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電子工程·113 年·電子元件第 1/5 題

電子工程 113 年電子元件考古題

5 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

跨年同科91-115

1151145 題 1135 題 1124 題 1115 題 1105 題 1095 題1080 題1075 題1060 題1055 題1040 題1035 題 1025 題1010 題1000 題995 題980 題975 題960 題950 題945 題930 題920 題915 題

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。

試題5 題

113 年申

第 1 題

何謂蕭特基二極體？在此元件中，需有兩個電極，請說明此兩個電極與半導體之接觸須符合什麼關係。（20 分）

113 年申

第 2 題

請畫出目前高效率之發光二極體基本結構，請說明其發光區在何處。（20 分）

113 年申

第 3 題

何謂HEMT？以GaN 系列為例，請畫出其基本結構，並說明各層之功能。（20 分）

113 年申

第 4 題

那一種電晶體結構既符合省電又符合高速傳輸之功能。（20 分）

113 年申

第 5 題

請說明太陽能電池之工作原理，若以電流-電壓關係圖，其工作區域為何，請畫出並請說明為什麼？（20 分）