電子工程 106 年高等電子電路學研究考古題

如圖（一）之雙極性接面電晶體（BJT）放大電路，電晶體參數為：β = 100、VA = ∞， 電容器CC1 = CC2 = 1 pF。試求： ㈠電晶體參數rπ =？（10 分） ㈡電壓增益AV = vo/vs =？（10 分） ㈢電流增益Ai = io/is =？（10 分） 圖（一）

如圖（二）為CMOS 差動放大器電路，IQ = 0.2 mA。PMOS 電晶體M1 及M2 的參數 為：Kp = 0.5μpCox(W/L)p = 0.1 mA/V2、λp = 0.015 V-1、VTP = -1 V。NMOS 電晶體M3 及M4 的參數為：Kn = 0.5μnCox(W/L)n = 0.1 mA/V2、λn = 0.01 V-1、VTN = 1 V。試求： ㈠輸出阻抗Ro =？（10 分） ㈡開路差動模式之電壓增益（open-circuit differential-mode voltage gain）？（10 分） 圖（二） CC1 CC2 vo is io vs V += +16 V V -= -6 V RL=6 kΩ RE =2 kΩ RS =0.5 kΩ RC =6 kΩ RB = 10 kΩ V -= -10 V V += +10 V vo v1 v2 IQ M1 M2 M3 M4 Ro 106年公務、關務人員升官等考試、106年交通 事業鐵路、公路、港務人員升資考試試題 代號：16130 等 級： 簡任 類科（別）： 電子工程、電信工程 科 目： 高等電子電路學研究（包括類比與數位）

如圖（三）之NMOS 數位電路，電晶體ML、MX 及MY 具有相同之μnCox 值，另相關 參數為：(W/L)X =(W/L)Y = 5、(W/L)L = 2、VTNX = VTNY = 0.8 V、VTNL = -1.5 V，且忽略 基體效應（body effect）。如果vX = vY = 5 V，試求： ㈠vo =？（10 分） ㈡vGSX及vGSY分別為何？（10 分） 圖（三）

邏輯函數 CE) A(BD Y + = ： ㈠試設計繪製一具有該邏輯函數之CMOS 電路圖。（20 分） ㈡如果一基本CMOS 反相器（inverter）之電晶體參數值：(W/L)n = 2、(W/L)p = 4，如 欲使㈠之CMOS 電路具有對稱之切換時間、且兩倍於該基本CMOS 反相器之切換 速度，試求㈠之CMOS 電路中，每一NMOS 及PMOS 電晶體之(W/L)值，分別為 何？（10 分） MX ML MY vX vY vo VDD =5 V