電子工程 98 年電子學概要考古題

㈠在室溫下，對於一個本質（intrinsic）或低濃度的n 型半導體，如果溫度上升，請 問此半導體的電阻會如何變化？是上升？或下降？還是不變？請解釋你的答案。 （10 分） ㈡在室溫下，對於一個p-n 二極體，如果溫度上升，請問此p-n 二極體的截止電壓 （cut-in）或臨界電壓會如何變化？是上升？或下降？還是不變？請解釋你的答 案。（10 分）

對於一理想運算放大器，試求以輸入電壓v1與v2表示下圖運算放大器電路的輸出電 壓vO。（20 分） （請接背面）

對於下圖的雙極性電晶體（BJT）電路，假設電晶體的電流增益β = 100，計算流經 1 kΩ電阻的電流值與基極端的電壓值。（20 分） Q1 +5 V +5 V 10 kΩ 1 kΩ Q2 R2 v2 v1 R4 R3 R1 - + vO - + -5 V 98年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 代號：41530 類 科： 電子工程

對於下圖的金氧半電晶體（MOSFET）電路，假設電晶體的參數Vt = 2 V，K = 0.25 mA/V2， 及 ro = ∞，求在源極端的輸出直流電壓VO與自源極端所看進去的小訊號電阻。（20 分） +10 V +4 V Rin 1 mA VO

對於下圖的差動放大器（differential amplifier）電路，假設電晶體的電流增益β = 100， 計算此電路的電壓增益與輸入電阻。（20 分） Q1 +10 V 0.5 mA Q2 vo Ri 20 kΩ 200 Ω 200 Ω vi