電子工程 98 年積體電路技術研究考古題

5 題申論題資料來源：考選部下載 .txt

跨年同科91-115

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題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。

試題5 題

98 年申

第 1 題

何謂silicide？何謂salicide？試繪圖說明形成silicide 的重要步驟。（20 分）

98 年申

第 2 題

試繪出SoI（silicon-on-insulator）CMOS 元件的基本結構，並說明其重要特性。（20 分）

98 年申

第 3 題

何謂triple-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明triple-well 的結構。（20 分）

98 年申

第 4 題

何謂reticle？與傳統的mask 比較下，它具有何重要特性？（20 分）

98 年申

第 5 題

請解釋下列名詞：（每小題5 分，共20 分）㈠Ion channeling effect ㈡MEMS（microelectromechanical system）㈢OPC（optical proximity correction）㈣SiGe-Base transistor