電子工程 100 年電子學大意考古題

N通道增強型（Enhancement Type）MOSFET的臨界電壓V =3V，其閘極電壓為VtG =4V，且源極接地，則當汲極的電壓為何，可讓此元件工作在歐姆區： (A)0.5V (B)1.5V (C)2.5V (D)3.5V

如圖之電路，電晶體Qntn＝0.5V，電晶體Qp之臨限電壓為Vtp＝-0.5V，當輸入電壓Vi＝0V時，輸出電壓Vo為：1如圖之電路，電晶體Q 之臨限電壓V (A)0V (A)0V (B)0.5V (B)0.5V (C)2.5V (C)2.5V (D)3V (D)3V

有關DRAM（動態隨機存取記憶體）與SRAM（靜態隨機存取記憶體）的敘述，下列何者正確？ (A) SRAM 需要重新充電（refresh） (B)單一晶胞的電路DRAM 比SRAM 複雜 (C)DRAM 結構需用到電容效應 (D)DRAM 屬非揮發性記憶體

如下圖所示之運算放大器（OPA），該電路圖為何種電路？ (A)積分電路ViRSCI1VoI2+ (B)微分電路 (C)震盪電路 (D)電壓對電流轉換電路

圖中虛線範圍內為NPN電晶體主動區（Active region）的安全工作區域，除了代表ICmax及VCEmax的虛線外，另外兩條虛線代表的限制值為：（註：Sat-飽和，Cut-off截止）2圖中虛線範圍內為NPN電晶體主動區（Active region）的安全工作區域，除了代表I (A)PEmax，VBC(sat) (A)P (B)PEmax，VBC(cut-off) (B)P (C)PCmax，VCE(sat) (C)P (D)PCmax，VCE(cut-off) (D)P

關於邏輯電路之敘述，下列何者正確？ (A)靜態邏輯（Static Logic）電路切換過程無動態功率（Dynamic Power）消耗 (B)動態邏輯（Dynamic Logic）電路在穩態時有導通路徑將輸出值連結至最高或最低電壓 (C)組合式邏輯（Combinational Logic）電路之輸出值僅與輸入布林變數之目前狀態有關 (D)或閘（OR Gate）為序列式邏輯電路

承上題，如輸入訊號V 為一方波時，則輸出訊號V 應為：io (A)方波 (B)鋸齒波 (C)矩形波 (D)三角波ssT+= 1010)(

如圖振盪器電路，下列何者為非？3如圖振盪器電路，下列何者為非？ (A)此電路為積分相位落後型RC 相移振盪器 (A)此電路為積分相位落後型RC 相移振盪器 (B)輸出訊號欲達成振盪，R2及R3設計值必需符合R2≥29R3之條件 (B)輸出訊號欲達成振盪，R (C)振盪頻率為 (C)振盪頻率為ntn＝0.5V，電晶體Qp之臨限電壓為Vtp＝-0.5V，當輸入電壓V ＝0V時，輸出電壓V 為：ioCmax及VCEmax的虛線外，另外兩條虛線代表的限制值為：（註：Sat-飽和，Cut-off截止），VEmaxBC(sat)，VEmaxBC(cut-off)Cmax，VCE(sat)Cmax，VCE(cut-off)及R23設計值必需符合R2≥29R3之條件11CR26π (D)三組RC 串聯電路中，每一組的RC 電路負責移相120º

關於理想運算放大器之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為0 (B)輸出阻抗無限大 (C)差動增益（Differential-mode Gain）為0 (D)共模增益（Common-mode Gain）為0

有一系統的轉換函數為，試問下列敘述何者正確？ (A)-3dB 截止頻率為1 rad/s (B)直流增益為10o (C)此為一高通電路 (D)高頻時相角接近 -90

圖為射極隨耦器（Emitter Follower）等效電路，V的零點為：/VOUTINπCgmππCr1 (B) (A)ππ+Cr/1gmπCR1L (D) (C)VDD

圖示電路為何種濾波器？ (A)高通 (B)帶通 (C)低通＋－＋－RVVCio (D)帶拒

下圖中，已知電晶體β =250 及VBE=0.7V，則V之近似值為何？CE (A)5.32V22V (B)7.84V (C)12.03V (D)20.15V

分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之轉導值gm皆為1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗（rIbVi10kΩRoVoM1M2R1R2vIvO+－+－0.5kΩRL9VIvIR1R2vO－+RBBVOVCCVinRCo＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？5分析圖中放大器電路，若nMOSFET M1 及M2 之轉導值gm (A)其電壓增益之絕對值約為10 (A)其電壓增益之絕對值約為10皆為1mA/V，且忽略不計其輸出阻抗（r ＝∞）。關於本放大器之敘述，下列何者有誤？o (B)輸出信號Vo 與輸入信號Vi 同相 (B)輸出信號Vo 與輸入信號Vi 同相 (C)輸出阻抗約為1kΩ (C)輸出阻抗約為1kΩ (D)本電路具有高輸入阻抗 (D)本電路具有高輸入阻抗

圖中電路之功能為：LViVoRC＋－ (A) 帶拒濾波器 (B)高通濾波器 (C)低通濾波器 (D)帶通濾波器

一箝位電路如圖所示，若D為理想二極體，試問輸出電壓Vo之範圍為何？ (A)V18V4≤≤oV (B)V410V≤≤−oV (C)V418V−≤≤−oV (D)V10V4≤≤−oV+7V-7VViViVoCD4Vt0Vout18kΩ40kΩ1.5kΩRCCBER1VinR2RE4kΩ

圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、R1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為-1V時，此輸出電壓vO為若干V？6圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V、R (A)-4 (A)-4 (B)-5 (B)-5 (C)4 (C)4 (D)12 或-12 皆有可能 (D)12 或-12 皆有可能

對於理想電流放大器（Current Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為0 (B)輸出阻抗為0 (C)輸入阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電壓放大器特性相同

下列那一類功率放大器電晶體導通角度最小： (A)A 類 (B)AB 類 (C)B 類 (D)C 類

X及Y為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1及A2，輸入阻抗分別為Ri1及Ri2，輸出阻抗分別為Ro1及Ro2，將X的輸出端接至Y的輸入端，則連接後整體的電壓增益為：7X及Y為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A (A)1＝10kΩ、R2＝40kΩ，當vI為-1V時，此輸出電壓vO為若干V？及A ，輸入阻抗分別為R 及R12i1i2，輸出阻抗分別為Ro1及R ，將X的輸出端接至Y的輸入端，則連接後整體的電壓增益為：o22ool2ili21RRRRAA++2ili2ool21RRRRAA++2ool2o21RRRAA+2iol2i21RRRAA+ (B) (C) (D)

在雙極性接面電晶體共射極組態中，理想小訊號電源是經由一個耦合電容Cc 進入基極，電容Cc 之目的為： (A)隔離放大器與電源間的直流 (B)增加輸出阻抗 (C)隔離交流訊號 (D)隔離雜訊

編號7805 的穩壓積體電路，一般應用於多少伏特的穩壓電路： (A)-5V (B)-12V (C)12V (D)5V

若量一電晶體電路的數據為gm＝80mA/V。當IB＝110μA時I ＝9mA，當IBCBB＝130μA時IC＝11mA。則其電晶體基-射極間之小訊號電阻值r 約為：π (A)1.25kΩ (B)2.5kΩ (C)3.75kΩ (D)6kΩ

雙極性接面電晶體（BJT）若工作於作用區（Active-Region），其偏壓需滿足下列何種條件？ (A)基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為順向偏壓 (B)基-射極接面為順向偏壓，基-集極接面為反向偏壓 (C)基-射極接面為反向偏壓，基-集極接面為順向偏壓 (D)基-射極接面為反向偏壓，基-集極接面為反向偏壓

一差動放大器之共模拒斥比CMRR=1000，差模增益Ad = 50，兩個輸入訊號分別為150 μV及50 μV，則輸出電壓為下列何者？ (A)0.5005 mV (B)5.005 mV (C)50.05 mV (D)500.5 mV

某運算放大器其開迴路增益（Open Loop Gain）的單增益頻率（Unity Gain Frequency）ft＝1MHz，若以此運算放大器接成如圖之反相放大器，其中頻增益為-1，則此反相放大器的3dB頻率為： (A)1MHz (B)750kHz (C)707kHz (D)500kHz

下列何者為齊納（Zener）二極體作為穩壓用時的工作區域？ (A)ⅠID (B)Ⅱ (C)Ⅰ及Ⅱ (D)Ⅲ

差動放大器能消除下列何種雜訊？ (A)同相單端輸入雜訊 (B)同相雙端輸入雜訊 (C)反相單端輸入雜訊 (D)反相雙端輸入雜訊

圖中齊納二極體（Zener Diode）的rZ＝20Ω，IZK＝0.2mA，VZK＝6.7V，若齊納二極體（Zener Diode）仍在累崩區工作，則最小負載電阻R 約為：L (A)0.5kΩ (B)1.0kΩ (C)1.6kΩ (D)2.5kΩ

利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為： (A)SRAM（靜態隨機存取記憶體） (B)EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體） (C)DRAM（動態隨機存取記憶體） (D)ROM（唯讀記憶體）

如圖，欲使此四對一多工器執行NAND 運算，如其輸出所示，則輸入信號(a, b, c, d)應為何種資料？ (A)(0, 0, 0, 1) (B)(0, 0, 1, 1) (C)(1, 1, 0, 0) (D)(1, 1, 1, 0)

在A 類（Class A）、B 類（Class B）、AB 類（Class AB）、C 類（Class C）放大器中，以那一類放大器之功率轉換效率最低： (A)A (B)B (C)AB (D)C

圖為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic，ECL）電路。其中VⅠ為輸入，VO1、VO2為輸出，VCC為電壓源，VR為參考電壓，Ⅰ為偏置電流源（Bias Current Source）。當IC1/IC2>99 時，VO1為邏輯“0＂。則其輸入電壓VⅠ為：（方程式中，VT＝0.025V） (A) VR-VTln(99) (B)VR+VTln(99) (C)VR+99VT (D)VR-99VT

如圖所示之CMOS電路，輸出F與VDD之間為pFETs元件組態，輸出F與接地之間為nFETs元件組態，則其輸出F為： (A)wzxy + (B)(x + y)(w + z) (C)(x + w)(y + z) (D)zywx+

圖中電路用來當作數位反相器（Inverter），其中VCC＝5V，RC＝1kΩ，RB＝5kΩ，電晶體之VCE(sat)＝0.2V，VBE(on)B＝0.7V，β＝100。此電路之低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML）約為： (A)3.3V (B)2.5V (C)1.5V (D)0.5V

如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若Vcc＝5V且輸入電壓Vi＝0V，下列敘述何者為正確？ (A)Q2不導通、Q3不導通、輸出電壓Vo＝5V (B)Q2導通、Q3不導通、輸出電壓Vo＝5V (C)Q2不導通、Q3導通、輸出電壓Vo＝0V (D)Q2導通、Q3導通、輸出電壓Vo＝0VIIIvz0VDIIIVCCRCIC1IC2VO1VO2VRQ2Q1RCVIIViQ1D1Q21 kΩ1.6 kΩ1.6 kΩQ3Vo4 kΩVccVcc

考慮一加強型NMOS電晶體，於VGS = 3.3 V且 VDS = 2 V時量得電流 ID = 1.5 mA，同一製程之電晶體若在相同操作電壓下欲得到更大之電流，可藉由下列何項方式達成？ (A)選擇閘氧化層（gate oxide）厚度較厚之元件 (B)選擇通道長度（channel length）較長之元件 (C)選擇通道寬度（channel width）較大之元件 (D)使基板（substrate）偏壓由 VSB = 0V至VSB = 2V

何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode）正確的檢光工作區域？13何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode）正確的檢光工作區域？ (A)鄰近順向累崩區 (B)反向飽和區 (C)鄰近反向累崩區 (D)順向線性區 (A)鄰近順向累崩區 (B)反向飽和區 (C)鄰近反向累崩區 (D)順向線性區

關於圖中振盪器之敘述，何者錯誤？ (A)輸出信號（V ）近似為方波0 (B)R1越大振盪頻率越低 (C)R2越大振盪頻率越低R2R1VoR3C＋－ (D)R3越大振盪頻率越低

如圖，此兩輸入端（two-input）之二極體（diode）邏輯電路，可執行何項運算？ (A)NOT (B)AND (C)OR (D)NANDx014:1y"a""b""c""d"h (x, y) = x．y0123VDDwxwFzyxyz+5VD1V1V2ID1ID2D2VOIR

如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及多工器（Multiplexer）所組成，其中χχ31 0MUXχ2χ1χ01 0MUX1 0MUX1 0MUXLDCLKCLRQ'QDQ'QDQ'QDQ'QDz3z2z1z0VINVOUT+－RRCRR3R4+－+－+－+－R1R2R5R6C1C2VoViR1R2C1VoViR3R4R1R2C1C2VoViR3R4R1R2C1C2VoVi+－3、χ2、χ1、χo為輸入訊號，z3、z2、z1、z0為輸出訊號，LD為載入控制訊號，CLR為清除控制訊號，CLK為時脈（Clock）訊號。試問此為何種數位電路？14如圖所示之數位電路由D正反器（D Flip-Flop）及多工器（Multiplexer）所組成，其中χ (A)暫存器（Register） (A)暫存器（Register） (B)計數器（Counter） (B)計數器（Counter） (C)移位器（Shifter） (C)移位器（Shifter） (D)解碼器（Decoder） (D)解碼器（Decoder）

如圖電路，下列何者為錯誤？ (A)此電路為一階低通濾波器R4＋－R3R1C2C1R2ViVo34RR (B)低頻訊號增益為1+212121CCRRπ (C)高頻截止頻率為 (D)頻率響應圖為fAv = Vo/Vi＋－RCLVoVi

如圖之二極體電路，若輸入波v 為正弦波，且其週期為T，則電路之輸出波形最接近下列何者﹖SvORCvS (A) (B)T/2T3T/22TTimevOT/2T3T/2TimevO (C) (D)

一個256 百萬位元（32 百萬位元組×8 位元輸出）之記憶體，其記憶體位址共需要若干位元？15一個256 百萬位元（32 百萬位元組×8 位元輸出）之記憶體，其記憶體位址共需要若干位元？ (A)15 (B)18 (C)25 (D)28 (A)15 (B)18 (C)25 (D)28

關於圖中電路，下列敘述何者正確？ (A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器

理想運算放大器具有虛擬短路（virtual short circuit）性質時，主要是因為那兩端之間存在回授電路所致？ (A)反相端（inverting terminal）與輸出端（output node）之間 (B)非反相端（non-inverting terminal）與輸出端（output node）之間 (C)反相端（inverting terminal）與接地（ground）之間 (D)非反相端（non-inverting terminal）與接地（ground）之間

圖所示為一具有理想放大器之濾波器，以下何者為錯誤？16圖所示為一具有理想放大器之濾波器，以下何者為錯誤？ (A)全通（All Pass）濾波器 (A)全通（All Pass）濾波器 (B)當頻率趨近於零，VOUT/VIN相位趨近於-180 度 (B)當頻率趨近於零，V (C)|VOUT/VIN|不受頻率變化影響 (C)|V (D)當頻率等於 (D)當頻率等於3、χ 、χ 、χ21o為輸入訊號，z 、z 、z 、z3210為輸出訊號，LD為載入控制訊號，CLR為清除控制訊號，CLK為時脈（Clock）訊號。試問此為何種數位電路？/VOUTIN相位趨近於-180 度/V |不受頻率變化影響OUTINπRC21，V/VOUTIN相位為：90 度

圖中等效電路的電壓增益，以下何者為錯誤？ (A)有一個非無窮大的零點（Zero） (B)有兩個極點（Pole） (C)低頻電壓增益為：-gmRL (D)單位增益頻率（Unit Gain Frequency）為：gm/2π(C+CL)CgmVinVinVoutCLRL

在室溫下，考慮一pn接面矽半導體，p側之電子濃度為1×107 cm-3，n側之電洞濃度為1×105 cm-3，當施加一逆向偏壓時，空乏區之分布應為下列何者？ (A)大部分空乏區位於n 側 (B)大部分空乏區位於p 側 (C)n 側空乏區與p 側空乏區一樣大 (D)p 側沒有空乏區

下列圖示電路，何者非為高通濾波器（High Pass Filter）？ (A) (B) (C) (D)C

圖示電路，其中R ＝2R21，且二極體導通時的電壓降為0.7V。若輸入電壓vI＝-2V，則輸出電壓vO為若干V？＋－R2R1vIvOD2D1 (A)-4 (B)-2 (C)0 (D)4值為何？

如圖為共源級放大器（common source amplifier）電路，其飽和區之電流方程式為IDp = KP(VSGP – |VTP|)2，電晶體參數為：KP = 1 mA/V2，VTP = -2 V，且λ= 0。若電路參數RD = 1 kΩ，RL = ∞ 且VSDQ = 5 V，則此放大器之小信號電壓增益為： (A)-2 (B)-4 (C)-6 (D)-8CC1vivoCC2CSRLRD-9VRG = 500 kΩ+9VIQ+-T/2T3T/2 TimevOT/2T3T/2 TimevO

圖中電路，其V/VVo+－+－V1V22kΩ4kΩ2kΩ4kΩ3kΩ3kΩ+15V－15V+15V－15V0~3kΩR1R2Vo+－IBB+－VoViR＝1kΩ1pFVoV1V2VBBVDDQ1QQ3Q4QBB2+－R1R2R3R4v1v2vOoutin的零點（Zero）為：RVV-1-1 (A)(RLC) (B)(RC)outin (C)gm/C (D)[(R+RL)C]-1Rg

圖中電路，若運算放大器為理想，則Ii＋－1 kΩ1 kΩ1 VIiVO4 kΩ (A)0.25 mA (B)1 mA (C)4 mA (D)5 mA

欲對一MOSFET 放大器電路之電壓增益作頻率響應之分析，若此電路中同時含有旁路電容（bypasscapacitor）及耦合電容（coupling capacitor），則此電路在分析時，對於電路中各種電容狀態之設定，下列何項最為正確？ (A)進行低頻帶（low frequency）分析時，MOSFET 電晶體內部電容短路 (B)進行中頻帶（midband frequency）分析時，旁路電容開路、耦合電容短路 (C)進行高頻帶（high frequency）分析時，旁路電容短路、耦合電容短路 (D)無論頻率高低，一律設定旁路電容開路、耦合電容短路

圖中電路，R1＝10kΩ，R2＝1MΩ，若運算放大器的輸入偏移電壓（Offset Voltage，VOS）為1mV，輸入偏壓電流（BiasCurrent，IB）為0.2μA，則輸出的可能最大偏移電壓約為：B (A)0.5V (B)0.3V (C)0.1V (D)-0.1V

圖示理想運算放大器電路，若R ＝2kΩ、R ＝6kΩ、R ＝3kΩ、R ＝6kΩ，今輸入訊號v1234I＝1mV，則輸出電壓v 為若干mV？o＋－＋－R4R3R2R1vIvo (A) -8 (B)-6 (C)6 (D)8

如圖電路中，其中的運算放大器為理想情況下，令V1 =4V，V2 =1V及V3 =4V，求其輸出電壓V 為：o (A)3V2R4RV3V2V1 (B)1.5VR (C)-1VVoR (D)-2.5VR

如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V1＝2V、V2＝1V，試求其輸出電壓Vo範圍應為多少？ (A)-6V～-3V (B)+3V～+6V (C)-4V～-2V (D)+2V～+4V

圖為含射極電阻R 的差動放大器（Differential Amplifier）。其中R ＝REC1C2＝8kΩ，RE＝100Ω，IB1＝IB2＝0.5mA，電晶體的β為100。則差動放大器的差模電壓增益約為： (A)80V (B)75 (C)60CCC1RC2VO+VO－VI－VI+REQ1Q2IB2IB1R (D)40

如圖之電流鏡偏壓電路，若M1，M2，M3 及M4 為完全相同且尺寸一樣的四個加強型MOSFET 電晶體，下列敘述何者錯誤？ (A)為使電路提供穩定電流，四個電晶體均需工作於飽和區iOUT（saturation region） (B)iOUT = IREFvOUTM2M1M3M4IREF (C)v(M1) = v(M3)DSDS (D)此疊接電流鏡（cascode current mirror）之架構可降低輸出電阻值

關於圖中電路之轉移函數，下列敘述何者錯誤？ (A)此為低通濾波器 (B)其低頻增益為1 (C)其頻寬約為106 rad/sec (D)R 越大則其頻寬越窄

共射極（CE）電晶體放大電路中，RE為射極端外接電阻，hie為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值： (A)接近R (C)接近h (D)遠小於h (B)遠大於REEieie

如圖電路，何項敘述錯誤？ (A)M1-M2 組成差動放大器之輸入差動對（differential pair）v1ID1RDM1M2RDID2I1R1V+ = 10 Vv2M3M4V - = -10 VIQ (B) M3-M4 為一電流鏡 (C)最小共模輸入電壓值（minimum common-mode input voltage）為V - + VDS4(sat) + VGS1 (D)最大共模輸入電壓值（maximum common-mode input voltage）為V+ -VDS1(sat) + VGS1AB

圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。若電晶體都有相同的爾利電壓（Early Voltage，VA）100V；且都設計在相同的驅使電壓（Overdrive Voltage，VGS-Vt）0.2V，Vt為臨限電壓。則此電路的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain，Acm）約為： (A)-2×10-3 (B)-10-3 (C)-5×10-4 (D)-2.5×10-4

如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β (＝Ic/Ib)為210，以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗r(＝V /V為50 kΩ，則此放大器的電壓增益A)約為多少？oVoi (A) -1002.6 kΩ+20V90 kΩVoVi10 kΩ650 Ω (B)-200 (C)-300 (D)-400

承上題，若R1 = 40 kΩ，且電晶體參數：Kn = 0.25 mA/V2，VTN = 2 V，λ= 0。飽和區之電流方程式為I2= KDnn(V– V，則偏壓電流I 之大小最接近那一個數值？)GSNTNQ (A)0.1 mA (B)0.2 mA (C)0.3 mA (D)0.4 mA

雙極性接面電晶體（BJT）中，下列何種電路組態其電壓增益（Av）及電流增益（Ai）均遠大於1？ (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態

P-通道增強型（Enhancement Type）MOSFET通道導通的條件是（VTH：臨限電壓）： (A) V＝0 (B)V (C)V (D)V> V< V>0GSGSTHGSTHGS

如圖為功率放大器電路，則其vO對v 之轉換特性曲線應近似為：I+VCCQNvIR1vOAQPRL-VEE (A) (B)vOvOvvII (C) (D)vOvOvvII

圖示理想運算放大器電路，若R1＝2kΩ、R2＝6kΩ、R3＝10kΩ、R4＝10kΩ，今輸入訊號v1＝v2＝1V，則輸出電壓vO為若干V？ (A)-6 (B)-4 (C)-1 (D)1LmVVxx

下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型MOSFET？ (A)汲極回授偏壓 (B)自給偏壓 (C)分壓偏壓 (D)固定偏壓

電路上應用負回授（negative feedback）之觀念，下列何者錯誤？ (A)使用負回授可提升電路抗雜訊之能力 (B)負回授可降低電路之非線性效應 (C)負回授具有穩定輸出且會提高增益 (D)電壓放大器使用負回授電路時，可提高輸入電阻值

以下各種場效電晶體，何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值？25以下各種場效電晶體，何者具有較低之通道電阻與較高之電流及功率額定值？ (A)VMOSFET (B)JFET (A)VMOSFET (B)JFET (C)空乏型MOSFET (D)增強型MOSFET (C)空乏型MOSFET (D)增強型MOSFET

如圖所示為一個交流等效電路，其輸入阻抗(Zin＝V ／I )為：ib (A)rπ+REb＋－－＋IbcrπβIbVoRCREeIe = (1+β)IbViZin (B)rπ (C)rπ((1+β)R )E (D)rπ+(1+β)RE

以下電路將金氧半場效電晶體（MOSFET）接成一個只具備兩端點（A 及B）的元件，試問此元件可以等效於那一種元件？ (A)電感 (B)電容 (C)電阻 (D)二極體

圖中N通道增強型MOSFET的VRD+5VVD＝0.1V+－+－ V+－RBBRCIBBVBECCVBBVoViZoCsID+20V4.7kΩ680kΩ1kΩVDDClockAYClockt＝1V，則其工作於：26圖中N通道增強型MOSFET的V ＝1V，則其工作於：t (A)三極管區（Triode Region） (A)三極管區（Triode Region） (B)飽和區（Saturation Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)截止區（Cut-off Region） (C)截止區（Cut-off Region） (D)主動區（Active Region） (D)主動區（Active Region）

如圖的全波整流器電路，各二極體導通之VD＝0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰（Peak-to-Peak）為12V之正弦波，則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為： (A)12V (B)11.3V (C)10.6V＋－＋－VOVIR (D)9.2V > 答案：?

有一個接面二極體，當處於開路平衡狀態時的空乏區寬度為W1，處於順向偏壓狀態時的空乏區寬度為W ，而處於逆向偏壓狀態時的空乏區寬度為W23，請問W 、W 、W123之關係為何？ (A)W (C) W (D) W1 > W2 > W3 (B) W1 = W2 = W33 > W1 > W22 > W1 > W3及C ）的功能分別為何？

求圖中基－射極接面迴路中的電流IB為：27求圖中基－射極接面迴路中的電流IBBB為：BBEBBBRVVI+=BBBBEBRVVI−= (B) (A)BBEBBBRVVI−=BBEBBBRVVI−−= (D) (C)

在室溫下，加熱一矽半導體，若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大，則可推測該矽半導體最可能是： (A)n+型半導體 (B)p+型半導體 (C)純矽半導體 (D)無從推測

請問圖中電容（C13ViVDDRSC1VoVDDRsigRLC2C3R2R1RDvo1VDDQREFQ1IREF0.5mAQ35(W/L)2(W/L)8(W/L)VDDvi1VDDVDDQ4Q52(W/L)3(W/L)Q2Q6vi2vo2I1I24Kٛ2Kٛ1Kٛ2Kٛ3VVo4V12VviQ1IVDDVB2VB3Q2Q3voRo (A)C1及C 皆為旁路（bypass）電容3 (B) C 為交流耦合（ac-coupling）電容，C13為旁路（bypass）電容 (C) C 為旁路（bypass）電容，C13為交流耦合（ac-coupling）電容 (D) C 為分壓電容，C 為交流耦合（ac-coupling）電容13

如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知工作點閘源極電壓V為-2.6V，汲極電流IGSD為2.6mA，IDSS為8mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）Vp為-6V，不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗r 的影響，則此放大器的輸出阻抗Z 約為多少？do (A)1kΩ (B)4.7kΩ (C)47kΩ (D)680kΩ

一塊半導體置於均勻磁場B 中，若有電子流流向正X 方向，霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼方向？YXZB電子流 (A)正Y (B)負Y (C)正Z (D)負Z

根據圖中電晶體標示的尺寸求出I 及I 的電流值。12 (A)I1 = 1 mA，I2 = 1.5 mA (B) I1 = 0.2 mA，I2 = 1.2 mA (C) I1 = 0.5 mA，I2 = 3 mA (D) I1 = 1 mA，I2 = 6 mA

若電晶體工作在基－射極接面為順偏，基－集極接面為逆偏下，已知IC＝1.99mA及IE＝2mA，則IB及β值分別為：B (A)0.01mA、199 (B)0.01mA、0.995 (C)3.99mA、199 (D)3.99mA、0.995

蕭特基電晶體邏輯（Schottky-Transistor Logic）電路動作速度比雙極性電晶體邏輯（Transistor -TransistorLogic）快的原因是因為蕭特基電晶體： (A)沒有RC 延遲因素 (B)不會進入深飽和區 (C)載體移動率較快 (D)載體以穿透效應傳輸

如圖所示之電路，假設二極體導通時兩端之電壓降為0.6V，試求輸出電壓V 之值為何？o4V12V1kΩ2kΩVo3V4kΩ2kΩ (A)0.8 V (B)1.7 V (C)7.6 V (D)4 V

EPROM 將記憶體單元中的資料清除，是採用： (A)通道抹除法清除 (B)源極抹除法清除 (C)汲極抹除法清除 (D)紫外線清除

將硼(B)元素摻進純矽晶體中，則成為何種型別的半導體？ (A)N 型 (B)P 型 (C)空乏型 (D)增強型

以下那一項不是理想運算放大器（OP Amplifier）的特性？ (A)無窮大的開迴路增益 (B)無窮大的輸入阻抗 (C)無窮大的共模增益 (D)無窮大的頻寬

PN 接面二極體，若以接面處為界，在P 型側空乏區內的電荷為： (A)正電荷 (B)負電荷 (C)電中性 (D)視雜質濃度而定

圖中振盪器，C1＝10μF，C ＝20μF，L＝100nH，R＝10kΩ。電晶體的跨導（Transconductance，g2m）需約為多少才能維持振盪：C1C2LR (A)20mA/V (B)2mA/V (C)0.2mA/V (D)0.02mA/V)(sVVio

假設圖中放大器之所有電晶體（Q1, Q2, Q3）的小訊號參數分別為（g 、g 、g ）及（rm1m2m3o1、ro2、ro3），v 為輸入電壓，ViB2及VB3為偏壓電壓；電流源（I）為理想電流源，試推導圖中電路的等效輸出阻抗（RVDDIvoRoVB3VB2Q3viQ2Q1）。o (A)ro3r (B)gm3 o3r ro2 o1 (C)ggrm3 m2 o3r ro2 o1 (D)gggrm3 m2 m1 o3r ro2 o1

圖所示為一動態邏輯（Dynamic Logic）電路。以下何者為錯誤？ (A)時脈（Clock）等於0 V 時，Y 等於“1＂ (B)時脈（Clock）等於VDD時，Y等於A (C)低位雜訊邊界（Noise Margin For Low Input, NML）＝VtN，其中VtN是N型金氧半電晶體（NMOSFET）的臨限電壓（Threshold Voltage） (D)高位雜訊邊界（Noise Margin For High Input, NMH）＝VDD-V ，其中VtPtP是P型金氧半電晶體（PMOSFET）的臨限電壓

關於之敘述，何者正確？＋－CR2R1ViVo (A)此為低通濾波器 (B)此為帶通濾波器21RR− (C)其高頻增益為 (D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低

圖中的電壓放大器增益(A)為-100V/V，並且存在一個1 MΩ的電阻（Z）跨接於此放大器的輸入與輸出端，若利用米勒定理將此電阻（Z）等效成一個輸入電阻（Z1）接於放大器的輸入端及一個輸出電阻（Z ）於放大器的輸出端，試計算Z 與Z 以及電壓增益（A）的值。= V /V212voi (A)Z =9.9 kΩ，Z =0.99 MΩ，AViVoR=10kٛAZ=1Mٛ=-49.7V/VR=10kΩZ=1MΩViVoA12v=0.99 MΩ，Z =9.9 kΩ，A =-49.7V/V (B)Z12v=0.99 MΩ，Z (C)Z=9.9 kΩ，A =-99V/V12v=9.9 kΩ，Z =0.99 MΩ，A (D)Z=-99V/V12v

一電路的轉移函數（Transfer Function）含兩個極點（Pole）：f＝33一電路的轉移函數（Transfer Function）含兩個極點（Pole）：fVo圖(a)圖(b)ViViVoDRVt+－+－D1D2D3D4+－RvivotVi(t)-10V+10VViVo+－+VCC-VEEVoVi+－VoVccC1C2C3C4Q1Q2R1R2R4R3R5R6P1、fP2，和一個零點（Zero）：fZ。若fP2P1、fP2，和一個零點（Zero）：fZ。若fP2f 、f＝2P1Z＝2 fP1，則此電路的頻寬約為： (A)2 fP1 (B)f (C)f (D)0.5 f2P1P1P1

由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。其中R ＝R ＝10kΩ，負載電阻R ＝20kΩ。若輸入電壓V12LIN＝2V，則負載電壓VL為何？＋－RRR1R2RLVL＋－VIN (A)0.5V (B)1V (C)2V (D)4V

請問圖中的回授放大器是屬於那一種型態？RCVDDRFQ1IiVo (A)輸出感測電流，回授電流 (B)輸出感測電壓，回授電流 (C)輸出感測電壓，回授電壓 (D)輸出感測電流，回授電壓

圖(a)為一個半波整形電路，圖(b)為其輸出V 對輸入Voi曲線。若運算放大器為理想，二極體D之導通電壓為0.7V，則圖(b)的臨限電壓V 值約為何？t (A)0V (B)0.7V (C)1V (D)1.7V

圖示理想運算放大器電路，若輸出電壓vO＝2(v1－v2)，則： (A)R1＝2kΩ、R2＝4kΩ、R3＝10kΩ、R4＝10kΩ＋－R1R2R3R4vOv1v2 (B)R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝5kΩ、R4＝10kΩ (C)R1＝1kΩ、R2＝2kΩ、R3＝3kΩ、R4＝4kΩ (D)R1＝2kΩ、R2＝3kΩ、R3＝3kΩ、R4＝8kΩ及Z 分別代表輸入及輸出阻抗，r

矽（Si）本質半導體掺雜以下何種元素可以將其轉變成以自由電子為主要導電載子之半導體？ (A)磷 (B)硼 (C)碳 (D)鎵

右圖二極體整流電路中，二極體為理想二極體其逆向電壓值為PIV。電路之直流輸出電壓為Vdc，輸入交流電壓之至（Peak-to-peak）值為20 伏特，下列何者為正確結果？ (A)Vdc＝3.18V、PIV＝10V (B)Vdc＝6.36V、PIV＝10V (C)Vdc＝6.36V、PIV＝20V (D)Vdc＝3.18V、PIV＝20V

圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中，Ziod為MOSFET小訊號模型汲極區域內電阻，下列敘述何者正確？ (A)Zi＝R1+R2，Zo＝RD (B)Zi＝(R1 R2)/(R1+R2)，Zo＝RD (C)Zi＝(R1 R2)/(R1+R2)，Zo＝rd RD/( rd+RD) (D)Zi＝R1+R2，Zo＝rd RD/( rd+RD)

以下關於雙極性接面電晶體（BJT）放大器的敘述何者錯誤？ (A)需操作在主動區（active）才可以有較大的增益 (B)與金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器比較起來，增益較大但功率消耗也較大 (C)三種組態之放大器（共射極、共基極、共集極）中以共集極放大器的電壓增益最小 (D)三種組態之放大器（共射極、共基極、共集極）中以共基極放大器的輸入阻抗最大

如圖所示理想運算放大器電路，當輸入電壓Vi為一個正弦波時，其輸出電壓V 應為：o (A)三角波 (B)鋸齒波 (C)正弦波 (D)方波

圖中曲線為CMOS 反相器的電壓轉換曲線，操作在那一點時功率損耗最多？ (A)P1 (B)P2 (C)P3 (D)P4

假設圖中運算放大器為理想運算放大器，請計算出圖中的電路之輸出電壓為何？VoRf =RA2R2R2R2R2VRR2RR2VRRR2R2R2R2R2RRf = RVoA (A)-1.25 V (B)-1.125 V (C)-0.625 V (D)-0.5625 V

如圖所示屬何種電路？ (A)兩級間串接RC 耦合放大器 (B)兩級間串接直接耦合放大器 (C)達靈頓（Darlington）電路 (D)兩級間串接變壓器耦合放大器

PN接面二極體，P型的雜質濃度為NA，N型的雜質濃度為ND，接面處P型的空乏區寬度為XP，N型的空乏區寬度為XN，若NA＞ND，則下列敘述何者為正確？ (A) XP＞XN (B)XP＜XN (C)XP＝XN (D)NAXP＞NDXN

右列電路的邏輯函數（Y）為何？VDDYABCDDCBAY++=)( (A) (B)DCBAY++=)( (C)DBCAY)(+=DBCAY)(+= (D)

下列何者與光電效應有關？ (A)光電晶體 (B)熱敏電阻 (C)霍爾元件 (D)磁簧開關

設VBE＝0.7V，則圖中的電流IC約為： (A)10.0mA (B)6.0mA (C)4.3mA (D)3.8mAVDDRDVRo1DZoC (∞)1GViSZRi2CS (∞)RSV0 (V)Vi (V)5.05.000P4P3P2P13 kΩ＋－VCC=20V250 kΩICIEIBVBEβ=1002 kΩ

如下圖所示之電路，Vi = 25 V，Ri = 1 kΩ，齊納（Zener）二極體之額定功率為144 mW，Vz = 12 V ，欲維持穩定12 V負載電壓，負載電阻RL 之最大值應為下列何者？ (A)8 kΩRLZRiVi+- (B)12 kΩ (C)15 kΩ (D)18 kΩ

下列何種元件的輸入阻抗值最大？ (A)雙極性接面電晶體（BJT） (B)接面場效電晶體（JFET） (C)金氧半場效電晶體（MOSFET） (D)雙極性接面電晶體（BJT）和接面場效電晶體（JFET）皆一樣大

圖中電路，假設VIN＝VDD，VG＝VDD，V＝4V，C＝100fF。電晶體的臨限電壓（Threshold Voltage，VDDTH）為1V，本體效應（Body Effect）可以忽略。製程跨導參數（Process Transconductance Parameter，μnCox）為50 μA/V2。寬長比（Aspect Ratio，W/L）為2。則此電路的VO從0 V升至VDD/2 所需要的時間約為： (A)1ns (B)0.8ns (C)0.4nsVGVOVINC (D)0.2ns

考慮如圖(a)之MOS反相器電路（Inverter），其中M1 之電性如圖(b)，請根據電路之連接方式決定M2之負載特性曲線（縱軸為iD，橫軸為v）應為下列何者？OUTvOUTvINID5V2.5VM2M1圖(a)圖(b)iD(mA)vOUT(V)012345 (A) (B) iD(mA)vOUT(V)012345iD(mA)vOUT(V)012345 (C) (D)ivOUT(V)012345ivOUT(V)012345D(mA)D(mA)

矽二極體的逆向電阻會隨溫度增高而： (A)增加 (B)不變 (C)減小 (D)先減小後增大

某場效電晶體A 對頻率f曲線如圖，其頻帶寬(BW)之定義為：v (A)BW＝f4-f1 (B)BW＝f4-f3 (C)BW＝f2-ff310f4f1f21001,00010,000100,0001 MHz0.7071AvAvmid3 (D)BW＝f2-f1