選的
104 年選
第 25 題如圖所示為一共源極(common source)放大器(偏壓電路未繪示),該電路電晶體之Vt=0.5 V,VDD=5 V。當VI=1.5 V 時,MOSFET 工作於飽和(saturation)區,且ID=1 mA。求使此MOSFET維持工作在飽和區之最大RD 值為何?
(A)1 kΩ✕ 你選的
(B)2 kΩ✕ 你選的
(C)4 kΩ✓ 正解✕ 你選的
(D)8 kΩ✕ 你選的
104 年選
第 26 題若圖中電晶體為N 通道增強型MOSFET,且電壓增益(vo / vi)為 -3.3,則Rin 約為:
(A)8.44 MΩ✕ 你選的
(B)6.32 MΩ✕ 你選的
(C)4.56 MΩ✕ 你選的
(D)2.33 MΩ✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 27 題如下圖電路,其RS=1 kΩ、CC=0.2 μF、rπ=1.2 kΩ、gm=50 mA/V、RL=10 kΩ和CL=2 nF。則此電路之頻寬約為:
(A)7000 Hz✕ 你選的
(B)7300 Hz✕ 你選的
(C)7600 Hz✓ 正解✕ 你選的
(D)8200 Hz✕ 你選的
104 年選
第 28 題有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當gm 增加時,利用米勒效應(Miller effect)估計等效輸入電容Cin 及等效輸出電容Cout 的變化趨勢為何?
(A)Cin 變大、Cout 變大✕ 你選的
(B)Cin 變大、Cout 變小✓ 正解✕ 你選的
(C)Cin 變小、Cout 變大✕ 你選的
(D)Cin 變小、Cout 變小VDD=5 VID=1 mARDVOVI=1.5 V+15 V10 kΩ(∞)10 kΩ(∞)-+vo10 MΩ-viRinRSCC-vπ+-rπgmvπRLCLvovivs-RsRinCinCgsCgdgmvgsRLvoCoutvgs+-++✕ 你選的
104 年選
第 29 題如圖的共集極(common collector)(CC)放大器(其偏壓電路未繪示),設電晶體工作於順向主動區(forward active region),其小訊號參數gm、re、rπ 均為已知,輸出電阻ro→∞,則此放大器之輸出電阻Rout(不含RL)為:
(A)rπ+Rsig✕ 你選的
(B)re+Rsig✕ 你選的
(C)(rπ+Rsig)/(β+1)✓ 正解✕ 你選的
(D)(re+Rsig)/(β+1)✕ 你選的
104 年選
第 30 題分析以下之電路,若BJT 皆操作在順向主動區(forward active region)且轉導(transconductance)參數gm 為10 mA/V,β=100。試求Ri=?
(A)20 kΩ✕ 你選的
(B)51 kΩ✕ 你選的
(C)101 kΩ✕ 你選的
(D)121 kΩ✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 31 題如圖電路中若齊納二極體的VZ=10 V,電源V=20 V,R=2 kΩ,RL=5 kΩ,則流過齊納二極體之電流IZ 大約有多大?
(A)0✕ 你選的
(B)2 mA✕ 你選的
(C)3 mA✓ 正解✕ 你選的
(D)5 mA✕ 你選的
104 年選
第 32 題具有相位落後特性的電路,其輸出相對於輸入而言有下列何項特性?
(A)電壓放大✕ 你選的
(B)電流放大✕ 你選的
(C)時間延遲✓ 正解✕ 你選的
(D)時間超前✕ 你選的
104 年選
第 33 題如圖之差動對電路,電晶體之β=100,ro→∞,RC=4 kΩ,I=2 mA,VCC=-VEE=10 V,取VBE(on)=0.7 V,VCE(sat)=0.3 V,VT=25 mV,當v B1=v B2=0 時,vE 之值約為何?
(A)0✕ 你選的
(B)-0.3 V✕ 你選的
(C)-0.7 V✓ 正解✕ 你選的
(D)-10 VVccRsig ViRoutRLVoVsig +-VDD10 kΩ10 kΩRiViQ1Q21 kΩIb1Ib2VRIZVZRLVCCRCvc1iC1 iC2RCvc2vIvB2vEvB1IVEE---✕ 你選的
104 年選
第 34 題圖示電路,若電晶體Q1、Q2、Q3 之特性完全相同,則IO / IREF 與β 之關係約為:
(A)與β 無關✕ 你選的
(B)β/211+✕ 你選的
(C)2/211β+✓ 正解✕ 你選的
(D)3/211β+✕ 你選的
104 年選
第 35 題圖示摺疊式疊接(folded cascode)放大器,vI 為輸入電壓,vO 為輸出電壓,相較於傳統疊接(cascode)放大器,摺疊式疊接放大器的主要目的在:
(A)提高輸入阻抗✕ 你選的
(B)提高電壓增益✕ 你選的
(C)降低輸出阻抗✕ 你選的
(D)降低所需電源電壓✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 36 題一環形振盪器是由五個反相器所構成,若反相器的傳播延遲為4 ns,其振盪頻率為何?
(A)10 MHz✕ 你選的
(B)25 MHz✓ 正解✕ 你選的
(C)50 MHz✕ 你選的
(D)100 MHz✕ 你選的
104 年選
第 37 題達靈頓放大器具有下列何種特性?
(A)低的輸入阻抗✕ 你選的
(B)高的輸出阻抗✕ 你選的
(C)小的電流增益✕ 你選的
(D)放大器內部兩電晶體採用「共集極」組態✓ 正解✕ 你選的
104 年選
第 38 題某一放大器的中頻帶電壓增益為100,若其低頻 -3dB 頻率為1 kHz,當操作頻率為f=100 Hz 時,則此時電壓增益約為:
(A)100✕ 你選的
(B)10✓ 正解✕ 你選的
(C)1✕ 你選的
(D)0✕ 你選的
104 年選
第 39 題一BJT 放大器操作在IC=1 mA 下,其單一增益頻率(unity-gain frequency)為200 MHz,其電容Cπ為24 pF,其電容Cμ 值為何?
(A)8 pF✓ 正解✕ 你選的
(B)12 pF✕ 你選的
(C)20 pF✕ 你選的
(D)24 pF✕ 你選的
104 年選
第 40 題有一放大器電路的轉移函數(Transfer function)F(s)=VO (s) / VI (s),其中s=jω=j2πf:2106110)(×+=πsssF試估計此放大器在頻率f=3 kHz 時的電壓增益,下列何者正確?
(A)dB55)()(kHz3>=fIOsVsV✓ 正解✕ 你選的
(B)dB55)()(dB35kHz3≤<=fIOsVsV✕ 你選的
(C)dB35)()(dB15kHz3≤<=fIOsVsV✕ 你選的
(D)dB15)()(kHz3≤=fIOsVsVIREFIOQ1Q2VDDvIQ1I1Q2VBIASvOI2Q3✕ 你選的