電子工程 106 年電子學概要考古題

下圖電路利用三個相同特性的二極體（Diode）所組成的電路，其中二極體具有飽和 電流（saturation current） A 10 14 - = SI 。（二極體電流 T D/V V S D e I I = ，其中 D V 為其電壓 和 mV 25 = T V 。） ㈠如圖1(a)，若輸出電壓Vo = 2 V，求出電流I 的值為何？（10 分） ㈡如圖1(b)，其中 Ω = k 10 R ，則輸出電壓Vo 的值為何？（10 分） I o V 圖1(a) R o V 圖2(a) 3V +

對於下圖放大器電路，其中所使用BJT 電晶體的特性為 100 = β 、 mV 25 = T V 和 V 7.0 (ON) = BE V 以及 V 5 = CC V 、 mA 5.0 = EE I 、 Ω = 50 sig R 、 Ω = k 12 C R 和 Ω = k 12 L R 。 ㈠計算輸入電阻 in R 及輸出電阻 out R 。（10 分） ㈡計算整體電壓增益 sig out V / V 。（10 分） ∞ ∞ in R sig V sig R EE I C R CC V out R out V L R I R +3 V Vo Vo 圖1(a) 圖1(b) VCC RC RL Vout Rout Rsig Rin Vsig IEE 106年特種考試地方政府公務人員考試試題 等 別： 四等考試 類 科： 電力工程、電子工程、電信工程 科 目： 電子學概要

下圖為Class B 輸出級電路（假設電晶體 P N β β = ），其中電源 V 5 = CC V 和負載 Ω = 4 L R 。 ㈠假使輸出為正弦波，峰值 V 5 3. Vpeak = ，計算輸出負載功率（ L P ）、電源所提供的 平均功率（ S P ）、以及功率轉換效率（Power-conversion efficiency）。（10 分） ㈡當輸出大小改變，此輸出級電路的平均功耗為 L S D P P P − = ；請問電路最大平均功 耗 max D P 為何？此時功率轉換效率為何？（10 分） out V L R CC V + CC V − in V N Q P Q peak V

下圖迴授（feedback）電路，忽略電晶體的通道調變效應（channel-length modulation effect），所有電晶體的轉導（transconductance）都為gm，以及四個電阻RD1、RS1、RD2 和RF。 ㈠請說明開迴路（open loop）電路分析。（10 分） ㈡求出此電路的小訊號增益 in out v V / V A = 。（5 分） ㈢求出此電路的輸出電阻 out R 。（5 分） （以上答案，以gm、RD1、RS1、RD2 和RF 表示。） DD V 1 D R F R 1 S R 2 D R out V in V out R

在CMOS 半導體製程中，請用電晶體PMOS 和NMOS 來設計一個三輸入的反或閘 （NOR）邏輯電路；並說明對於此邏輯電路的NMOS 和PMOS 尺寸（W/L）的設計 考量。（20 分） （注意：PMOS 電路和NMOS 電路採用對偶方式設計） +VCC -VCC Vout Vin QN QP RL Vpeak VDD Vout Vin Rout RF RD1 RS1 RD2