電子工程 99 年電子學大意考古題
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試題40 題
99 年選
第 1 題如下圖中,將OR 閘的輸出回授到輸入,此電路將可得到那項功能?
(A)微分✕ 你選的
(B)積分✕ 你選的
(C)記憶✓ 正解✕ 你選的
(D)放大✕ 你選的
99 年選
第 2 題承上題圖中若加上AND 閘,如下圖所示,此時AND 閘的B 輸入端對整個電路的輸出有何功用?
(A)微分✕ 你選的
(B)積分✕ 你選的
(C)記憶消除✓ 正解✕ 你選的
(D)放大✕ 你選的
99 年選
第 3 題如圖所示之串級電路,已知β1=β2=50,則此放大器的輸入阻抗(Ω)為:
(A)1 k✕ 你選的
(B)50 k✕ 你選的
(C)100 k✕ 你選的
(D)2500 k✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 4 題下列電路Q1及Q2操作於何種區域?(提示:ID=Kn(VGS-Vtn)2)
(A)Q1,Q2皆線性區✕ 你選的
(B)Q1飽和區,Q2線性區✕ 你選的
(C)Q1,Q2皆飽和區✕ 你選的
(D)Q1線性區,Q2飽和區✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 5 題承接前一題電路,其VO值約為:
(A)1 V✕ 你選的
(B)2 V✓ 正解✕ 你選的
(C)3 V✕ 你選的
(D)4 VVCC=12 VVo+-RE=1 kΩ+Vi-Q1Q2VDD=5 V5 VVO+-Kn2=50 mA/V2Vtn2=2 VKn1=10 mA/V2Vtn1=2 VQ2Q1VG1ABZ輸入輸出✕ 你選的
99 年選
第 6 題對n通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)與p通道金氧半場效電晶體(P-MOSFET)之臨界電壓(threshold voltage)V 的敘述,下列何者正確?t
(A)常閉(normally off)NMOS之V >0,而常通(normally on)PMOS之V <0tt✕ 你選的
(B)常通NMOS之V >0,而常通PMOS之V <0tt✕ 你選的
(C)常閉PMOS之V >0,而常通PMOS之V <0tt✕ 你選的
(D)常閉NMOS之V >0,而常通PMOS之V >0tt✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 7 題在矽晶接面二極體中,若增加p 型區和n 型區的摻雜濃度,下面那一項物理量會隨之上升?
(A)空乏區厚度✕ 你選的
(B)內建電壓(Built-in potential)✓ 正解✕ 你選的
(C)導通時的微分電阻✕ 你選的
(D)崩潰電壓✕ 你選的
99 年選
第 8 題如圖電路,設運算放大器為理想的,則電壓增益A =V為:/ VvOI
(A)-R2 / R1R2R1VIVO+-✕ 你選的
(B)+R2 / R1✕ 你選的
(C)-(R1+R ) / R21✕ 你選的
(D)+(R1+R ) / R21✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 9 題理想運算放大器具有虛擬短路(Virtual short circuit)性質,主要是由於下列何種特性所造成?
(A)具有零輸出阻抗✕ 你選的
(B)具有無窮大的輸入阻抗✕ 你選的
(C)具有無窮大的頻寬✕ 你選的
(D)具有無窮大的開迴路電壓增益✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 10 題在雙極性接面電晶體(BJT)直流偏壓電路下,就熱穩定特性而言,下列何者正確?
(A)溫度增加,IC值降低,VCE降低✕ 你選的
(B)溫度增加,IC值增加,VCE降低✓ 正解✕ 你選的
(C)溫度增加,IC值降低,VCE增加✕ 你選的
(D)溫度增加,IC值增加,VCE增加✕ 你選的
99 年選
第 11 題在雙極性接面電晶體(BJT)的小信號等效電路中,其傳輸電導(transconductance)gm與其大信號直流操作電流IC及大信號直流操作電壓VCE之關係為何?
(A)gm會隨I 的增加而增加✓ 正解✕ 你選的
(B)gCm會隨I 的增加而減少C✕ 你選的
(C)gm會隨V的增加而增加✕ 你選的
(D)gCEm會隨V的增加而減少CE✕ 你選的
99 年選
第 12 題相較於傳統的電流源結構如圖1 所示,今有一威德勒電流源(Widlar current source)如圖2 所示,其中兩顆BJT電晶體均工作在主動區(active region),集極電流(Ic)與基-射極間電壓(VBE)呈對數函數關係,即⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛=SCTBEIIVVn1,其中VT=kT/e是熱電壓(thermal voltage),在室溫時VT約為25 mV,Is為飽和電流。下列對威德勒電流源特性與傳統電流源比較的描述何者正確?VDDIOIREFR1ROQ1Q2GND圖1GND圖2Q2Q1ROIOIREFR1VDDR2
(A)威德勒電流源可以產生極大的電流源IO✕ 你選的
(B)威德勒電流源可以產生極小的電流源IO✓ 正解✕ 你選的
(C)威德勒電流源可以產生極穩定的輸出電壓✕ 你選的
(D)威德勒電流源可以產生極小的輸出電阻RO✕ 你選的
99 年選
第 13 題為減少積體電路的功率損耗,下列那種電路最省能源?
(A)CMOS 電路✓ 正解✕ 你選的
(B)NMOS 電路✕ 你選的
(C)TTL 電路✕ 你選的
(D)ECL 電路✕ 你選的
99 年選
第 14 題一個不穩態多諧振動器(astable multivibrator)的輸出波形,一般為:
(A)方波✓ 正解✕ 你選的
(B)三角波✕ 你選的
(C)脈波✕ 你選的
(D)正弦波✕ 你選的
99 年選
第 15 題如圖所示為555 計時器IC 所組成之電路,則下列敘述何者錯誤?+VccVoR1R2C2C148376215555計時器+-- +121)2(44.1CRR +
(A)為一個非穩態振盪器✕ 你選的
(B)振盪頻率為%1002211×+ RRR✕ 你選的
(C)V 輸出為方波✕ 你選的
(D)工作週期(Duty Cycle)為o✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 16 題如圖所示的振盪器電路,其功能為何?+-RV+V-CR1R2vo
(A)三角波振盪器✕ 你選的
(B)方波振盪器✓ 正解✕ 你選的
(C)鋸齒波振盪器✕ 你選的
(D)弦波振盪器✕ 你選的
99 年選
第 17 題在MOSFET 電路中,對於共汲(Common drain)放大器的米勒效應(Miller effect)的敘述何者正確?
(A)共汲放大器的米勒效應大是因為其負載電阻大的關係✕ 你選的
(B)共汲放大器的米勒效應小是因為輸出端與輸入端無寄生電容的關係✕ 你選的
(C)共汲放大器的米勒效應大是因為其電流增益大的關係✕ 你選的
(D)共汲放大器的米勒效應小是因為其電壓增益小的關係✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 18 題由一個MOSFET 組成的共汲極(又稱源極隨偶器)電路,其小信號電壓增益為何?
(A)大約為 +1✓ 正解✕ 你選的
(B)大約為 -1✕ 你選的
(C)大約為零✕ 你選的
(D)為無窮大✕ 你選的
99 年選
第 19 題齊納二極體(Zener diode)具備下列何種應用功能?
(A)倍壓器✕ 你選的
(B)方波產生器✓ 正解✕ 你選的
(C)整流器✕ 你選的
(D)諧振器✕ 你選的
99 年選
第 20 題一差動放大器(Differential amplifier)之共模拒斥比CMRR=80 dB、差模增益Ad=1000,假設此差動放大器之差模輸入訊號Vd=0.02 V、共模輸入訊號V =10 V;則此差動放大器之輸出電壓為:c
(A)10 V✕ 你選的
(B)20 V✕ 你選的
(C)11 V✕ 你選的
(D)21 V✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 21 題如圖所示電路,若其輸入電壓V 為方波,則其輸出電壓V 之波形為:iO
(A)三角波C+-RViVOVit✓ 正解✕ 你選的
(B)脈波✕ 你選的
(C)弦波✕ 你選的
(D)方波✕ 你選的
99 年選
第 22 題多級串接放大器之級數增加時,下列何者正確?
(A)頻寬越窄✓ 正解✕ 你選的
(B)穩定性越佳✕ 你選的
(C)輸入阻抗越高✕ 你選的
(D)輸出阻抗越小✕ 你選的
99 年選
第 23 題對共基極電路之描述,下列何者正確?
(A)功率增益最高✕ 你選的
(B)輸出阻抗最高✓ 正解✕ 你選的
(C)電流增益最高✕ 你選的
(D)輸入阻抗最高✕ 你選的
99 年選
第 24 題對於雙極性接面電晶體(BJT)工作在飽和區時,下列有關其接面偏壓狀況之敘述何者正確?
(A)集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓✓ 正解✕ 你選的
(B)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓✕ 你選的
(C)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面逆向偏壓✕ 你選的
(D)集基極接面順向偏壓而且射基極接面逆向偏壓✕ 你選的
99 年選
第 25 題在正常的npn 雙極性接面電晶體(BJT)結構中,那一層需要最薄?
(A)射極✕ 你選的
(B)基極✓ 正解✕ 你選的
(C)閘極✕ 你選的
(D)汲極✕ 你選的
99 年選
第 26 題下述有關交換函數之敘述,何者錯誤?
(A)A.1=A✕ 你選的
(B)A+1=1✕ 你選的
(C)A♁1=1✓ 正解✕ 你選的
(D)A♁0=A✕ 你選的
99 年選
第 27 題如圖所示之頻率響應的放大器,則此放大器為何種濾波器?
(A)低通增益頻率✕ 你選的
(B)高通✕ 你選的
(C)帶通✓ 正解✕ 你選的
(D)帶拒✕ 你選的
99 年選
第 28 題如圖所示的振盪電路,其輸出電壓VO的波形為:
(A)方波C+-+-RVOR2R1✕ 你選的
(B)梯形波✕ 你選的
(C)正弦波✕ 你選的
(D)三角波✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 29 題一放大器的電流增益=20 dB,電壓增益=20 dB,其功率增益=?
(A)0 dB✕ 你選的
(B)20 dB✕ 你選的
(C)40 dB✓ 正解✕ 你選的
(D)400 dB✕ 你選的
99 年選
第 30 題下圖是一個雙極性接面電晶體(BJT)放大器電路,假設C1、C2、CE三個電容值趨近於無窮大,則電容C 在此電路內扮演的角色為何?1CC1C2CEBE10 V-10 VI=2 mA4 kΩ10 kΩβ = 50vivo
(A)隔離信號vi與B極之間交流振幅的差異✕ 你選的
(B)隔離信號vi與B極之間直流準位的差異✓ 正解✕ 你選的
(C)隔離信號vi與B極之間有效(均方根)電壓的差異✕ 你選的
(D)耦合信號vi的有效(均方根)電流進入B極✕ 你選的
99 年選
第 31 題有一增強型n 通道的MOSFET 元件,指定其電壓參考極性與電流參考方向如下圖所示:今欲測量其電流-電壓特性曲線(I-V curve),則最正確的曲線圖為:GDBS+iDvDSvGS+--
(D)vDSiDiDiDvDSiDvDSvDS✕ 你選的
99 年選
第 32 題下圖是下列那個元件的特性曲線?平方υV0i (υ-V0)2i∝
99 年選
第 33 題下圖所示之電路中,若齊納二極體(Zener diode)之齊納電壓(Zener voltage)為10 V,則流經Rload之輸出電流為何?1 kΩ45 V500 ΩRload
(A)30 mA✕ 你選的
(B)20 mA✓ 正解✕ 你選的
(C)10 mA✕ 你選的
(D)0 mA✕ 你選的
99 年選
第 34 題圖1 為差動放大電路,若R =R12=20 kΩ、R3=5 kΩ、Q 及Q12具有相同的電性參數,且其低頻小信號等效電路如圖2 所示,則小信號電壓增益v / v 約為:oi
(A)22+--+圖1圖2+VCCR1R2R3VoViQ1Q2-VCCRin0.5 mABCib100 ib100 ΩE✓ 正解✕ 你選的
(B)37✕ 你選的
(C)45✕ 你選的
(D)75✕ 你選的
99 年選
第 35 題承上題,圖1 中之等效小信號輸入阻抗Rin為:
(A)15 kΩ✕ 你選的
(B)20.2 kΩ✓ 正解✕ 你選的
(C)35 kΩ✕ 你選的
(D)42.7 kΩ✕ 你選的
99 年選
第 36 題如圖的運算放大器電路中,通常R 的值為:3
(A)R3=R+-R2R1VIVOR31✕ 你選的
(B)R3=R2✕ 你選的
(C)R3=R +R12✕ 你選的
(D)R3=R1∥R2✓ 正解✕ 你選的
99 年選
第 37 題迴轉率(Slew Rate)為10 V/μs 的運算放大器,所能產生振幅峰對峰值20 V 三角波的最大頻率為:
(A)500 kHz✕ 你選的
(B)250 kHz✓ 正解✕ 你選的
(C)150 kHz✕ 你選的
(D)125 kHz✕ 你選的
99 年選
第 38 題在雙極性接面電晶體(BJT)的特性曲線中,當IB電流固定時,IC電流隨著VCEB電壓增加而增加的現象稱為:
(A)穿透效應(Punch-through Effect)✕ 你選的
(B)厄力效應(Early Effect)✓ 正解✕ 你選的
(C)體效應(Body Effect)✕ 你選的
(D)崩潰效應(Breakdown Effect)✕ 你選的
99 年選
第 39 題有一個由兩級相同的帶通放大器串接而成的放大電路,單一級的高頻截止頻率為10 kHz,低頻截止頻率為160 Hz,則此串接電路的總頻寬約為:
(A)6.15 kHz✓ 正解✕ 你選的
(B)10.15 kHz✕ 你選的
(C)12.15 kHz✕ 你選的
(D)15.15 kHz✕ 你選的
99 年選
第 40 題下列那一種放大器具有很低之輸入阻抗?
(A)共集極(common collector)放大器✕ 你選的
(B)共源極(common source)放大器✕ 你選的
(C)共汲極(common drain)放大器✕ 你選的
(D)共閘極(common gate)放大器✓ 正解✕ 你選的