電子工程 96 年半導體元件考古題

5 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

跨年同科91-115

1151141131121111101091081071061051041031025 題 1015 題1000 題990 題980 題970 題965 題950 題940 題930 題922 題91

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試題5 題

96 年申

第 1 題

㈠試繪圖說明N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。㈡試繪圖說明D-MOS（Double-Diffused MOS）之結構圖及其應用。（20 分）

96 年申

第 2 題

㈠若由熱氧化法（Thermal Oxidation）成長二氧化矽（SiO2）之厚度為100nm，則矽消耗若干？㈡試說明傳統的雙極性接面電晶體（BJT）與異質接面雙極性電晶體（HBT）之相異處。（20 分）

96 年申

第 3 題

㈠試說明一面心立方晶體（Face-Center Cubic）之原子結構，並算出整個晶體空間原子所佔的空間比例為多少？㈡試說明半導體雷射二極體的發光原理。（20 分）

96 年申

第 4 題

㈠一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為 NA＝1019cm–3，ND＝1016cm–3。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場（矽的εr＝12，室溫下的本質濃度ni＝1.45×1010/cm3）。㈡試說明如何以四點探針法（Four-Point Probe）量測半導體特性。（20 分）

96 年申

第 5 題

㈠試說明如何得到白色光源的固態照明。㈡試繪圖說明pnp 電晶體的I-V 特性曲線圖。（20 分）