電子工程 96 年半導體工程考古題

半導體製程中於晶圓上製作線路須對光阻曝光，請說明曝光之能量源有那些，並敘 述其優缺點。（24 分）

請說明並繪圖出晶圓之規格TIR（Total indicated runout），TTV（Total thickness variation）與FPD（Focal plane deviation）之定義。（24 分）

何謂Lift-off 製程？於元件製作過程中，那一步驟須此製程？（12 分）

請說明晶圓先烘烤（prebake），光阻軟烤（soft-bake）與光阻硬烤（hard-bake）之功 能為何？（9 分）

請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同？並說明此兩種材料之自然斷裂面分別 為那一平面？為何有此差異？（15 分） 六、何為軟性電子？薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異？（8 分） 七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異？其主要用途為何？（8 分）