電子工程 105 年電子學大意考古題｜40 題含解答【免費下載】- 法律人

105 年選

第 1 題

有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？

(A)直流偏壓在主動區

(B)輸入電流為零

(C)共模輸出訊號是無限大✓ 正解

(D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源

105 年選

第 2 題

如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當Vi = 0.2 V 時，求流經R2電流為多少？

(A)2 μA

(B)10 μA✓ 正解

(C)20 μA

(D)0.2 mA

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第 3 題

如圖所示CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容CL = 1 pF，若輸入訊號vI 之交換頻率為1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？

(A)3 μW

(B)6 μW

(C)11 μW✓ 正解

(D)14 μW

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第 4 題

場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於：

(A)本體效應（Body effect）

(B)通道長度調變效應（Channel length modulation effect）✓ 正解

(C)溫度效應（Temperature effect）

(D)密勒效應（Miller effect）

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第 5 題

雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm 定義為：

(D)vCE= VCE∂iC∂vCEiC= IC∂iC∂vBEiC= IC∂iC∂vCBiC= IC∂iB∂vBER1R2ViVo+3.3 VvICL = 1 pF－＋

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第 6 題

如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為V14±，在其飽和前，iL 的最大值約為何？

(A)4.7 mA

(B)4 mA

(C)2 mA

(D)1.4 mA✓ 正解

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第 7 題

下列那一個元件的端點數最多？

(A)電阻

(B)二極體

(C)雙極性接面電晶體

(D)MOS 電晶體✓ 正解

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第 8 題

有關P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？

(A)溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大

(B)溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大✓ 正解

(C)雜質濃度較濃之一側，空乏區較小

(D)逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）

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第 9 題

如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當Vi = 11 V 時，Vo 為多少伏特？

(A)-11

(B)-9

(C)-7✓ 正解

(D)-5

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第 10 題

如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的VZ = 6 V，崩潰的最小工作電流IZK = 2 mA，欲稽納二極體在崩潰區工作，有關電阻RL 的敘述，下列何項正確？

(A)最大值為1 kΩ

(B)最小值為1 kΩ✓ 正解

(C)最大值為750 Ω

(D)最小值為750 Ω3 kΩiL7 kΩ－＋vI500 ΩRLVZ＋－10 VViVo20 kΩ10 kΩ10 kΩ5 V5 VD1D2＋＋－－

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第 11 題

如圖所示電路，輸入電壓vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？

(A)0.2 V

(B)2 V✓ 正解

(C)6 V

(D)10 V

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第 12 題

當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？

(A)崩潰（Breakdown）區✓ 正解

(B)順向偏壓區

(C)逆向偏壓區，但尚未崩潰

(D)原點

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第 13 題

如圖所示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓、vO 為輸出電壓，本電路為：

(A)濾波電路

(B)箝位電路✓ 正解

(C)截波電路

(D)倍壓電路

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第 14 題

二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？

(A)不變

(B)變寬✓ 正解

(C)變小

(D)不一定

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第 15 題

有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？

(A)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差180°

(B)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差0°

(C)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差0°

(D)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差180°✓ 正解

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第 16 題

雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益α = 0.98，試問：其共射極電流增益β 為多少？

(A)49✓ 正解

(B)70

(C)98

(D)198

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第 17 題

如圖所示電路，當輸入電壓vI = 0 時，輸出電壓vO 為：

(A)+VCC

(B)0

(C)-0.7 V✓ 正解

(D)-VCC10：12.2 kΩ 50 μFvivo＋－vOvIC＋－+VCCvIvOIRL－VCC

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第 18 題

如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體β = 100，電流I = 1 mA，則電壓增益Av 約為若干？

(A)-40

(B)-20

(C)-10

(D)-5✓ 正解

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第 19 題

如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？

(A)增加Vbias 將提高放大器之電壓增益✓ 正解

(B)增加C 值可降低放大器之低頻3-dB 頻率ωL

(C)增加電晶體之W/L 可提高放大器之電壓增益

(D)增加RL 可提高放大器之電壓增益

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第 20 題

在下列MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？

(A)共源（CS）放大器

(B)共閘（CG）放大器✓ 正解

(C)共汲（CD）放大器

(D)疊接（Cascode）放大器

105 年選

第 21 題

如圖所示電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為10 mA/V，電晶體之β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出阻抗（Ro）約為多少？

(A)2.5 kΩ

(B)4.5 kΩ

(C)6.5 kΩ

(D)8.5 kΩ✓ 正解

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第 22 題

雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：

(A)BE 間逆偏，CB 間順偏

(B)BE 間順偏，CB 間逆偏

(C)BE 及CB 間均逆偏✓ 正解

(D)BE 及CB 間均順偏VDDIbiasVDDVoViVbiasRLC－＋VCC10 kΩVo1 kΩQ1ViRo－VEE+VCC2 kΩ∞vo2 kΩ175 Ω500 kΩ∞∞viRinI＋－

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第 23 題

如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，輸出阻抗（ro）為10 kΩ，其增益值Vo / Vi 為何？

(A)10 V/V

(B)5 V/V

(C)2.5 V/V✓ 正解

(D)1.25 V/V

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第 24 題

一個長通道N 增強型MOSFET，Vth = 1 V，當VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當VGS = 2 V、VDS = 4.5 V 時，ID 為何？

(A)0.8 mA

(B)0.4 mA

(C)0.2 mA✓ 正解

(D)0.1 mA

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第 25 題

一N 通道增強型MOSFET 的Vt = 2 V，若VG = 3 V 且VS = 0 V，又此元件工作於三極區（TriodeRegion），則汲極的電壓VD 約為：

(A)2.5 V

(B)2.0 V

(C)1.5 V

(D)0.5 V✓ 正解

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第 26 題

若MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？

(A)電流ID 越大，則轉導值（gm）越小✓ 正解

(B)Cgs＞Cgd

(C)ID 越大，ro 越小

(D)過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大

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第 27 題

有關MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？

(A)單一增益頻率值與外部電路元件相關

(B)單一增益頻率值與轉導值成反比

(C)共源極架構中短路電流增益為1 時之頻率✓ 正解

(D)共源極架構中開路電壓增益為1 時之頻率

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第 28 題

共源極放大器之低頻3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？

(A)輸入端耦合電容

(B)輸出端耦合電容

(C)源極旁路電容✓ 正解

(D)電晶體內部電容

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第 29 題

某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容C1 = 2 pF，其電壓增益為VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為C2，試求C2 / C1 的比值？

(A)接近0

(B)接近1✓ 正解

(C)接近50

(D)接近100

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第 30 題

已知A 及B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1 及A2，輸入阻抗分別為Ri1 及Ri2，輸出阻抗分別為Ro1 及Ro2；若將A 的輸出端連接至B 的輸入端，則整體的電壓增益為何？

(A)A1+A2

(B)A1A2

(C)A1A2212ioiRRR+✓ 正解

(D)A1A22121ooiiRRRR++

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第 31 題

一直流增益80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為ft = 10 MHz，被用來設計一直流增益為100 的非反相放大器，求此非反相放大器的單一增益頻率值？

(A)100 kHz

(B)1 MHz

(C)10 MHz✓ 正解

(D)100 MHzVDD10 kΩVoVi1 kΩ1 kΩVbM1＋－

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第 32 題

有一差動放大器，其一端輸入Vi1 = 100 μV，另一端輸入Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益Ad 為100，而共模拒斥比（CMRR）為10，則其輸出電壓為何？

(A)2.75 mV

(B)3.75 mV

(C)4.75 mV

(D)5.75 mV✓ 正解

105 年選

第 33 題

如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（gm）為10 mA/V，β = 40。若忽略元件之輸出阻抗（ro），試求Vo / Vi 之值？

(A)-400

(B)-100

(C)-80✓ 正解

(D)-40

105 年選

第 34 題

如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？

(A)1k rad/s

(B)2k rad/s✓ 正解

(C)5k rad/s

(D)10k rad/s

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第 35 題

如圖所示低通濾波器電路之3 分貝（或截止）頻率約為多少？

(A)3 kHz

(B)5 kHz

(C)6 kHz

(D)8 kHz✓ 正解

105 年選

第 36 題

有關Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？

(A)可濾除高頻信號

(B)濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率

(C)當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性✓ 正解

(D)當階數愈高，通帶的平坦性愈佳VDD10 kΩViVb＋－M1Q1Vo20 kΩ10 kΩ20 kΩ20 kΩ25 nF25 nF＋－Vo0.01 μFVo＋－－C1Vi2 kΩ 2 kΩ C20.01 μFR2R1R3R45.86 kΩ10 kΩ

105 年選

第 37 題

如圖所示波形產生電路，U1 為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容C 兩端電壓VC 可能之波形，下列敘述何者正確？

(A)接近正弦波

(B)接近方波

(C)接近三角波✓ 正解

(D)接近一直流準位

105 年選

第 38 題

如圖所示差動對電路，電晶體之β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當vB1 = vB2 = 0 時，iC1(iC2)之值約為何？

(A)0 mA

(B)0.01 mA

(C)1 mA✓ 正解

(D)2 mA

105 年選

第 39 題

如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，忽略其輸出阻抗（ro），該放大器之高頻3-dB 頻率（ωH）為何？

(A)1 GHz

(B)20 MHz

(C)1.59 MHz

(D)318 kHz✓ 正解

105 年選

第 40 題

如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro，則此放大器的輸出電阻RO 約為何？

(A)RC✓ 正解

(B)RE

(C)ro+ RC

(D)ro+ RER1R2Vo＋－R3U1＋－VCCVCCRCvC2vIvB2－＋IVEEiC2iC1RCvC1vB1＋－VDD0.1 pFVO1 kΩVi1 nFM110 kΩIVb＋－+VCCRCvOvIRORE