電子工程 112 年積體電路技術考古題

一般CMOS 的NAND 基本邏輯閘具有兩個輸入端x 與y，以及一個輸 出端f，請使用nMOS 與pMOS 電晶體畫出此邏輯閘的電路圖，並說明 其工作原理。又請指出那些電晶體會有body effect，請說明原因。（25 分）

在CMOS 積體電路製程中常用的絕緣體有氮化矽（Si3N4）與二氧化矽 （SiO2），請解釋為何不使用純的氮化矽為閘極的絕緣層材料？並請解釋 使用二氧化矽為閘極絕緣層材料在新世代積體電路製程中所面臨的瓶 頸為何？（25 分）

在目前的積體電路製程中，除了使用p-well 與n-well 的twin-well 分別 置放nMOS 與pMOS 電晶體之外，也常用淺溝槽隔離（shallow trench isolation, STI）來隔離電晶體。請說明淺溝槽隔離的製造流程。（25 分）

波長為193 nm 的深紫外光光源一直使用到7 nm 的製程，而後在5 nm 以後的製程中才廣泛使用13.5 nm 的極紫外光當作光源。請說明有那些 解析度增強技術的組合使用，讓193 nm 的深紫外光光源能夠一直使用 到7 nm 的製程中。（25 分）