電子工程 115 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

115 年選

第 1 題

兩電壓v1(t) = 8 cos(20πt+13°)及v2(t) = 4sin(20πt+45°)則兩電壓的相位差為多少度？

(A)58 度✓ 正解

(B)45 度

(C)32 度

(D)13 度

115 年選

第 2 題

pn 接面二極體，p 型和n 型雙邊的摻雜濃度皆為1016cm-3，該接面空乏層厚度為0.2 μm，接面的面積為5 μm5 μm，儲存於pn 接面某一邊的空乏層電荷為多少？

(A)4×10-15 庫倫✓ 正解

(B)8×10-15 庫倫

(C)12×10-15 庫倫

(D)16×10-15 庫倫

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第 3 題

有關矽半導體材料之敘述，下列何者正確？

(A)具有五個價電子的雜質加入純矽半導體稱為受體元素

(B)P 型半導體的少數載子是電洞

(C)N 型半導體的多數載子是電洞

(D)純矽的電子濃度等同於電洞濃度✓ 正解

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第 4 題

PNP 雙極性接面電晶體的順向主動區模式和逆向主動區模式二者相較，在順向主動區模式時，下列何者正確？

(A)射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較寬

(B)射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍較窄

(C)射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍較寬✓ 正解

(D)射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較窄

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第 5 題

有關雙極性接面電晶體偏壓電路之敘述，下列何者正確？

(A)當電晶體未飽和時，β 值會隨工作溫度上升而變小

(B)具射極電阻的分壓式偏壓電路，工作點IC 易隨β 值變動

(C)集極回授式偏壓電路的基極電阻具正回授特性

(D)射極回授式偏壓電路的射極電阻具負回授特性✓ 正解

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第 6 題

雙極性接面電晶體如圖所示，在主動區操作，β 值為100，有關電流之敘述，下列何者正確？

(A)電流包括電子流和電洞流，主要電流從射極流向集極

(B)電流包括電子流和電洞流，主要電流從集極流向射極✓ 正解

(C)電流僅電子流，主要電流從射極流向集極

(D)電流僅電子流，主要電流從集極流向射極

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第 7 題

如圖，放大器與放大器串接之耦合電容器C 與後級放大器的輸入電阻Ri 一起作用會形成何種電路響應？

(A)低通電路響應

(B)帶通電路響應

(C)高通電路響應✓ 正解

(D)全通電路響應

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第 8 題

以增強型N 通道MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？

(A)夾止飽和區作為開關ON 的主要特性區域✓ 正解

(B)截止區作為開關OFF 的主要特性區域

(C)以閘極電壓VGS 控制開關ON 和OFF

(D)閘極電壓值VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值RDS 的大小

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第 9 題

一晶片含有106個CMOS 邏輯閘，每個邏輯閘負載電容為40 fF。該晶片電源為3.3 V，頻率為500 MHz，該晶片最大總功率散逸為何？

(A)0.2178 W

(B)2.178 W

(C)21.78 W

(D)217.8 W✓ 正解

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第 10 題

下列何種方式無法用於運算放大器放大倍數的控制？

(A)負回授

(B)正回授✓ 正解

(C)電流回授

(D)電壓回授

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第 11 題

如圖所示，互轉阻值（Transresistance）定義為Rm=vo/ii。若運算放大器A 為無限大，則Rm為何？

(A)0

(B)Rf

(C)-Rf✓ 正解

(D)無限大

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第 12 題

有關積體電路製造廠所使用之矽晶圓，其基材為下列何者？

(A)矽砂

(B)冶金級的矽

(C)單晶矽✓ 正解

(D)多晶矽

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第 13 題

一半波整流電路若其輸出的電壓有效值為30 V，其峰值電壓（Vp）為何？

(A)15 V

(B)21.2 V

(C)42.4 V

(D)60 V✓ 正解

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第 14 題

圖為全波橋式整流器，二極體的切入電壓為0.7 V，輸入為120 Vrms 之正弦波，當D2、D3 導通時，D1 和D4 受到的逆向峰值電壓（PIV）約為何？

(A)27.58 V

(B)39.3 V

(C)119.3 V

(D)55.86 VRfiiAvoviiiD1D3D2120 Vrms60 Hz150 ΩD4T13:1✓ 正解

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第 15 題

如圖所示稽納二極體（Zener Diode）電路，若稽納電壓VZ = 11 V 及稽納內電阻為0 Ω，則稽納二極體所消耗的最大功率約為何（RL=∞）？

(A)1.45 W

(B)2.65 W✓ 正解

(C)5.45 W

(D)8.15 W

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第 16 題

如圖所示電路，輸入弦波電壓峰值為110 V，變壓器線圈匝數比為10：1，假設二極體導通電壓為0.7 V，負載電阻RL電壓的峰值為何？

(A)4.8 V

(B)-4.8 V✓ 正解

(C)10.3 V

(D)-10.3 V

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第 17 題

倍壓電路的輸出電壓，取自下列何種元件的跨壓？

(A)電感

(B)電阻

(C)電容✓ 正解

(D)二極體

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第 18 題

假設理想稽納二極體（Zener Diode）參數如下：VZ= 18 V、IZK= 1 mA、IZM = 45 mA，rZ= 0 Ω，如圖中的稽納二極體仍然可以穩壓工作的前提下，負載的最大電流值為何？

(A)20 mA

(B)19 mA✓ 正解

(C)5 mA

(D)0 mA

115 年選

第 19 題

如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為0.7 V，則其最大輸出電壓為何？

(A)0 V

(B)0.7 V

(C)5.55 V

(D)6.35 V－＋RLD1Vin(p) = 110 VD2VinVoutVin✓ 正解

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第 20 題

如圖所示電路及輸入波形，假設二極體的切入電壓為0.7 V，則輸出電壓的上限為何？

(A)-0.7 V

(B)0 V

(C)0.7 V✓ 正解

(D)10 V

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第 21 題

如圖所示之電路，結果得到輸出端VO 為0 V，可能發生的問題為何？

(A)D1 開路

(B)C1 開路✓ 正解

(C)C1 短路

(D)R1 開路

115 年選

第 22 題

如圖所示電路，D1 為理想二極體，若脈波Vi 的工作週期（duty cycle）為50%且其最大值為4 V、最小值為0 V，則Vo 的平均值為何？

(A)3 V✓ 正解

(B)2.5 V

(C)2 V

(D)1.5 V

115 年選

第 23 題

有關放大器電路，下列敘述何者與工作點選擇的目的無關？

(A)可調整放大器增益

(B)可調整輸入電阻

(C)可調整輸出訊號失真程度

(D)可調整輸入訊號頻率✓ 正解

115 年選

第 24 題

某電路中的NPN 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極之電壓為2 V，射極的電壓為1.4 V，集極電壓為1.6 V，此電晶體在下列何工作區？

(A)主動區（Active Region）

(B)飽和區（Saturation Region）✓ 正解

(C)截止區（Cutoff Region）

(D)逆向主動區（Reverse Active Region）＋－VO1 kΩD17VC1V1V2VBBRCRERB47μF15Vrms1kHz0°R1VCC

115 年選

第 25 題

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，RB = 100 kΩ，β= 99，則VC 應為何？

(A)1.32 V

(B)2.72 V✓ 正解

(C)3.05 V

(D)3.86 V

115 年選

第 26 題

圖為一個電容式全波整流電路再接一個RC 濾波電路，針對R2 和C2 形成的RC 濾波電路之敘述，下列何者正確？

(A)為高通濾波電路

(B)增益大於1

(C)加入此RC 濾波電路，Vb 的漣波電壓小於Va 的漣波電壓✓ 正解

(D)R2 和C2 形成的RC 濾波電路的轉折頻率為70 Hz

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第 27 題

圖中放大器電路VCC=5 V、RB1=30 kΩ、RB2=20 kΩ、RC=RE=1.2 kΩ，電晶體參數為：VBE=0.7 V、β=119，放大器電路消耗的功率約為何？

(A)4.5 mW

(B)5 mW

(C)5.5 mW✓ 正解

(D)6 mWVCRB110 Vrms60 Hz150 ΩT110:1R1600 ΩR2Vb25μF25μFC1VaC2RERB2RB1RCVCC

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第 28 題

有關BJT 的爾利效應（Early effect）之敘述，下列何者正確？

(A)爾利電壓（Early voltage）可直接在BJT 的C-E 端點量測取得

(B)考慮爾利效應時，BJT 的輸出電阻值（output resistance）為無窮大

(C)爾利效應是VCE 增加時，則BJT 的有效B 極寬度增加

(D)BJT 在CE 組態時，若VCE 增加時，則BJT 的C 極電流會增加✓ 正解

115 年選

第 29 題

一雙極性接面電晶體具有以下參數：fT=800 MHz、Cμ=2 pF、Cπ=6 pF，其轉導gm的最接近值為何？

(A)20 mA/V

(B)40 mA/V✓ 正解

(C)60 mA/V

(D)80 mA/V

115 年選

第 30 題

有關共集極（Common Collector）組態相較於共基極、共射極組態之特性，下列敘述何者正確？

(A)輸入電阻Ri 最高✓ 正解

(B)輸出電阻Ro 最高

(C)電壓增益AV 最高

(D)電流增益AI 最低

115 年選

第 31 題

圖中放大器電路中電晶體的VTH= -1 V，μpCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸入電阻Rin 為何？

(A)2 kΩ

(B)3.6 MΩ✓ 正解

(C)9 MΩ

(D)∞ Ω

115 年選

第 32 題

圖中放大器電路中電晶體的VTH= 1 V，VA=∞ V，μnCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸出電阻Rout 為何？

(A)0.5 kΩ

(B)1 kΩ

(C)5 kΩ

(D)10 kΩ✓ 正解

115 年選

第 33 題

運算放大器並非元件，實際上為積體電路，其內部電路依輸入到輸出可分成三大部分。因運算放大器輸入阻抗很大，其輸入端應為下列何者？

(A)推挽（push-pull）放大器

(B)差動放大器✓ 正解

(C)電壓放大器

(D)電感2 kΩvo5 kΩ6 MΩ30 kΩ9 MΩvsigRinVDDRoutvo∞10 kΩ10 kΩ1 mA∞-VSSvsigvi100 kΩ10 V

115 年選

第 34 題

如圖所示R1=335 kΩ，R2=125 kΩ，RC=2.2 kΩ，RE=1 kΩ。已知電晶體Q1 之β1=100，rπ1 =200 kΩ；電晶體Q2 之β2=100，rπ2 =2 kΩ。求此電路之電壓增益Vo/Vi 約為何？

(A)-55.82✓ 正解

(B)-5.82

(C)5.82

(D)55.82

115 年選

第 35 題

NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，集極電流為1.96 mA，α 值為0.98，基極電流為何？

(A)0.02 mA

(B)0.04 mA✓ 正解

(C)0.06 mA

(D)0.08 mA

115 年選

第 36 題

如圖所示電路，為何種型態之正弦波產生電路？

(A)韋恩電橋振盪電路

(B)RC 相移振盪電路

(C)考畢子振盪電路✓ 正解

(D)哈特萊振盪電路

115 年選

第 37 題

如圖所示之振盪電路，其電路型態為下列何者？

(A)韋恩電橋振盪電路

(B)無穩態多諧振盪電路

(C)雙穩態多諧振盪電路✓ 正解

(D)單穩態多諧振盪電路VCCR1VCCRCVoQ1Q2CPRECCViR2

115 年選

第 38 題

在電晶體開關電路中，若論其切換時間，則下列何者正確？

(A)同尺寸下，N-MOSFET 比P-MOSFET 切換時間較長

(B)同尺寸下，NPN 比PNP 雙極性接面電晶體切換時間較短✓ 正解

(C)同尺寸下，C-MOSFET 與P-MOSFET 切換時間相同

(D)同尺寸下，C-MOSFET 比N-MOSFET 切換時間較長

115 年選

第 39 題

圖示為一無穩態多諧振盪電路，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其正回授迴路之下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL值為何？

(A)-4 V✓ 正解

(B)-6 V

(C)-8 V

(D)-12 V

115 年選

第 40 題

圖示電路，若電晶體的μnCox(W/L)= 20 mA/V2，RD = 10 kΩ，I = 0.1 mA，則輸入阻抗Rin 約為何？

(A)50 Ω

(B)100 Ω

(C)250 Ω

(D)500 ΩVOVCC1 MΩ500 kΩ0.1 μF1 MΩVCCVDDRDvoC2C1I-VSSRinvi✓ 正解