電子工程 106 年電子學大意考古題

一幾何比W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV（OverdriveVoltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的： (A)0.25 倍 (B)0.5 倍 (C)2 倍 (D)4 倍

如圖所示之場效電晶體電路，則此電晶體工作在： (A) 飽和區（Saturation Region） (B)截止區（Cutoff Region） (C)三極管區（Triode Region） (D)主動區（Active Region）

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？ (A)N-channel MOSFET（N 通道金氧半場效電晶體） (B)P-channel MOSFET（P 通道金氧半場效電晶體） (C)CMOSFET（互補式金氧半場效電晶體） (D)FIN FET（鰭式場效電晶體）

對於場效電晶體（FET），下列敘述何者錯誤？ (A)是屬於電壓控制的元件 (B)所有類型的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）都需外加閘極電壓才會有通道存在 (C)接面場效電晶體（JFET）不需外加閘極電壓就已經有通道存在 (D)閘極（Gate）與源極（Source）間的直流電阻相當高

在積體電路中，電流源常又具何功用？ (A)被動負載 (B)緩衝器 (C)主動負載 (D)整流器

如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求vo / vi： (A) -1/4 (B) -1/3 (C) -1 (D) -3+-iRRvi3R－＋vo2R

下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？ (A)由右向左水平流動 (B)由左向右水平流動 (C)由上往下垂直流動 (D)由下往上垂直流動

場效電晶體之本體效應（Body effect）是討論： (A) 本體（Body）的電壓可控制汲極（Drain）電流 (B)本體（Body）的電流可控制閘極（Gate）電流 (C)汲極（Drain）的電流可控制本體（Body）電流 (D)閘極（Gate）的電壓可控制本體（Body）電壓

CMOS 場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的？ (A)PN 接合型場效電晶體 (B)MOS 空乏型場效電晶體 (C)MOS 增強型場效電晶體 (D)各型場效電晶體都可以

有關新一代半導體科技技術的發展，下列何者敘述較不符合目前的發展趨勢？ (A)電晶體元件（device）的尺寸越來越小 (B)積體電路（IC）使用的電源越來越低 (C)採用的初始晶圓（wafer）越來越薄 (D)單一晶片（chip）的電路密度越來越高

如圖所示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12 V，二極體導通時兩端電壓為0.7 V，輸入電壓VI 為+2 V，則VA 為若干V？ (A) -2.7 (B)1.3 (C)2.7 (D)+12

在高頻電路上若需要獲得最大的頻寬與電壓增益，應選擇下列那一種放大器組態？ (A)共閘極組態 (B)共源極組態 (C)共汲極組態 (D)都可以

將一個n-通道增強型MOSFET 操作在飽和區時，下列何者正確？ (A)閘極的電壓不得比源極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage） (B)閘極對源極的電壓應為負值 (C)閘極的電壓不得比汲極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage） (D)通道電流由源極流向汲極

如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為V5.0=thV。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。若VE 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值thV如何變化？ (A)thV增加 (B)thV減少 (C)thV不受影響 (D)thV會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φf）決定VDDRDRGVI+－VAVOVD1VDVD2D1 層D 層：0.5 μmC 層：0.01 μmD2 層n+ B 層：0.1 μmn+p-VEA 層：400 μmE 層：0.8 μm

一個正脈波（窄幅波）中，高、低電位各為6 伏特與1 伏特，對應之工作週期分別為20% 與80%。問此正脈波的平均電壓為多少？ (A)1 伏特 (B)2 伏特 (C)5 伏特 (D)6 伏特

對於一個PN 接面二極體在順偏（forward bias）的條件下，下列何者正確？ (A)P 側的電位較N 側的電位為低 (B)電流的方向為由P 側流向N 側 (C)接面空乏區（depletion region）內的電場會因加入順偏電壓而擴大 (D)因為有電流流通，故沒有電容效應

有一運算放大器如圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V3 =1002×V2－998×V1，請問其共模電壓增益（common-mode gain）約為多少？ (A)6 dB (B)12 dB (C)18 dB (D)24 dB

有一JFET，其IDSS = 12 mA，VGS(off)= - 4 V，則在偏壓點VGS= - 1.5 V 時，此JFET 的gm值為何？ (A) 7.5 毫姆歐 (B) 7.5 毫歐姆 (C) 3.75 毫姆歐 (D) 3.75 毫歐姆

關於CMOS 反相器（inverter）功率消耗的敘述，下列何者錯誤？ (A)CMOS 反相器的靜態功率消耗（static power dissipation）幾乎為零 (B)CMOS 反相器要減少功率消耗應降低輸出端的負載電容效應 (C)CMOS 反相器的動態功率消耗（dynamic power dissipation）會隨輸入電壓Vi 頻率的增加而增大 (D)CMOS 反相器的動態功率消耗隨電源VDD 值成正比例的增加VD1VDVD2D 層：0.5 μmC 層：0.01 μmB 層：0.1 μmA 層：400 μmE 層：0.8 μmD1 層D2 層n+n+p-VE

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳vi1、vi2 的電壓波形如圖所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體Q1 在時間點0 最可能的工作模式： (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)主動模式（Active mode） (D)截止模式（Cut-off mode）

如圖所示為雙極性電晶體Q 接成共射極組態，若逆向飽和電流為ICBO 且電流增益為β，試問電晶體Q的截止條件為何？ (A)iB = 0，iC = 0，iE = -ICBO (B)iE = 0，iC = ICBO，iB = -ICBO (C)iB = 0，iC =βICBO，iE = -(1+β)ICBO (D)iB = -ICBO，iC = ICBO，iE = (1+β)ICBO

有一n 通道的MOS 電晶體，其μnCox = 50 μA/V2，VT,on = 1.0 V，λn =(0.1/L)V-1，其中L 的單位為μm，若W = 10 μm，L = 10 μm，VDS = 4 V，試求欲使gm = 50 μA/V，則VGS 應為多少？ (A)5 V (B)4 V (C)3 V (D)2 V

如圖所示為一NMOS 構成的放大器。若VDD = 3V，電晶體之μnCox = 200 μA/V2，W/L = 10，Vth = 0.5 V。試問電晶體的過驅電壓VOV 為多少？ (A)0.5 V (B)1 V (C)1.5 V (D)3 V

有一共汲極放大器（common-drain amplifier），其增益為A = 0.9，且Cgs = 50 fF，Cgd = 10 fF，則其輸入電容（input capacitance）應為多少fF？ (A)510 (B)90 (C)45 (D)15

一個運算放大器，若V+ = +10 mV 而V- = -10 mV，那共模輸入電壓（Common-mode input voltage）為： (A)0 mV (B)+10 mV (C)+20 mV (D)-20 mV

類比積體電路中，使用差動對放大器，下列何者錯誤？ (A)差動對具有寬廣的共模輸入範圍（common-mode range）串級時可避免使用耦合電容 (B)與單電晶體放大器比較，差動對使用兩個電晶體，因此可提供兩倍的轉導 (C)差動對的共模增益遠小於差模增益 (D)差動對電路中元件的不對稱性會產生抵補電壓（offset voltage）

下列有關FET 與BJT 特性比較的敘述，何者最為正確？ (A)BJT 雜訊較低 (B)FET 輸入阻抗較高 (C)BJT 高頻響應較差 (D)FET 增益頻寬的乘積較BJT 為大

如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知電阻R1 = 1 kΩ、R2 =2 kΩ、R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當vI = 3 V 時，下列敘述何者正確？ (A)D1 導通、D2 不導通 (B)D1、D2 都導通 (C)D1、D2 都不導通 (D)D1 不導通、D2 導通

一個電壓v 對時間t 的函數為v(t) = 10 + 6 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。將此電壓加到一個1 Ω的電阻之上，試問此電阻承受的功率為何？ (A)18 W (B)36 W (C)100 W (D)118 WVCCV1V2V3-VEE+－VCCQ2vi1R4R3Q1R2R1vi2voCL5V~2V0Vvi1vi2~4VTt2~2Vt1t10VTt2t5VtVDDvo1 MΩviI = 1 mAC = ∞C = ∞00~4V

當理想運算放大器接成電壓隨耦器（voltage follower）應用時，下列敘述何者錯誤？ (A)電壓增益為1 (B)輸入阻抗為無窮大 (C)輸出端接至運算放大器的同相輸入端 (D)輸出阻抗為零

如圖所示電路，Ao = 105，求此電路之閉迴路電壓增益約為何？ (A)1 (B)100 (C)1000 (D)100000

如圖所示運算放大器電路中，若電壓增益A 為無限大且抵補電壓（offset voltage）VOS 不計，試求輸出電壓Vo =？ (A)8 V (B)6 V (C)4 V (D)2 V

有 一放大器電路如圖所示，放大器U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間，二極體D1 順向電壓VD0＝0.7 V。若電阻R1＝1 kΩ，電源VI＝-5 V，試問節點B 的電壓VB 應落在下列何範圍內？ (A)VB ≧ -4.0V (B)-4.0V ＞ VB ≧ -4.5V (C)-4.5V ＞ VB ≧ -5.0V (D)-5.0V ＞ VBICBOiBiCQiE

vi(t) = 50sin(377t) volt 的輸入信號分別經中間抽頭型變壓器及橋式全波整流電路整流後，流過負載之電壓信號頻率分別為fo1 及fo2，則(fo1+fo2)為多少Hz？ (A)1131 Hz (B)754 Hz (C)240 Hz (D)180 Hz

差動式放大器中，共模斥拒比（common-mode rejection ratio）定義為cmdAA /CMRR≡，其中Ad 為差動增益、Acm 為共模增益，試問就差動式放大器的CMRR 設計，下列何者正確？ (A) CMRR = 0 (B)CMRR = 1 (C)CMRR << 1 (D)CMRR >> 1

如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸出電壓值為何？ (A)8 V (B)10 V (C)12 V (D)14 V

理想變壓器中負載電阻為R2 = 2 Ω如圖，測得輸入等效電阻R1 = 8 Ω，則次級電壓（V2）、初級電流/次級電流比（I1/I2）及線圈匝數比（N1：N2）等有關之敘述，何者正確？ (A)V2 = 2 V1, I1/I2 = 2/1 (B)V2 = 16 V, N1：N2 = 1：2 (C)I1/I2 = 2/1, V2 = 4 V (D)N1：N2 = 2：1, I1/I2 = 1/2

輸入有正弦信號vi(t) = Vmsin(ωt)伏特的理想箝位電路如圖所示，當測得電容器所跨電壓為8 伏特且輸出信號vo(t)的最小值為-18 伏特時，求Vm 與VR 之總和電壓為多少伏特？ (A)-10 V (B)10 V (C)12 V (D)26 V

如圖之箝位電路（D 為理想二極體，RC 時間常數為無限大），輸入矩形週期波vi(t)後，得到直流準位為2 伏特之輸出信號，則偏壓電源VR 應為多少？ (A)-3 V (B)-2 V (C)2 V (D)3 V

橋式整流電路中，理想二極體之逆向峰值電壓（PIV）為電源峰值的多少倍？ (A)3 (B)2 (C)2 (D)1R3ABR2R1D1U1D2vOvIVCC+-VOAoVin+-I1I2N1：N2+-+-V2R2 = 2 ΩV1 = 8 VR1 = 8 Ω

有一橋式全波整流電路，其中之二極體均為理想。假設其輸出信號的峰值電壓為14.14 伏特，若有效值電壓為a 伏特、平均值電壓為b 伏特、漣波電壓峰對峰值為c 伏特及漣波因素為r%，則有關a、b、c、r 的數值，下列那一選項為正確？ (A)a = 10，b = 9 (B)b = 9，c = 20 (C)c = 20，r = 48 (D)r = 48，a = 14.14

如圖所示之電路，假設輸入電壓Vin 為-5 V，且所有的二極體皆為理想，輸出電壓Vout 為何？ (A)0 V (B)-5 V (C)-3 V (D)-2 V

如下圖所示，若輸入電壓Vi = 20 V 且稽納二極體的VZ = 10 V，則輸出Vo 為： (A)20 V (B)13.3 V (C)10 V (D)8 V

如圖所示的二極體-電容器倍壓電路中，變壓器與所有二極體均視為理想且變壓器之輸入為一弦波，當電路到達穩定狀態時VC1 = 12 伏特，有關二極體D1~D3 承受之逆向峰值電壓PIV1~PIV3（單位均伏特）之敘述，何者正確？ (A)PIV1 = 12 V (B)PIV2 = 24 V (C)PIV3 = 36 V (D)PIV3 = 2PIV1

如圖所示為一箝位電路，若PD(max)為稽納二極體可承受的最大消耗功率值，則稽納二極體最大容許電流IZ (max)為何？ (A)10 mA (B)25 mA (C)50 mA (D)500 mA4 kΩ1 kΩ1 kΩ4 kΩ1 VVoutAo4 Vvi (t)vi (t)－＋vo (t)－＋＋－VC ＋－5-5tVRCDR2 kΩ5 kΩ3 kΩVoutVinD1D2D3R2.5 kΩIVZ = 10 VVE＋－35 VPD (max) = 500 mW

下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓vi 為振幅110 V 的正弦波且C 值很大時，則輸出電壓Vo 約為： (A)5.5 V (B)11 V (C)22 V (D)44 V

截波電路（D 為理想二極體）中的偏壓電源VR = 6 伏特，配合圖示之週期性輸入三角波信號決定該二極體D 於單一週期輸入信號中導通的百分比為多少？ (A)25% (B)50% (C)60% (D)75%

如圖所示之電路，若D 為理想二極體，其輸出波形Vo 為何？ (A) (B) (C) (D)

下圖為全波整流器。輸入信號為弦波，vs(t) = 5sin10t 伏特，各二極體D1～D4 之導通電壓皆為0.7 V，導通電阻為0 Ω。則輸出vo(t)之最大值為何？ (A)5 V (B)4.3 V (C)3.6 V (D)2.5 V

如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？ (A)11.6 V (B)21.6 V (C)30.6 V (D)110 V10 kΩ10 kΩ2 V6 V5 kΩAVo5 kΩ+－+－VC+vi(t)－CD+－VRR+vo(t)－N1：N2+－ VC1+VC2－C1D1D2C2T+VC3－C3D3vi(t)12-1248t+vi(t)－+vo(t)－VRDRAC34Vrms60 Hz+vout－)377sin(2110t

圖中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，若輸入電壓vs(t)= 3 sin 5t 伏特，Rs = 100 Ω，則 t = (3π/10) 時，i =？ (A)37 mA (B)23 mA (C)-23 mA (D)-37 mAViViRD5 V+12 V-12 Vt0Vo＋－＋－－＋VoVoVoVo05 V-12 Vt12 V5 V0t0t-5 V-12 V12 V0-5 VtRsvsiD1

下圖為一整流器，若二極體之導通電壓為0 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波vi(t) = 5sin(10πt) V，若輸出vo 漣波電壓＜0.1 V，R = 100 kΩ，則電容C 之最小值為何？ (A)1 μF (B)10 μF (C)100 μF (D)1000 μF

如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？ (A)35.01 V (B)-35.01 V (C)49.52 V (D)-49.52 V

如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7 V，則此電路之輸入電壓vin -輸出電壓vout 之特性曲線最有可能為下列何者？ (A) (B) (C) (D)

下圖電路中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω。電容C 兩端之初始跨壓為0 V，則其穩態跨壓vC 為何？ (A)6 V (B)3.3 V (C)2.7 V (D)1.3 V+Vo-+Vi-R1R2VZ20 kΩ10 kΩ+-vi+-VoDC10：1+-vsD4D1D3D2vo +-RviRCvo+-+-+-vCD1vit3 V-3 V-1 VviC

如圖所示的二極體電路，二極體D1 與D2 為理想，此電路轉移函數（transfer funciton）中的轉折點之輸入及輸出電壓為何？ (A)-1 V 及 -1 V (B)-1 V 及 -2 V (C)-2 V 及 -1 V (D)-2 V 及 -2 V

如圖所示之電路，若二極體之壓降為0.7 V 且RC 時間常數很大，則其穩態輸出電壓之最低電壓值為何？ (A)4.3 V (B)5.7 V (C)-14.3 V (D)-15.7 V

下圖中二極體D1 與D2 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波vi(t) = 5sin10t 伏特，R1，R2，R3 皆為10 Ω，則電阻R1 之最大電流值為何？ (A)530 mA (B)330 mA (C)165 mA (D)115 mA

如圖所示之電路包含三個串接的二極體及兩個串接電阻，若VIN 為10 V 且二極體的開啟電壓（turn-onvoltage）為0.8 V，求VOUT？ (A)2.4 V (B)6.2 V (C)10 V (D)12.4 V

圖示理想運算放大器電路中，二極體導通的電壓降為0.7 V，電壓vO 為若干？ (A)-3 V (B)-1.5 V (C)0 V (D)3 VR1vinvoutR2voutvoutvinvinvoutvoutvinvinvoutCvin = 10 sin ωt VR5 V＋－＋－1 kΩ1 kΩ1 kΩ+2 V+1 V－＋D1D2vO

關於圖(a)與(b)電路之敘述，若二極體為理想，Vp1 與Vp2 為Vo1 與Vo2 之峰值電壓，下列何者正確？ (A)Vp1 = 5 V，Vp2 = -5 V (B)Vp1 = 5 V，Vp2 = 5 V (C)Vp1 = -5 V，Vp2 = 5 V (D)Vp1 = -5 V，Vp2 = -5 V

如圖所示之電路中，若變壓器二次側vs = Vm sinωt，則iD1 之波形為何？ (A) (B) (C) (D)+vo－1 kΩ1 kΩD1VINVOUTD2+－2 VVOUTVIN1 kΩVINVOUT1 kΩVD1+－iD1+vs+－vs－+VD2vp+－－vo +－RiD2iRiD1iD1iD1iD1π2πωtπ2πωtπ2πωtπ2πωt

下列何種電子電路常使用齊納（Zener）二極體？ (A)濾波 (B)發光 (C)放大 (D)穩壓

下列有關雙極性電晶體（BJT）偏壓電路之共射極（CE）組態放大器的特性敘述，何者正確？ (A)電流增益α＞1，同相放大 (B)電流增益α＞1，反相放大 (C)電流增益β＞1，同相放大 (D)電流增益β＞1，反相放大

利用一個二極體做交流半波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號Vs 峰值大小： (A)大一個二極體順向啟動電壓 (B)大兩個二極體順向啟動電壓 (C)小一個二極體順向啟動電壓 (D)小兩個二極體順向啟動電壓

如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電阻R1=1 kΩ、R2=2 kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列何者正確？ (A) (B) (C) (D)

圖中電晶體M1 與M2 之寬長比為(W/L)1：(W/L)2 = 4：1，臨界電壓（VT）皆為0.8 V，若Vol = 1 V，則Vo2 =？ (A)0.8 V (B)0.9 V (C)1 V (D)1.2 V

如圖所示之放大器電路，電晶體J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = -4 V，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ (A)1 kΩ (B)1/2 kΩ (C)1/3 kΩ (D)1/4 kΩ

如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β=100，VT = 26 mV 且VBE(on) = 0.7 V，求其小信號輸入電阻Ri 之值為何？ (A)0.069 kΩ (B)1.369 kΩ (C)1.769 kΩ (D)2.169 kΩR2R1vOvI＋－U1D2D1vOvIvOvIVD0vOvOvIvI-VD010 kΩ3.6 kΩ10 VRivovi5 kΩ2.2 kΩ1 kΩ

圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型，輸入為vs，輸出為vo。關於本放大器的敘述下列何者正確？ (A)為共基級放大器 (B)RL 越大則輸入阻抗越小 (C)RL 越大則增益越大 (D) |vo/vs|＞1vivO-+++--1 V2 VD1D2R2R3R1C1C2t(sec)VI(V)+-Vo1D1VIVID2+-Vo2(a)(b)3-20.5 mAVo1+-+-Vo2M1M2+--+vsrorπvπvoRLgmvπ

如圖所示之放大器電路，電晶體M 之參數如下：Vth = 0.4 V，μnCox = 200 μA/V2，且λ = 0，若此放大器電路之小信號電壓增益值為0.85，則此電晶體M 之W/L 最接近下列何值？ (A)267 (B)367 (C)467 (D)567

關於共閘極（CG）與共源極放大器（CS）的特性比較，下列敘述何者正確？ (A)共閘極放大器有較大的電壓增益 (B)共源極放大器有較大的頻寬 (C)共閘極放大器有較低的輸出阻抗 (D)共源極放大器有較大的輸入阻抗

具有臨界電壓Vth = 1.5 V 且μnCox(W/L) = 1 mA/V2 的增強型MOSFET 放大器中，電晶體的輸出直流電壓為VDSQ = 5 V，直流電源VGG 約為多少？ (A)2.5 V (B)3.5 V (C)5 V (D)5.5 V

如圖所示之放大器電路，假設此電路之輸入阻抗為50 Ω，輸出阻抗為150 Ω，且λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益值為何？ (A)1 (B)3 (C)5 (D)50+10 V1 MΩviJvo250 kΩ2 kΩ2 kΩ+1.8 VviMvo1.2 mA500 ΩVDDRDvoutM1vin

CMOS 場效電晶體的輸出端通常會連接由MOSFET 所組成的邏輯電路，其中可能造成CMOS 輸出響應的傳輸延遲（propagation delay）主要受到MOSFET 內部那個因素影響？ (A)輸出電阻 (B)輸入電阻 (C)輸出電容 (D)輸入電容

臨界電壓Vth = 1.5 V 的增強型MOSFET 所構成如圖之放大器中，流經R2 = 50 kΩ及1.5 kΩ的直流偏壓電流分別為0.15 mA 及4 mA，該放大器的小信號電壓增益為何？ (A)-100 (B)-50 (C)-20 (D)-6

如圖所示之放大器電路，假設電晶體M 之參數如下：μnCoxW/L= 0.2 mA/V2，Vth = 2 V，且λ = 0；求此放大器電路之小信號輸入電阻Ri 之值為何？ (A)416 kΩ (B)516 kΩ (C)616 kΩ (D)716 kΩ

圖中電晶體M1 操作在飽和區 （saturation region），輸出阻抗ro=10 kΩ，轉導值gm = 10 mA/V 。電流源I 的內阻為10 kΩ，且負載電阻RL 亦為10 kΩ 。則 |vo / vs | =？ (A)100/103 (B)1 (C)9/10 (D)100/3

下列何者並非使用差動對放大器的好處？ (A)可降低外界的雜訊干擾 (B)可減少偏壓電路所需之大電容及大電阻 (C)適合於積體電路的應用 (D)可減少電路所需的電晶體數目

如圖所示之電路，假定β = 100 且VEB(on) = 0.6 V，求VEC 之值為何？ (A)2.1 V (B)2.5 V (C)2.9 V (D)3.3 V

圖中電晶體操作在主動區（forward active region），β = 99 。直流偏壓為VB ，交流輸入信號為vs，輸出信號為vo1 及vo2 。下列敘述何者正確？ (A)vo1 及vo2 為同相 （in phase）輸出 (B)|vo1 / vo2 | = 100/99 (C)|vo1 / vo2 | = 99/100 (D)|vo1 / vo2 | = 1

如圖為MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation mode）之π 型小訊號等效電路，其中參數轉導gm與汲極電流ID 的關係約為： (A)gm正比於1/ID (B)gm正比於DI1/ (C)gm正比於DI (D)gm正比於ID9 V2 kΩVGGRG1.5 kΩ1 kΩVDDR1R2CSCDCGvivoDGrogmvgsvgs+-S

如圖所示之共射極放大器，其偏壓電路的主要優點為何？ (A)所需偏壓電阻較小 (B)可操作於較低的電壓 (C)放大器的增益較大 (D)電晶體必定操作在主動區

如圖所示之電晶體放大器電路中增強型MOSFET 的相關參數為 μnCox(W/L) =2 mA/V2 和臨界電壓Vth =1 V，測得輸出直流偏壓電壓Vo = VDSQ = 6 V，該偏壓下電晶體的小信號互導gm 約為多少？ (A)0.4 mA/V (B)2 mA/V (C)4 mA/V (D)10 mA/V5 VM1RLvsIvoVB＋－VBvsVCC10 kΩQ1vo1vo29.9 kΩ12 V1.5 kΩVORGVGG

有一n 通道MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該MOSFET之臨界電壓Vt = 0.5 V。當VGS = 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之VDS 最小值為何？ (A)0.5 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V

如圖所示電路中，若輸出端VX 的直流電壓為3 V，電晶體的VGS 為1.5 V，求R1/R2 為何？ (A)1/3 (B)2/3 (C)3/2 (D)2/5VDD = 10 V15 kΩ5 MΩRivivoM5 VVEB+－+－VEC500 kΩ5 kΩVBB = 1.5 VVCCRBRL5 V5 VR12 kΩVXR2+－500 ΩVGS

固定偏壓電路中電晶體基-射極導通時所跨定壓降為VBEQ = 0.7 V，求該電晶體的輸出直流電壓VCEQ 約為多少？ (A)8 V (B)6 V (C)5 V (D)4 V

如圖示電路，VCC = +10 V，RB1 = 200 kΩ，RB2 = 200 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 1 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，則此電晶體工作在： (A)截止區 (B)主動區（active region） (C)飽和區（saturation region） (D)逆向主動區（reverse active region）

如圖所示之共閘極放大器，若要使電壓增益提升為原有值的兩倍，下列敘述何者錯誤？ (A)將RL 變成兩倍 (B)將轉導gm 變成兩倍 (C)將過驅電壓（VGS－VTH）變成1/2 倍 (D)將ID 變成兩倍

下列差動放大器的共模拒斥比（CMRR）的敘述，何者正確？ (A)與共模放大增益成正比 (B)與差模放大增益成反比 (C)越小越好 (D)越大越好

如圖所示為一波形產生電路，該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器C 處於放電狀態，則在此瞬時間，下列那一敘述為正確？其中施加於理想OPA 之電壓為± 12 V。 (A)vO = 12 V (B)Vf = -4 V (C)vC = 6 V (D)iR = 1.2 mA

如圖所示之BJT 電路，假設Q1 與Q2 特性相同，VT = 25 mV 且β = 100，求輸出電阻Zout？ (A)2.5 Ω (B)5 Ω (C)7.5 Ω (D)10 Ω

設場效電晶體之動態電阻定義為rd = △vDS /△iD(at △vGS=0)，今有兩個完全相同的場效電晶體，其動態電阻原皆為rd，今將其並聯連接後之動態電阻變成： (A)∞ (B)2 rd (C)rd (D)0.5 rd

三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示，並且測得其輸出頻率為f，則下列那一種組合的改變可使其輸出頻率為原來的4 倍＝4f？兩OPA 可視為理想。 (A)R1 增為2 倍、R2 增為2 倍 (B)R 減半、R1 減半 (C)C 減半、R2 減半 (D)C 減為四分之一、R 增為2 倍RB1RB2RERCVCCiRvOvC+-C5 kΩ4 kΩVf2 kΩ+-CRR1R2vO++--

一個雙極性電晶體（BJT）元件的規格β = 100，若其基極電流為20 μA，集極電流為1.2 mA，則電晶體操作在： (A)截止區 (B)主動區 (C)飽和區 (D)三極管區

如圖之差動對電路，電晶體之β = 100，ro→∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE=10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，此差動對的差動電壓增益 |Ad |約為多大？ (A)0 (B)80 V/V (C)160 V/V (D)200 V/V

由β1 = 80 及β2 = 100 的電晶體Q1 及Q2 所構成RC 串級放大電路如圖，第1、第2 單級放大電路的基極直流偏壓電流IB1 與IB2 均為25 μA，且測得Ri2 = 4 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓VT = 25 mV。 (A)64 (B)80 (C)124 (D)160

如圖所示為一方波產生電路，於某個時間點測得其中電壓Vf 值為10 伏特，其中施加於理想OPA 之電壓為±15 V，則電路輸出訊號的頻率約為多少？ (A)1.55 kHz (B)3.25 kHz (C)6.75 kHz (D)8.25 kHz

雙極性電晶體內部電容因米勒效應（Miller Effect）會影響放大器的何種特性？ (A)高頻響應 (B)中頻增益 (C)溫度係數 (D)低頻響應VCCRCRCvc1vc2iC1iC2vIvB1vB2＋－＋－VEEI10 V0.8 kΩ62 kΩβ = 50

如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β = 100，VBEactive = 0.7 V，忽略爾利效應。VT = 25 mV，求低頻3 dB 頻率（選最接近之值）？ (A)15.9 Hz (B)100 Hz (C)3.18 kHz (D)20 kHz

如圖一與圖二所示，為由R1、R2 與理想OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路，OPA 均採用相同的操作電源電壓，R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓vo 均為正值時，圖一與圖二之vi 臨界電壓分別為-10及6 伏特，則R2 為多少？ (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)3 kΩ (D)4 kΩVGVDDRGRLvoviIDQ1Q2ZoutI = 0.1 mA1 kΩvO+－R2VfR10.2 μF－+－+vovoviviR1R2R1R2圖一圖二

如圖所示由兩個理想OPA 構成的波形產生電路，測得vO1 的頻率與振幅分別為f1 與Vm1，而vO2 的頻率與振幅則分別為f2 與Vm2，如果只有R2 的阻值變為原來的2 倍，則下列敘述何者正確？ (A)vO1 的頻率仍為f1 (B)vO1 的振幅為2 Vm1 (C)vO2 的頻率仍為f2 (D)vO2 的振幅為2 Vm2

如圖雙穩態電路，其R1 = 10 kΩ且R2 = 20 kΩ，若在t =0 時輸出電壓vo 飽和在-10 V；當在t＞0 時，輸出電壓vo 突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V；試問在t > 0 時，引起輸出電壓vo 突然轉態的輸入電壓vI 狀態為何？ (A)vI < -5 V (B)vI > +5 V (C)vI > -5 V (D)vI < +5 V

如圖所示電路為CMOS 放大器，下列有關電容C1 功能之敘述，何者正確？ (A)旁路電容（bypass capacitor） (B)耦合電容（coupling capacitor） (C)頻率補償電容（frequency compensation capacitor） (D)濾波電容（filter capacitor）

CB-CE 串級放大電路中電晶體之β1 = β2 = 100，各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為2.5 mA，且第2 級放大電路的輸入電阻Ri2 = 20 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓VT = 25 mV。 (A)80 (B)200 (C)240 (D)360

有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)=VO(s)/VI(s)如下所示，其中s=jω=j2πf：2106110)(×+=πsssF，今製作相角∠F(s)的波德曲線圖（Bode plot），欲估計在頻率f = 3 kHz 時的相角，下列何者正確？ (A)大於60° (B)落於30°至60°之間 (C)落於-30°至30°之間 (D)小於-30°voVCCviR1R3R2R4C1C2C3CE1 kΩ2 kΩ2 kΩ4 kΩRi2=β1 = 80β2 = 100REC = 1 μFvo10 kΩ0.5 mAvsig+20 V-5 V-++-R1R2vo-VCC+VCC+-v+vI

下列何電路適用於產生方波訊號？ (A)考畢茲振盪電路（Colpitts oscillator） (B)相移振盪電路（Phase shift oscillator） (C)韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge oscillator） (D)無穩態多諧振盪電路（Astable multivibrators）

如圖變壓器交連電晶體放大器，若電晶體Q 的電流增益為β = 100，Is = 10 mA，熱電壓（thermalvoltage）VT = 25 mV，圈數比n = 10；試求由負載端RL 側看入的輸出阻抗Ro 約為多少？ (A)250 mΩ (B)25 mΩ (C)2.5 mΩ (D)0.25 mΩvO1RCvO2R1R2＋－－＋VCCR11 kΩR32 kΩC3 vOβ1β2C1C2R2CERE1R41 kΩVCCQvsvo-VEERIIs∞n:1RoRLv1v2－＋＋＋－－＋－viRi220 kΩ

如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 0.838 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 24 pF，Cμ = 3 pF，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，求相關於輸出端之3 dB 頻率為何？ (A)28.4 MHz (B)38.4 MHz (C)48.4 MHz (D)58.4 MHz

下列那一種單級電晶體放大器結構會有密勒效應（Miller effect）使高頻響應劣化？ (A)共基極放大器 (B)共源極放大器 (C)射極隨耦器 (D)共閘極放大器

如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體Q1 和Q2 的電流增益分別為β1 = 50 和β2 = 100，若Q1和Q2 的VBE 都是0.7 V 且輸出阻抗ro 不計，試求電晶體Q1 的射極電流IE1 約為多少？ (A)50 μA (B)100 μA (C)5 mA (D)10 mA

如圖之電路，L1 = L2 = 1 mH，C = 30 pF，若不考慮R1 對回授網路之負載效應，振盪發生時其振盪頻率為何？ (A)0.65 MHz (B)0.85 MHz (C)1.05 MHz (D)1.25 MHz

如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器，OP AMP 輸出的上下限為±12 V。若要使輸出由負轉正時，vi 應到達何值？ (A)-10 V (B)-2 V (C)2 V (D)10 V

如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器。OP AMP 輸出的上下限為±12 V。若要使輸出由正轉負時，vin 應到達何值？ (A)-2.4 V (B)0 V (C)1.2 V (D)2.4 V

矽二極體逆向偏壓時，在電路上會有一個等效並聯寄生電容Cj，這個電容的主要電荷來自下列何者？ (A)P 型N 型半導體接合面空乏區內部的載子 (B)P 型N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜質 (C)P 型N 型半導體接合面中性區內部的載子 (D)P 型N 型半導體接合面中性區內部的摻雜雜質

如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容CE 後，放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化？ (A)變無窮大 (B)變小 (C)不變 (D)變大

某二階帶通濾波器的中心頻率為106 rad/s，中心頻率的增益為10，3 dB 的頻寬為103 rad/s，求其品質因素值（Q-factor）為何？ (A)102 (B)103 (C)104 (D)105

雙極性接面電晶體（BJT）固定偏壓電路加入射極電阻後，可提高工作點穩定度，這是一種： (A)正回授 (B)負回授 (C)集極回授 (D)不具回授的作用Vo10 kΩ1 kΩVinRSCC1→∞CC2→∞RERBCB→∞+10 V-10 VVoR1R2+-CL1L2

如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge oscillator），已知R = 10 kΩ和C = 16 nF，試求振盪頻率fo 約為多少？ (A)1 kHz (B)2 kHz (C)6.25 kHz (D)12.5 kHz+VDDQ6Q7Q8voQ5vi+Q2vi－Q3Q4C1IREF-VSSQ1vivo+－2 MΩ 10 MΩ+VCCRC C2voRLRBC1CEREvi－+R2R1voRC+－vaCR

圖示放大器電路中的電容 CS 主要功用為何？ (A)提升輸入阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提升高頻3 dB 截止頻率 (D)頻率補償+9 V1 MΩvoviVE11 MΩQ1∞IE1Q2∞50 μA5 mAvovin10 MΩ2 MΩ－＋