電子工程 107 年電子學大意考古題

如圖所示為理想運算放大器之電路，R1 = 2 kΩ、R2 = 10 kΩ、R3 = 2 kΩ，試求其輸入阻抗Ri 為多少？

如圖所示符號為下列何種元件？

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？

有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為123V998V1002V×−×=，請問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體Q1 的集極電流比較低的時間點：

二極體順向導通時，下列何者正確？

如圖中NPN 雙極性電晶體，β = 100，電晶體基射極的順偏電壓設為0.8 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少？

一個OP AMP 的輸出的上下限為± 10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬ft = 1 MHz。若輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能操作的最大頻率最接近下列何值？

若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為25℃時，飽和電流（saturation current）Io = 2 μA，試問當溫度升高到55℃時，飽和電流為多少？

如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q1 和Q2 的基極內電阻rπ、射極內電阻re、轉導gm、共基極電流增益α 和共射極電流增益β» 1 等參數均相同，試求差動增益Ad = vod /vid 之值？

史密特觸發（Schmitt trigger）電路之輸出波形為下列何者？

一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓Vo(rms) = 14.14 伏特，則流過負載RL = 2 kΩ之峰值電流Io(p)約為多少？

如圖所示為由齊納（Zener）二極體D1 與D2 所構成截波電路及其輸入信號vi(t)，D1 與D2 於順偏時可視為理想，而其在反偏之崩潰電壓分別為VZ1 = 6 V 與VZ2 = 4 V，輸出信號vo(t)的平均值電壓應為多少？

如圖所示以電容器C1~C3、理想變壓器及理想二極體D1~D3 所構成之倍壓電路，輸入弦波信號且在穩定狀態下電容器C2 所跨電壓為VC2 = 20 伏特，電容器C1 與C3 所跨電壓和（VC1+VC3）應約為多少？

vi(t) = 8sin(ωt)伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為A 與B，則A+B 之值為多少？

如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓vout 之漣波電壓（ripple voltage）值為何？

如圖所示為此二極體電路之轉移函數，假設二極體皆有開啟電壓VD,on，當電路操作於區域II 時，D1與D2 的狀態分別為何？

在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？

如圖所示整流電路，D1 耐壓至少為多少？

如圖所示二極體電路，若所有二極體為理想二極體，則電路中電流I 為多少？

對於半波整流電路，若AC 電源頻率為60 Hz，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？

如圖所示電路，若VCC = 12 V，VCE = 12 V，則此電晶體的工作區為何？

如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓VA 皆為∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？

如圖所示之放大器電路，電晶體M1 之參數如下：Vth1 = 0.4 V，μn1Cox = 200 μA/V2，且λ1 = 0，假設此電路之小信號輸入阻抗為50 Ω，直流偏壓電流ID = 1 mA，求電晶體M1 之W/L 值為何？

如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β = 120，VT = 26 mV，VBE(on) = 0.7 V 且爾利（Early）電壓VA = ∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？

如圖所示之電路，假定β = 100 且VBE(on) = 0.7 V，若電晶體之直流工作點VCEQ = 5 V 且ICQ= 10 mA，求RB 之值為何？

如圖所示之共射極放大器，IC = 1 mA 且VBE = 0.8 V。假設電晶體於飽和時之VCE(sat) = 0.3 V，請問在保持放大器的正常操作下，RL 最大的可允許值為何？

請問下列何種電路架構為反相放大器？

如圖所示為一MOSFET 疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？

若PNP 型雙極性電晶體（BJT）之IB = 0.1 mA，IE = 6 mA，且β = 99，則：

如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻VR 的大小使下列何者為0 時，可測得JFET 之夾止電壓（VP）？

如圖所示為史密特觸發電路及其輸入-輸出轉移特性曲線，其中OPA 為理想，若R2 為3 kΩ，則R1的電阻值約為多少？

如圖所示電路為由理想OPA 構成的雙穩態振盪器，輸入vI 為-5 及1 伏特時都無法改變輸出vO 的原始儲存值（無論是+12 或-12 V），則電路中的偏壓電源VR 可能為下列那一電壓值？

如圖所示韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），其所產生的波形為下列何者？

如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？

如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的β = 100，NPN 電晶體的VBE,active 與PNP 電晶體的VEB,active 均為0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極電流，VT = 25 mV 並忽略爾利效應（Earlyeffect），求小信號增益vo/vi？

如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知R = 10 kΩ，C = 16 nF，請問使此電路產生振盪的基本條件R2/R1 值應為多少？

如圖所示之非穩態電路，輸出vo 的飽和電壓在± 10 V，其R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ且C = 0.01 μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（threshold voltage）轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間？

承上題，試問振盪頻率fo 為多少？