電子工程 104 年積體電路技術研究考古題

5 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

跨年同科91-115

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題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。

試題5 題

104 年申

第 1 題

現今半導體主流技術互補金氧半CMOS 有何優缺點？（20 分）

104 年申

第 2 題

㈠何謂FinFET？（6 分）㈡做在Bulk wafer 與SOI wafer 上的FinFET 有何區別？各有何優缺點？（8 分）㈢FinFET 對當今半導體技術有何重要性？（6 分）

104 年申

第 3 題

現今半導體技術為何需要金屬閘極、High-k 閘極氧化層和應力技術？請分別詳述之。（20 分）

104 年申

第 4 題

現今半導體電路和系統，如何達成節能省碳和Low Power-High Speed？（20 分）

104 年申

第 5 題

一般太陽能電池主要有PN 和PIN 架構：㈠PN 和PIN 型太陽能電池，各如何操作和供電？（7 分）㈡那些因素會影響上述太陽能電池之轉換效率，請詳述之。（7 分）㈢如何改進PN 和PIN 行太陽能電池之短路電流密度Jsc 和開路電壓Voc，請分述之。（6 分）