電子工程 105 年電子元件考古題

霍爾量測（Hall measurement）是一種常用於決定半導體中載子（carrier）的種類與濃 度的方法，請畫圖說明霍爾量測的原理，並說明霍爾量測如何決定半導體中載子的 種類與濃度。（20 分）

㈠物理氣相沉積（physical vapor deposition; PVD）與化學氣相沉積（chemical vapor deposition; CVD）均是在半導體製程中常用於薄膜沉積的方法，就一般而言，請說 明這兩種沉積方法的不同，並指出其各有何優點。（10 分） ㈡在積體電路製程中，請說明什麼是擴散阻障層（diffusion barrier），並舉例說明有 那些材料可作為擴散阻障層。（10 分）

㈠請畫出npn 雙極性接面型電晶體（bipolar junction transistor; BJT）操作在順向動作 區（forward active region）時之能帶圖（energy band diagram）。（10 分） ㈡請畫出此電晶體在此操作區之少數載子分布圖。（10 分）

㈠請說明何謂閘流體（Thyistor）？並請畫出其基本結構。（10 分） ㈡請畫出一個典型的閘流體的電流-電壓（I-V）特性曲線圖，並說明此閘流體的操 作原理。（10 分）

㈠若是在p 型基板上製作一個金屬-氧化層-半導體的金氧半電容（MOS Capacitor） 元件，請畫出此基板金氧半電容之高頻MOS 電容-電壓曲線，並對此曲線的每一 部分進行說明。（10 分） ㈡如果上述電容-電壓曲線是使用較低的頻率去進行量測，則所獲致之電容-電壓曲線 會有何改變？（10 分）