電子工程 92 年半導體製程考古題
跨年同科91-115
題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。
試題5 題
92 年申
第 1 題在二氧化矽(SiO2)的熱氧化製程中，有濕氧化(Wet Oxidation)及乾氧化(Dry Oxidation)兩種，其製程步驟與氧化層品質有何不同？（20 分）
92 年申
第 2 題光阻(Photoresistor)的好壞與製程的良率和精確度有非常密切的關係，試說 明好的光阻應具備的條件。又正負光阻之特性有何差異？（20 分）
92 年申
第 3 題在半導體的摻雜(Doping)製程中，試說明離子佈植法(Ion Implantation)與一 般高溫擴散製程(Thermal Diffusion)不同之處。（20 分）
92 年申
第 4 題執行光阻曝光(Exposure)的技術主要有三種，即接觸式(Contact)，近接式 (Proximity)與投影式(Projection)，試畫出各曝光法之概念圖，並說明其優缺 點。（20 分）
92 年申
第 5 題畫出金屬、半導體及絕緣體三種材料之能帶表示圖，並說明其與導電率之 關係。（20 分）
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