電子工程 102 年電子學大意考古題

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω。關於以下電路之敘述，何者正確？

分析圖中之電路，若運算放大器為理想，且Vi = 4 V，則輸出電壓Vo 約為何？

圖中理想運算放大器電路的輸出電壓Vo 為何？

下圖數位邏輯電路，輸出F 為何？

下圖的符號為何？

一匹配的CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為200 fF，當操作電源為5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 10-15）

某0.25 μm 製程中，MOSFET 元件通道長度均為L = 0.25 μm，假設電子對電洞的遷移率比μn/μp = 3，要使CMOS 反相器具有對稱的轉移特性，通道的寬度比Wn/Wp 應為多少？

下列有關發光二極體（LED）特性的敘述，何者錯誤？

有關積體電路設計的趨勢，下列敘述何者錯誤？

在負（n）型半導體材料中，主要的電流傳導載子是：

圖示整流電路，若交流電vS 之有效值電壓為10 Vrms，二極體導通時的壓降VD 為0.7 V，則vO 的電壓平均值約為若干？

如圖所示之電路，設二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？

如圖的二極體電路，二極體D1、D2 具有相同之特性。輸出電壓VO 的值為：

如圖電路中，D1 與D2 均為理想二極體。當VI = -5 V 時，VO 的值為：

有一放大器電路如下圖所示，放大器U1 為理想運算放大器。二極體D1 順向電壓VD0 = 0.7 V。若電阻R1 = 1 kΩ，交流電源V1 = -5 V，試問節點B 的電壓VB 應落在下列何範圍內？

二極體崩潰時會產生大的逆向電流，其主要原因有：

如圖所示為一共閘（CG）放大器（偏壓電路未繪示），電晶體之ro → ∞，gm = 1 mA/V。若RS = 0.5 kΩ，RD = 3 kΩ，則此放大器之電壓增益VO/VI 為何？

在MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻rO與汲極電流ID 的關係為：

在共射極放大器中，因為那一項等效或實際的電路元件之存在，使得放大器不能被視為理想的單向放大器（Unilateral amplifier）？

在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascade）放大器組態中，具有最大輸出電阻的是：

有一MOSFET 其臨界電壓為Vt，爾利（Early）電壓為VA，當正好工作於三極體區（Triode Region）與飽和區（Saturation Region）之交界時，下列何者正確：

當一MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流ID 與電晶體之過驅電壓（overdrivevoltage）Vov 的關係為：

若MOSFET 電晶體操作於飽和區，下列敘述何者錯誤？

圖示電路中場效電晶體FET 之Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2，若電壓VD 為3 V，則電阻RD 應為若干kΩ？

圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE/2，VCC = -VEE = 5 V，電晶體的β 為100，放大器的輸入共模（Common Mode）電壓為0 V。則差動放大器的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain）約為：

如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？

圖示電路中的電容CE 有何功用？

一個工作在主動模式（active mode）之BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為25 V，IC = 2.5 mA，則其輸出電阻rO 之值約為：

放大器在-3 dB 頻率時，其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍？

下列那一種振盪器之頻率穩定性最高？

分析以下之電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm為10 mA/V，β = 10，MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗ro，試求整體轉導增益Io/Vi？

如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，忽略電晶體輸出電阻，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，CDB = 15 fF，且VGS-VTH = 200 mV，採用米勒（Miller）趨近法，求位於Vo 端之極點頻率為何？（f = 10-15）

差動放大器中的共模斥拒比CMRR（Common-mode rejection ratio）愈大，則表示：

圖中為一共射級架構的放大器電路，考慮其低頻響應，電容CE 所造成的極點頻率為何？

某NMOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2、電容Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF，且ID = 0.125 mA，則其單一增益頻率（unity-gain frequency）約為若干rad/s？（f = 10-15）

如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體Q1與Q2之特性同為VBE1 = VBE2 = 0.7 V，β1 = β2 = 50，又VCC = 10 V，R1 = 100 kΩ，R2 = 3 kΩ則電流增益值AI =B1E2II為何？

一內部補償的運算放大器其直流開路增益為106，在1 MHz 時交流開路增益為60 dB，其3 dB 頻率為何？

一BJT 電晶體β = 100 操作在IC = 2 mA，其電容為Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF，求其3 dB 頻率ω。

某三級串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別為AV1 = 50，AV2 = 100，AV3 = 200，試求總電壓增益為多少dB？