電子工程 112 年電子學大意考古題

下列積體電路其包含的邏輯閘數目何者最多？ (A)LSI (B)VLSI (C)MSI (D)SSI

電壓1v (t)5cos(πt45 )及

相較於Si、GaAs 半導體材料，SiC、GaN 具備下列何種特性？ (A)窄能隙 (B)低遷移率 (C)高崩潰電壓 (D)低導熱率

電壓v1(t) = 5sin(πt/4)伏特，f(t)如圖所示，v2(t)為v1(t)與f(t)相乘。當0≦t≦8 時，v2(t)的平均電壓為多少伏特？ (A)25/π (B)50/π (C)75/π (D)100/π

v (t)5sin(πt45 )，則兩電壓之相位差為多少度？ (A)2v 電壓領先1v 電壓45° (B)2v 電壓落後1v 電壓90° (C)2v 電壓落後1v 電壓45° (D)2v 電壓領先1v 電壓90°2某矽二極體在溫度20℃時的逆向飽和電流為5 nA，若溫度上升至50℃時，則逆向飽和電流約為何？ (A)20 nA (B)30 nA (C)40 nA (D)50 nA

有關矽二極體材料之敘述，下列何者錯誤？ (A)施體（Donor）雜質具有5 個價電子 (B)經過摻雜（Doping）處理的半導體稱為本質（Intrinsic）半導體 (C)N 型材料的多數載子是電子 (D)P 型材料的少數載子是電子

二極體電路如圖所示，二極體的導通電壓為0.6 V，流經電阻的電流值I 為下列何者？ (A)0.06 mA (B)0.16 mA (C)0.25 mA (D)0.35 mA

在矽半導體材料中，摻雜三價元素的雜質，熱平衡下此半導體形成何種型式？半導體內多數載子為何？此半導體呈現的電性為何？ (A)N 型半導體、電子、電中性 (B)N 型半導體、電子、負電 (C)P 型半導體、電洞、正電 (D)P 型半導體、電洞、電中性

下列何種情況元件的整體阻抗較低，易有較大電流發生？ (A)偏壓為零的二極體 (B)絕緣體 (C)順向偏壓且超過切入（cut-in）電壓的二極體 (D)逆向偏壓二極體

有關蕭特基（Schottky）二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)金屬與半導體形成接面二極體 (B)可應用於高頻電路 (C)元件特性為少數載子所主導 (D)矽基蕭特基二極體的切入電壓小於PN 二極體

雙極性接面電晶體（BJT）基極的厚度很薄，主要考量為何？ (A)增加基極電流 (B)減少集極電流 (C)減少由射極出發通過接面到達基極的載子被復合（recombination）的機會 (D)增加由基極通過接面到達集極的載子被復合（recombination）的機會

NPN 雙極性接面電晶體之特性，下列敘述何者正確？ (A)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值，也同時高於射極的主要載子濃度 (B)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值，但是卻低於射極的主要載子濃度 (C)集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值，但是卻高於射極的主要載子濃度 (D)集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值，也同時低於射極的主要載子濃度

共射極接法電晶體之α 值由0.98 變至0.99，則β 值的變化如何？ (A)由88 變為49 (B)由66 變為49 (C)由49 變為88 (D)由49 變為99

圖示之電路，雙極性電晶體β250，基-射極導通電壓BEV0.7 V，則其集-射極電壓VCE 約為何？ (A)5.52 V (B)6.52 V (C)7.52 V (D)8.52 V

NPN 雙極性接面電晶體，α= 0.96，在主動區操作，下列何者錯誤？ (A)β= 24 (B)電流比值IB/IE = 25 (C)VCE > 0 (D)電子流方向由射極到集極

如圖所示之電路，雙極性接面電晶體β 值均為199，VI=2.7V 時，VE 約為何？ (A)1.3 V (B)1.5 V (C)1.7 V (D)1.9 V

有一雙極性接面電晶體的電路符號如圖所示，當在順向主動區操作時，下列何者正確？ (A)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為復合電流 (B)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流 (C)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為復合電流 (D)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流

雙極性接面電晶體，基極和射極的順向導通電壓VBE= 0.7 V，基極和集極的順向導通電壓VBC = 0.5 V，各極提供的電壓如圖示，下列何者是在逆向主動區模式？ (A)VC = 4.8 V，VB = 3.2 V，VE = 1.6 V (B)VC = 3.0 V，VB = 3.5 V，VE = 5.2 V (C)VC = 3.8 V，VB = 5.5 V，VE = 3.6 V (D)VC = 5.3 V，VB = 3.4 V，VE = 4.8 V

如圖所示，vi = VDD 時，若負載電阻RD 變大，則v0 將會如何？ (A)增大 (B)降低 (C)不變 (D)為VDD

下列何者不是理想運算放大器的特點？ (A)輸入阻抗無窮大 (B)僅有一個輸入端 (C)輸出阻抗為零 (D)電壓增益無窮大VCC = +15 VR1R2RERC1 kΩ1 kΩ10 kΩ5 kΩ

P 通道加強型金氧半場效電晶體（MOSFET）的閘-源極電壓（VGS）在下列何種情況才能形成通道？（VT 為臨界電壓） (A)VGS>VT>0 (B)VT>VGS>0 (C)0>VT>VGS (D)0>VGS>VT

承上題，當輸入電壓vi =0，且RD 負載電阻變大時，則v0 將為何？ (A)增大 (B)降低 (C)不變 (D)為零VEVIVDD

如圖所示場效電晶體電路，PV3 V，DSSI18 mA，GSV2 V，直流工作電壓DSV 為何？ (A)2 V (B)4 V (C)6 V (D)8 V

下列有關「絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）」之特性敘述何者錯誤？ (A)具有雙極性接面電晶體（BJT）的輸出特性 (B)與金氧半場效電晶體（MOSFET）相同，為電壓控制電流源元件 (C)其三個端點的名稱分別為閘極、集極、射極 (D)相較於雙極性接面電晶體（BJT）而言，其切換速度較慢

有關NPN 雙極性接面電晶體，若基極濃度增高，對於電流增益及爾利效應（Early Effect）之影響，下列敘述何者正確？ (A)電流增益變大且爾利效應較明顯 (B)電流增益變小且爾利效應較明顯 (C)電流增益變大且爾利效應較不明顯 (D)電流增益變小且爾利效應較不明顯

如圖所示，電晶體Q1 和Q2 的臨界電壓（threshold voltage）分別為Vt1 和Vt2，若Vt2 變大且Vt1 保持不變。IDDvV時，則0v 將如何變化？ (A)增大 (B)降低 (C)不變 (D)等於VDD

當增強型N 通道MOSFET 的汲極和源極間的通道呈線性電阻特性，下列何者錯誤？ (A)VGS 值大於臨界電壓值VTH (B)VGD 值大於臨界電壓值VTH (C)通道載子濃度受VGS 值影響 (D)汲極和源極間等效電阻值RDS 和閘極電壓值VGS成正比

下列何者具有最大的輸入阻抗？ (A)BJT 射極隨耦器 (B)BJT 達令頓組態 (C)JFET 共閘極組態 (D)MOSFET 共源極組態

運算放大器作為線性放大器使用，以負回授控制閉迴路電壓增益，下列敘述何者正確？ (A)可用電阻作為負回授 (B)可用電容作為負回授 (C)可用二極體作為負回授 (D)可用電晶體作為負回授

一低通濾波器，若時間常數很大時，此濾波器可作為下列何種應用？ (A)微分器 (B)積分器 (C)高通濾波器 (D)帶通濾波器

如圖所示理想運算放大器電路為減法器，R1/R2 比值為2，R3/R4 比值為5，V1=2V，V2=6V，VCC=15V，輸出電壓VO 為何？ (A)-1 V (B)1 V (C)-2 V (D)2 V

如圖所示電路，若運算放大器開路電壓增益A 為有限值，則iiiRv / i為何？ (A)Rf/(1+A) (B)Rf (C)Rf (D)Rf /(1+1/A)VDD = 10 VRD = 3 kΩRG = 1 MΩVGG = 2 VVDDQ2Q1v0vIviv0AiiiiRf

如圖所示之電路，R1=1 kΩ 且R2=4 kΩ，電源電壓vs(t)=VScos(2000t) V。運算放大器的輸出電壓限制於15V，輸出電流限制於20 mA。若負載電阻RL=10 kΩ，輸出電壓波形尚未出現裁切（clipping）時的最大輸入電壓VS 為何？ (A)2.5 V (B)3 V (C)3.5 V (D)4 V

已知運算放大器的Zi 為輸入阻抗，Zo 為輸出阻抗，Aol 為開迴路電壓增益。下列何者最為接近理想運算放大器？ (A)Zi=5 MΩ、 Zo=3 Ω、Aol=2,000 (B)Zi=500 GΩ、Zo=300 kΩ、Aol=20 (C)Zi=5 GΩ、 Zo=300 Ω、Aol=20,000 (D)Zi=500 GΩ，Zo=3 Ω，Aol=20,000

有一12 V 稽納二極體（Zener Diode），稽納電流若有5 mA 的變動，稽納電壓就會產生0.01 V 的改變，則在此電流範圍內的稽納阻抗為何？ (A)10 Ω (B)5 Ω (C)2 Ω (D)1 Ω

中間抽頭式全波整流器有幾個二極體？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個

當擴散電容被列入考慮時，二極體處於下列何種狀態？ (A)未偏壓 (B)逆向崩潰電壓 (C)逆向偏壓 (D)順向偏壓

如圖所示電路，輸入電壓iV 為直流時，0iV / V 為何？ (A)R2/R1 (B)0 (C)1+ R2/R1 (D)無窮大

有關PN 接面二極體，下列敘述何者正確？ (A)順向偏壓時，空乏區寬度變小 (B)逆向偏壓時，PN 接面不會有電流存在 (C)空乏區中沒有電場的存在 (D)逆向偏壓時，空乏區寬度變小

如圖所示電路，通過稽納二極體（Zener Diode）之電流為何？ (A)10 mA (B)9 mA (C)5 mA (D)4 mA

如圖所示電路，若不考慮稽納二極體（Zener Diode）的電阻、且ZV5 V，則稽納二極體的消耗功率為何？ (A)350 mW (B)375 mW (C)400 mW (D)425 mW

如圖所示電路，變壓器一次側輸入電壓VP 之峰值為120 V，其線圈比為10：2，負載電阻RL為5Ω，均方根（root mean square）負載電流約為何？ (A)3.1 A (B)2.4 A (C)1.7 A (D)1.52 A

如圖為整流後之電壓波形，則電壓的平均值約為何？ (A)11.1 V (B)13.2 V (C)15 V (D)16.4 V

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 為正弦波，頻率為60 Hz，峰值電壓為110 V，電容輸入式整流濾波器之漣波因數（Ripple Factor）約為何？ (A)2.27% (B)4.54% (C)1.27% (D)1.12%

電容濾波電路中，下列何種狀況可以使輸出漣波電壓降到最小？ (A)增大負載電阻、提高電容值 (B)增大負載電阻、降低電容值 (C)降低負載電阻、提高電容值 (D)降低負載電阻、降低電容值

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 有效值為120/√2 V，負載RL 的平均功率約為何？ (A)0.1 W (B)0.45 W (C)0.05 W (D)0.3 W

某橋式整流與濾波電路需要直流電壓18 V，流至負載RL之平均電流100 mA，而容許0.1 Vrms 的漣波電壓，其中輸入電壓源之頻率為60 Hz，求所需濾波器之電容器的電容值約為何？ (A)12 μF (B)48 μF (C)24 μF (D)36 μFV0ViR1R2C15 V100 Ω200 ΩVLVZF10：1VinD1D3D2D4 1000 μFCRL220 Ω輸出

使用下列何種電路可以獲得最小的漣波電壓？ (A)半波整流電路 (B)橋式全波整流電路 (C)半波整流濾波電路 (D)橋式全波整流濾波電路

主動濾波器是指該電路主要使用何種元件？ (A)變壓器 (B)只採用被動元件，如電阻、電容 (C)採用具有放大能力之元件，如OP 放大器、電晶體 (D)二極體

圖為全波兩倍倍壓電路，二極體視為理想，當輸入Vin 進入下半負週期時，二極體（D1）之逆向峰值電壓（PIV）約為何？ (A)120 V (B)170 V (C)311 V (D)85 V

如圖電路，圖中所示波形為輸入電壓，假設二極體的切入電壓為0.7 V，負載電阻RL 兩端的最小輸出電壓為何？ (A)-0.7 V (B)-2.5 V (C)-5 V (D)0.7 V

如圖所示電路，假設二極體D 1 及D 2 均具有理想特性、且vi（t）= 32sin（377t）V，若於負載電阻RL=2 kΩ 之兩端並聯一濾波電容器，下列敘述何者正確？ (A)負載電阻消耗功率為8 mW (B)輸出直流電壓vo=8 V (C)輸出直流電流IL=4 mA (D)峰值電壓Vm=5.7 V

典型的功率電晶體2N3055，其金屬外殼為何？ (A)C 極 (B)B 極 (C)E 極 (D)空腳

如圖所示電路，假設可忽略稽納二極體的順向導通電壓，Vi = 5sin（377t）V、R = 200 Ω，輸出電壓Vo 的最小值為何？ (A)-3 V (B)-4 V (C)-7 V (D)-9 V

有關半波電壓倍增器之敘述，下列何者錯誤？ (A)主要應用在高電壓及低電流的場合 (B)採用箝位效應 (C)不需要增加輸入變壓器的電壓額定值，就可以增加整流電壓的峰值 (D)三倍倍壓電路，最少需要4 個二極體及4 個電容

如圖為一截波電路，Vin30sin(ωt)V，二極體導通時電壓為0.7 V，下列何者為其輸出波形？ (A) (B) (C) (D)

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，每個二極體的峰值順向電流約為何？ (A)13.6 mA (B)13.3 mA (C)0.32 mA (D)0 mA

如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為0.7 V，則Vout 的範圍為何？ (A)-25 V～+25 V (B)-25 V～+0.7 V (C)-0.7 V～+0.7 V (D)-0.7 V～+25 V

如圖所示電路，若可忽略二極體D 的導通電壓，且輸入電壓iv7sin(377t)V，R20，下列敘述何者正確？ (A)輸出電壓vo 的最大值為7 V (B)輸出電壓vo 的最大值為3 V (C)輸出電壓vo 的最小值為7 V (D)輸出電壓vo 的最小值為0 V+-+-D1D2C1C2R1Vin110 Vrms0 V0 V0 V0 V12.7 V-30 V-12.7 V12.7 V12.7 V12.7 V30 VD12 VVinRVoDRvovi3 V-12.7 V

一雙極性接面電晶體（BJT）偏壓於工作區後，測得IB = 0.01 mA、IE = 1.01 mA，下列敘述何者正確？ (A)β = 99 (B)IC = 1.02 mA (C)β = 50 (D)α～0.99

假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，如圖所示電路，輸出波形直流成分的電壓值為何？ (A)-18.7 V (B)18.7 V (C)17.3 V (D)-17.3 V

如電路圖，下列敘述何者錯誤？ (A)RC 時間常數無窮大時，可作為上箝位電路 (B)RC 時間常數無窮大時，Vdc 大小會影響到電容C 的兩端電壓差 (C)RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容C 的漣波電壓振幅不隨時間常數改變 (D)RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容C 的跨壓DC 值會隨時間常數改變

有一如圖之BJT 電路，若β→∞，ＶCC= 10 V，VBE1=VBE2=VBE3= 0.7 V，R1= R2= 8.6 kΩ，RE= 10 kΩ，則IO 應為何？ (A)0.1 mA (B)0.2 mA (C)0.5 mA (D)1 mA

下列何種元件不是箝位電路所必備？ (A)電感 (B)電阻 (C)電容 (D)二極體

有關波形之敘述，下列何者錯誤？ (A)箝位器的主要目的是移除波形中的直流位準 (B)二極體限位器（Limiter）會將某個位準以下或以上的電壓截掉 (C)漣波電壓越小，則濾波的效果越好 (D)較大濾波電容會減少漣波

圖示電路，若VCC = 9 V、RC = 2 kΩ、RB = 100 kΩ，電晶體之β= 100，VBE = 0.7 V，今若電晶體工作在主動區（active region）與飽和區（saturation region）之交界；VCE（sat）=0.2 V，則電壓VBB 約為何？ (A)3.6 V (B)4.2 V (C)5.1 V (D)6.5 V

如圖所示為NPN 電晶體放大電路，當RB 值變小時，下列敘述何者正確？ (A)電晶體工作點將遠離飽和點，但仍落在同一負載線上 (B)電晶體工作點將遠離飽和點，且不在同一負載線上 (C)電晶體工作點將接近飽和點，但仍落在同一負載線上 (D)電晶體工作點將接近飽和點，且不在同一負載線上

有一如圖之BJT 放大器，若BJT 之CEV1V，則有關對其輸出迴路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)其電晶體輸出特性（CCEI -V）的直流負載線電流端截點為CI5 mA (B)其電晶體輸出特性（CCEI -V）的直流負載線電壓端截點為CEV1V (C)其C-E 迴路之靜態電流為CQI4.5 mA (D)此BJT 應該是操作於主動區（active region）

使用一增強型PMOS 電晶體設計如圖的電路，此電晶體之VTH= -1 V，μpCOX（W/L）=2 mA/V2，其VGS 電壓為何？ (A)-1.5 V (B)-2 V (C)-2.5 V (D)-3 V

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，β = 100，VCE(sat)= 0.2 V，則關於此BJT 電路之敘述，下列何者正確？ (A)IC = 2 mA (B)VC = 6.2 V (C)BJT 操作在主動區（active region） (D)IC/IB 1

圖示電路中場效電晶體之tV1V、2noxμ C (W/L)100 mA/V，若電晶體在飽和區工作，則電阻DR 的最大值為何？ (A)6 kΩ (B)5 kΩ (C)4 kΩ (D)3 kΩ+-CRD1VsVdcVCC = 10 VVBB = 4 VRC = 2 kΩRB = 200 kΩICVCEVBEIB+3 VRD

圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1 V、μnCox（W/L）= 2 mA/V2，欲電晶體在飽和區工作，電阻RD 的最大值約為何？ (A)10 kΩ (B)16 kΩ (C)20 kΩ (D)24 kΩ

有一如圖之MOSFET 電路，若VDS = 4 V，則RS 應為何？ (A)5 kΩ (B)8 kΩ (C)10 kΩ (D)15 kΩ

圖示電路，下列何電阻提供直流偏壓的負回授？ (A)ER (B)CR (C)B1R (D)B2R

假設一N 通道增強型MOSFET 之臨界電壓VTH= 2 V，若VGS = 4 V 時且工作於飽和區之汲極電流ID = 1.2 mA，VGS = 5 V 時的互導值gm 約為何？ (A)1.8 mA/V (B)2.2 mA/V (C)2.4 mA/V (D)2.6 mA/V

有一如圖之空乏型MOSFET 電路，若VSD = 2.5 V，Vtp = 1.5 V，μpCox（W/L）= 1mA/V2，當流過偏壓電阻R1、R2 之電流為0.1ID，則R1、R2 約為何？ (A)R1 = 16.6 kΩ，R2 = 63.4 kΩ (B)R1 = 20.6 kΩ，R2 = 59.4 kΩ (C)R1 = 22.6 kΩ，R2 = 57.4 kΩ (D)R1 = 24.6 kΩ，R2 = 55.4 kΩ

如圖所示電路，已知空乏型MOSFET 的DSSI1mA、GS(TH)V4 V，若閘極電流GI 可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（DI ，DSV ）值為何？ (A)（1.5 mA，9 V） (B)（2.25 mA，7.5 V） (C)（3 mA，6 V） (D)（3.5 mA，5 V）

假設一NPN 電晶體的β 值等於100、熱電壓VT = 25 mV、集極電流IC = 2 mA，電晶體的射極電阻re約為何？ (A)8 Ω (B)10.5 Ω (C)12.4 Ω (D)14.3 Ω

有關加強型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？ (A)加強型MOSFET 發生通道長度調變時，通道長度會隨VDS 的增加而略為縮短，造成ID 略為減少 (B)加強型MOSFET 操作於三極體區（triode region）時，可利用VGS 調整通道電阻值 (C)在加強型MOSFET 閘極與通道間的金屬氧化物半導體接面加上VGS 可藉此控制通道電流ID (D)加強型MOSFET 在VGS 小於Vt （臨界電壓）後，ID = 0，將進入截止區

有關JFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？ (A)JFET 發生通道長度調變時，通道有效長度會隨DSV 的增加而略為變長，造成DI 略為增加 (B)JFET 操作於三極體區（triode region）時，隨DSV 的增加，通道深度變窄，通道電阻變大 (C)JFET 進入飽和區（saturation region）時，D 極附近的通道會夾止，DI 維持定值 (D)JFET 進入飽和區後，其DI 與GSV 會呈現非線性關係

圖中放大器電路中電晶體的β＝99、VA=100 V，熱電壓VT= 0.025 V，放大器增益vo/vi 的最接近值為何？ (A)96 (B)106 (C)116 (D)126

考慮一金氧半場效電晶體VA=10 V，當操作在過驅電壓Vov=0.1 V 時，其本質增益（gmro）的值為何？ (A)100 (B)200 (C)500 (D)1000

有關MOSFET 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ (A)MOSFET 的小信號模型中包括一個相依電流源，表示MOSFET 是屬於一種電流控制電流的元件 (B)由MOSFET 的小信號模型中可看出，由閘極看入之阻抗相當高 (C)在MOSFET 的小信號模型中，是以一電阻代表通道長度調變效應（channel length modulation effect） (D)為了MOSFET 的小信號能進行線性放大，必須滿足gsOVv2 V（overdrive voltage）的條件

圖示電路中的電容CE 主要功用為何？ (A)提升電壓增益 (B)濾去高頻雜訊 (C)提升輸入阻抗 (D)頻率補償

雙極性接面電晶體（BJT）之β=100，熱電壓VT = 25 mV。若此電晶體工作於集極電流IC = 0.5 mA，則其小訊號模型參數rπ 為何？ (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)5 kΩ (D)10 kΩ

場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗是由於下列何種效應？ (A)稽納效應（Zener effect） (B)通道長度調變效應（Channel length modulation effect） (C)本體效應（Body effect） (D)密勒效應（Miller effect）

有關共閘極放大器電路之特性，下列敘述何者錯誤？ (A)優良的高頻響應特性 (B)具有很大的輸入電阻 (C)輸出電壓與輸入電壓同相 (D)電流增益值接近1

與其他雙極性接面電晶體的放大器組態比較，有關共射極（CommonEmitter）放大器組態之特性，下列何者正確？ (A)高電壓增益 (B)低電流增益 (C)低輸入阻抗 (D)低輸出阻抗

圖中放大器電路中，vsig 的直流成分為零，電晶體的β99、AV 、EBV0.7 V，熱電壓TV0.025 V，放大器電壓增益osigv / v的最接近值為何？ (A)0.75 (B)0.85 (C)0.95 (D)0.99RCREVCCRB2VDD = +12 VIDIGDS5 MΩ1 MΩ2 kΩG+5 V4 kΩ4 kΩ30 kΩ-5 V∞vovsigRB1

有一放大器輸出vo 為5 V，輸入vi 為25 mV，試問電壓增益Av = vo/vi 約為多少分貝（dB）？ (A)100 (B)46 (C)23 (D)200

圖中放大器電路中電晶體的μnCox（W/L）=2 mA/V2，VA=40 V，放大器電壓增益vo/vi 的最接近值為何？ (A)-8 (B)-10 (C)-16 (D)-20

圖中放大器電路中，sigv的直流成分為零，電晶體的β99、AV 、EBV0.7 V，熱電壓TV0.025 V，放大器輸出電阻outR的最接近值為何？ (A)100 Ω (B)150 Ω (C)200 Ω (D)300 Ω

在變壓器耦合串級放大器中，變壓器繞組的層間電容會影響放大器的頻率響應的何種部分？ (A)高頻響應 (B)低頻響應 (C)中頻響應 (D)全頻響應

關於場效電晶體（FET）放大電路的特性，下列何者正確？ (A)共汲極放大電路的輸入電壓與輸出電壓之相位同相 (B)共汲極放大電路的輸入阻抗很低，非常適合作阻抗匹配 (C)共汲極放大電路的電壓增益很高，非常適合作電壓放大 (D)共閘極放大電路的頻率響應不佳，只適合作低頻放大

相較於共汲極（CD）放大器，下列有關共源極（CS）放大器之特性，何者正確？ (A)電壓增益較大 (B)頻率響應較佳 (C)輸出阻抗較小 (D)常應用於緩衝放大器

如圖所示，偏壓電流IQ=4mA，電晶體Q1 基極端的等效電阻RB=25 kΩ。已知電晶體Q1 之β1=10，rπ1=170 kΩ；Q2 之β2=50，rπ2=18 kΩ；Q3 之β3=50，rπ3=330 Ω。求輸出阻抗Ro 約為何？ (A)0.75 Ω (B)7.5 Ω (C)75 Ω (D)750 Ω

dBm 在功率的計算上為功率的絕對值，是以多大的瓦特（W）作為計算參考值？ (A)1 W (B)0.1 W (C)1 mW (D)1 μW

已知1Q 之1β100，π1r2.34 k，2Q 之2β100，π2r2.06 k，則該電路之電壓增益約為何？ (A)8290 (B)3899 (C)3899 (D)8290

有一圈數比為1：1 的耦合變壓器擬作為阻抗匹配和最大功率轉換，如果連接變壓器初級側的系統阻抗為A+jB，連接在次級側的負載端阻抗X+jY，應如何設計才能獲得最大功率轉換？ (A)X=A，Y=B (B)X=A，Y= -B (C)X= -A，Y= -B (D)X= -A，Y= B

有一串疊電路其定電流源為I；已知Q1 和Q2 的互導分別為gm1 和gm2，輸出內阻分別為ro1 和ro2。若輸入阻抗Ri =∞且互導gm1=gm2=gm 及輸出阻抗ro1=ro2=ro，求電壓增益Avo = vo/vi 近似為何？ (A)-gmro (B)-gm(ro)2 (C)-(gmro)2 (D)(gm)2ro

如圖，1Q 的1β50，2Q 的2β100，兩個電晶體的BEV0.7 V且or 都不計，熱電壓（thermal voltage）TV 都是25 mV；若輸出接一電阻LR1k，求電壓增益oB2v /v約為何？ (A)1.005 V/V (B)0.850 V/V (C)0.900 V/V (D)0.995 V/V

下列何者與正弦波振盪電路無關？ (A)具有正回授電路結構 (B)由回授電路決定振盪的頻率 (C)在振盪的頻率上，電路的閉迴路增益（closed-loop gain）將變得無窮大 (D)其閉迴路增益始終為線性函數

考慮如下電路中電容器CC 對電壓增益之影響。假設所有電晶體的參數均為β=200，rπ=5.21 kΩ，R1=R3=55 kΩ，R2=R4=31 kΩ，RC1=RC2=3.5 kΩ，RE1=RE2=1 kΩ。下列電路中已知CC=386 nF，請問低頻響應的3dB 頻率約為多少？ (A)19 MHz (B)1.9 MHz (C)190 Hz (D)19 Hz

圖示變壓器耦合串級放大器中，1N ：2N2：1、3N ：4N5：1，v1A100、v2A50、v3A20，此電路之總電壓增益為何？ (A)60 dB (B)80 dB (C)100 dB (D)120 dB4 kΩ4 kΩ30 kΩRout+5 V-5 Vvovsig∞+10 VVo4 kΩ4 kΩ2 kΩ80 kΩ85 kΩ15 kΩ500 Ω1 kΩ20 kΩCC2CC1ViQ1Q2CE1CC3CE21 MΩIB1IB21 MΩVB2Q2voviRiVCC = 5 VQ150 μA5 mAC→∞C→∞β1 = 50β2 = 100N1：N2N3：N4Av1Av2Av3ViVo

圖示為一多諧振盪電路，若電路振盪頻率等於fo = 12 kHz，則對應之RB1 = RB2 = R 電阻值約為何？ (A)4.17 kΩ (B)6 kΩ (C)8.33 kΩ (D)12 kΩ

如圖所示，在放大器和8 Ω 揚聲器之間加入了一變壓器，使得放大器負載端的電阻提升至80 kΩ，則此變壓器的匝數比值a 等於多少？ (A)10 (B)50 (C)100 (D)200

有一放大器其上3 dB 截止頻率為Hf50 MHz，且在中頻段的電壓增益為10 V/V，求其單一增益頻寬fT 為多少？ (A)5 MHz (B)50 MHz (C)500 MHz (D)600 MHz

圖示為一施加負偏壓之反相施密特觸發器，運算放大器之輸出飽和電壓為20 V，若其上臨界電壓（threshold voltage）VTH 為16 V ，則該電路之R2 電阻值為何？ (A)5 kΩ (B)10 kΩ (C)20 kΩ (D)50 kΩ

一正弦波產生電路如圖所示，其中L1 = 2 mH、L2 = 8 mH、C3 = 1.6 nF，其振盪頻率fo 約為何？ (A)20 kHz (B)40 kHz (C)100 kHz (D)250 kHz

如下圖所示，下列敘述何者錯誤？ (A)此為韋恩電橋振盪電路 (B)可以應用於產生弦波訊號 (C)可以藉由R 和C 的組合調整輸出訊號的頻率 (D)可以藉由1R 和2R 的組合調整輸出訊號的振幅

圖示為一OPA 方波產生電路，其振盪週期約為何？ (A)47 ms (B)52.5 ms (C)94 ms (D)407 ms

NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，β 值99 變為199，α 值的變化為何？ (A)0.96 變為0.98 (B)0.96 變為0.99 (C)0.99 變為0.995 (D)0.99 變為0.998

如圖為電晶體單穩態多諧振盪器，觸發信號由1Q 的基極注入。在未觸發前，電容器C1 上的電壓oE 約為下列何者？ (A)VCC (B)VCC VB2 (C)VCC VRC1 VB2 (D)VCC VRB VC1

在高純度矽半導體中摻雜元素「砷（As）」之目的為何？ (A)增加少數載子 (B)增加導電性 (C)增加電洞數量 (D)增加電阻值

依如下電路(a)和(b)，下列何者錯誤？ (A)電路(a)和(b)都可以做為電壓比較器 (B)電路(a)和(b)的輸出都是雙穩態 (C)兩個電路的輸出（VO）和輸入（VI）的關係都是一對一 (D)電路(b)中，若VI 的大小在-(R2/R1)VREF 附近不穩定地上下往復變動，輸出（VO）也會跟著變動。

圖示為一施加負偏壓之反相施密特觸發器，OPA 之輸出飽和電壓為10 V，若其遲滯電壓（hysteresisvoltage）HV 為4 V，則該電路之1R 電阻值為何？ (A)5 kΩ (B)10 kΩ (C)20 kΩ (D)80 kΩ

有一如圖之BJT 電路，若電路各節點電壓及電阻值如標示，則該BJT 之β 值應為何？ (A)74 (B)84 (C)94 (D)104

如圖為一個使用負緣訊號VI 進行觸發之單穩態多諧振盪電路。假設圖中稽納二極體的導通電壓和稽納崩潰電壓的和是12 V，二極體的導通電壓是0.7 V。則VI 腳位上的觸發訊號至少需要間隔多久才能再次啟動，以免觸發失效？ (A)0.95μs (B)9.5μs (C)95μs (D)0.95 ms

關於555 計時器之敘述，下列何者錯誤？ (A)其內部的RS 正反器為雙穩態的輸出 (B)可以實現無穩態多諧振盪電路 (C)可以實現單穩態多諧振盪電路 (D)單穩態模式下的輸出脈波可以藉由電源電壓的大小調整其寬度R2R1VoRCCRQ1Q2RC1RC2+VCCVC2DR2VB2VB1R1RBC1Eo+ --VBBVC1VsVoVCCVCCR120 kΩVR = 2.5 V

假設二極體導通電壓為0.7 V，如圖所示電路，若要設計輸出峰值電壓為12.3 V，則圖中電池V 為何值？ (A)3 V (B)-3 V (C)2.6 V (D)-2.6 V1.0 kΩ