電子工程 96 年半導體製程考古題

5 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

跨年同科91-115

1151141131121111101091081071061051041031025 題 1015 題1000 題990 題980 題970 題965 題950 題940 題930 題925 題91

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試題5 題

96 年申

第 1 題

一般光微影（photo-lithography）製程主要包含那些步驟？每個步驟的功能為何？光微影（photo-lithography）製程實驗室環境有那些重要因素須控制？（20 分）

96 年申

第 2 題

在矽晶圓（Si wafer）上形成二氧化矽（SiO2）膜之製程方式一般有那些？各製程形成之二氧化矽（SiO2）膜品質有何不同？各應用在矽半導體元件之何處？（20 分）

96 年申

第 3 題

二氧化矽（SiO2）膜蝕刻（etching）製程方式一般有那些？其特性與優缺點各為何？（20 分）

96 年申

第 4 題

金屬化（metalization）製程方式一般有那些？其特性有何不同？各適用在何處？（20 分）

96 年申

第 5 題

請以剖面圖（cross section）敘述在矽晶圓（Si wafer）上製作CMOS 元件之基本製程步驟。（20 分）