電子工程 107 年電子元件考古題

㈠分析pn 接面順偏電流-電壓特性時，會假設在空乏區之外的是準中性 區（quasi-neutral region, QNR）。說明此區域的特性。（10 分） ㈡若不假設上述區域是中性區，該如何分析pn 接面的順偏電流-電壓特 性？（10 分）

雙擴散npn-BJT 的摻雜濃度分布如下圖所示，說明基極區濃度分布對元 件特性的影響。（20 分）

長通道 n-MOSFET 在 VGS>VT 時的電流- 電壓關係是 ( ) [ ] 2 DS DS T GS ox n D V V V V 2 /2L) C (Wμ I − − = ，在VGS<VT 時的電流-電壓關係是 /kT)] eV exp( [1 /kT)] [exp(eV ~ I DS GS D − − × 。列出四種以電流-電壓關係萃取 MOSFET VT 的方法，並說明之。（20 分）

要提高接面型場效電晶體（JFET）的夾斷電壓（pinch-off voltage）該如 何設計元件？（20 分）

一個n-MOSFET 操作在飽和區時，其本身包含了那些寄生的被動元件和 主動元件？逐一說明這些寄生元件在結構上的位置和操作狀態。（20 分） Nd n-type collector Na p-type base Nd n-type emitter x