電子工程 96 年電子學大意考古題

若圖中兩個二極體特性完全相同，則流過電路之電流為：

/−=TVVS eIIη (D)]1[/−=TVVS eIIη2若β＝100，則下列電路電晶體之rπ 值約為：

承上題，BJT 交流電路，其Ro 值約為：

共閘極放大器的小信號等效電路如下圖所示，其輸入阻抗（Ri）和輸出阻抗（Ro）各為何？

下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？

室溫時，有一矽塊含有施體濃度ND＝2×1015/cm3，受體濃度NA＝3×1015/cm3，若本質濃度為ni＝1.5×1010/cm3，則自由電子濃度約為：

下圖是波形產生器之電路圖，Vo 的波形為：

承上題，V-電壓波形若由示波器量出，則應近似何種波形？

雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸入電阻較大？

若一雙極性接面電晶體工作於作用區（active region），其α＝0.99，則其β 應為：

下列何種濾波器之增益與頻率的關係如下圖所示？

如圖所示是一個雙極性接面電晶體（BJT）電路，假設電晶體的VBE＝0.7 V、β＝50，則E 極最接近的電壓值為：

當一雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode）時，其IE、IB、IC 三者之大小關係為何？

圖示為雙極性接面電晶體（BJT）的轉移特性曲線。若要使輸出電壓vCE 失真最小，其工作點應選擇在：

一多級放大器之電壓放大率為1000 倍，其輸入阻抗為10 KΩ、負載阻抗為100 KΩ，則此多級放大器之功率增益為多少分貝（dB）？

如圖所示的振盪器電路，則vo 的波形為何？

下列關於SR 正反器（SR Flip-Flop）之敘述，何者正確？

若一差動放大器（Differential amplifier）的輸入電壓為Vi 1＝150 µV，Vi 2＝50 µV 時，其輸出電壓Vo＝101 mV；又當輸入電壓為Vi l＝110 µV，Vi 2＝90 µV，其輸出電壓Vo＝21 mV，則該放大器之共模拒斥比（CMRR）應為：

下圖為一振盪器電路，已知C＝0.01 µF，L＝4 µH，R3＝5 KΩ，R4＝100 KΩ，其中R1/R2 須至少大於何值才能滿足振盪條件？

有一運算放大器的轉動率（Slew Rate）＝0.5 V/µs，假設此運算放大器之輸出電壓最大值為5 V，則此運算放大器在輸出不允許失真的狀況下，輸入所能允許正弦波之最高頻率約為：

如圖所示電路為一低通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數)s(V)s(Vio為：

如下圖，兩OPA 均為理想運算放大器，則下列何組電阻值可使電壓增益Vo/Vi＝10？

下圖雙級放大器中使用相同之電晶體，則下列敘述何者錯誤？

如下圖的電路，假設運算放大器為理想元件，則電路的閉迴路電壓增益iovVVA =為：

如圖所示之B 類推挽放大電路中，RL＝5 Ω，若已知其最大輸出功率為10 W，則VCC 為：

如圖所示電路，為一反相輸入型樞密特觸發（Schmitt Trigger）電路及其輸入－輸出曲線圖，若參考電壓Vref＝3 V，輸入電壓Vi 為振幅± 10 V 之弦波，電阻R1＝3 kΩ，R2＝2 kΩ，則遲滯（Hysteresis）電壓VH 為：

為何動態RAM（DRAM）需要週期性的再生（Refresh）？

如圖電路設運算放大器為理想的，若R1＝R2；R3＝R4，則Vo/(V2－V1)為：

如圖，下列何者正確？

下圖所示之電流源（current source）電路，若是已知電晶體Q2 係操作於順向作用區（forward activeregion），且其厄利電阻（Early resistance）為ro，則下列敘述何者正確？

如圖所示為穩壓電路，若其中R1＝1 kΩ，R2＝20 kΩ，R3＝20 kΩ，則輸出電壓Vo 為：

小明在量測實驗室所作出的矽晶電晶體，發現開燈和關燈所量測到的電流－電壓特性相差很多。下列何者為最可能的原因？

在共射極單級放大器中，其高頻響應最主要受限於下列何種效應？

如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若Vcc＝5 V，電阻值R1＝4 kΩ、R2＝1.6 kΩ、R3＝1 kΩ、R4＝130 Ω，若輸入電壓VA＝5 V，且VB＝5 V，則下列敘述何者正確？

以增強型（enhancement mode）MOSFET 當作負載的一個NMOSFET 放大器，其輸出信號擺幅的最大值為何？

下面的通道形狀在下列那一種條件下會產生？（設VGS＞Vt）

如圖所示電路，假設輸入電壓Vi＝5 V，而正、負飽和輸出電壓為± 15 V，則輸出電壓Vo 為：

場效應電晶體（FET）是屬於：