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電子工程·115·電子學概要1/4

電子工程 115電子學概要考古題

4 題申論題資料來源:考選部下載 .txt
跨年同科91-115

題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。

試題4
115
1

有一個理想運算放大器(Operational Amplifier)電路如圖一所示,輸入 電壓信號分別為V1(t)與V2(t),輸出電壓信號為Vo(t)。電路中R = 20 k, C = 3 F,假設初始時間電容器C 中沒有電荷。請計算Vo(t)。(25 分) - + C R V1 (t) Vo (t) V2 (t) R C 圖一

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2

請使用CMOS 電路實現布林函數ܻ= (ܣܤ+ ܥ)ܦ+ ܧ。(25 分)

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3

圖二為一個NMOS 場效電晶體(FET)電路,電晶體Q1、Q2 與Q3 的參數 如下:所有電晶體的kn' = nCox = 500 A/V2,Vtn = 0.5 V,1 = 2 = 3 = 0, L1 = L2 = L3 = 0.5 m,W1 = 2 m,W2 = W3 = 10 m。當IREF = 50 A 時, R 值為何?IREF = 50 A 時,同時計算V1、V2、V3 與I2。(25 分) 圖二

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4

有一個串並(Series-Shunt)回授放大器電路如圖三所示,所有電晶體均工作 在飽和區(Saturation Region)。為計算方便,未顯示其偏壓電路。NMOSFET 電晶體Q1 與PMOSFET 電晶體Q2 的參數如下:gm1 = gm2 = 5 mA/V, ro1 = ro2 = 。電路中,RD1 = 10 k,RD2 = 10 k,R1 = 2 k,R2= 18 k。 請計算:電壓增益vo/vs、輸入電阻Rin 與輸出電阻Rout。(25 分) vs + - Q1 Q2 RD1 RD2 R2 R1 vo Rin Rout 圖三 Q1 Q2 Q3 V1 IREF R I2 6kΩ V3 V2 +2V -2V

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