電子工程 102 年積體電路技術研究考古題

5 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

跨年同科91-115

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題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。

試題5 題

102 年申

第 1 題

何謂CMOS n-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明NMOS 及PMOS 的結構。同時將兩者均採操作於 Saturation Mode 之下畫出其通道形式。注意通道厚度、長度並標示出Source 及Drain 兩端點的位置。（20 分）

102 年申

第 2 題

討論N 型Si 基板與金屬的 Heterojunction 接面，因為製程上有什麼差異，因此而會形成肖基二極體（Schottky Barrier Diode）或歐姆接觸（Ohmic Contact）兩種不同的元件行為。（20 分）

102 年申

第 3 題

為了製程可靠度的要求，CMOS 製程可能在製作過程面臨Antenna effects issue（天線效應）問題，請簡要敘述該問題及其解決方法。（20 分）

102 年申

第 4 題

請分別敘述半導體中兩種摻雜技術的特性及不同處。若要形成MOS 元件的Source /Drain 應採何者較合宜？（20 分）

102 年申

第 5 題

矽晶體之晶格常數為5.43 埃，請依此計算出矽晶體之體積密度，即一立方公分的矽晶體約有多少個矽原子？並說明矽晶體摻雜Nd 及Na 時，合理的濃度值範圍應為多少較合宜？（20 分）

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