電子工程 109 年電子學大意考古題

N 型半導體的主要載子為： (A)電洞 (B)中子 (C)質子 (D)電子

下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？ (A)輸入阻抗：0 (B)開迴路電壓增益：0 (C)共模電壓增益：0 (D)共模拒斥比CMRR：0

某場效電晶體工作在飽和區，其iD-vGS 關係如圖所示，則此電晶體為： (A)增強型NMOS (B)增強型PMOS (C)空乏型NMOS (D)空乏型PMOS

一個二極體pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是： (A)空乏電容 (B)擴散電容 (C)耦合電容 (D)旁路電容

某運算放大器的共模增益Acm = －0.01，差模增益Ad = 100，則其CMRR 為若干dB？ (A)－80 (B)－20 (C)20 (D)80

設計數位電路時，若採用N 通道或P 通道金氧半場效電晶體（MOSFET），一般情形不會使用到MOSFET 的那一個工作區（Operation Region）？ (A)飽和區（Saturation region） (B)線性區（Linear region） (C)三極管區（Triode region） (D)截止區（Cut-off region）

圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt= 1 V、μnCox(W/L) = 2 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電壓VD 的最小值為若干V？ (A)1 (B)2 (C)3 (D)4

圖示為理想運算放大器電路，若R1 = 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、Ra = 1 kΩ、Rb = 3 kΩ，v1 = 4 V，v2 = －2 V，則輸出電壓vO 為若干V？ (A)0 (B)5 (C)10 (D)12

如圖所示的OP AMP 放大器，其輸出vO = -0.2 V。假若此輸出電壓是由偏移電壓（offset voltage）所造成的。問偏移電壓之絕對值最接近下列何值？100 kΩ2 kΩvO−+4 mV (A) (B)20 mV (C)40 mV (D)200 mV

圖示電路中場效電晶體（FET）之Vt = −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（TriodeRegion）？ (A)VG = 1 V、VD = 1 V (B)VG = 2 V、VD = 3 V (C)VG = 3 V、VD = 2 V (D)VG = 4 V、VD = 5 V

圖示電路中場效電晶體（FET）之VTH = －0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（SaturationRegion）？ (A)VG = 5 V、VD = 4 V (B)VG = 4 V、VD = 4 V (C)VG = 3 V、VD = 4 V (D)VG = 2 V、VD = 4 V

有一理想二極體，在順向偏壓0.7 V 時導通電流為10 mA。今取10 個完全相同的二極體串聯之，並施以0.7 V 的偏壓，則此電路的導通電流約為： (A)∞ (B)100 mA (C)1 mA (D)非常小，近於0 mA

有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V3=1002×V2−998×V1，請問其共模排斥比CMRR（common-mode rejection ratio）約為多少？ (A)24 dB (B)36 dB (C)48 dB (D)60 dB2MΩ2MΩ1kΩRDVDVDVG4V+4VVCC-VEEV1V2V3−

圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為± 10V，二極體導通時兩端電壓為0.7 V，輸入電壓vI為+1 V，則vO 為若干V？ (A)－10 (B)0 (C)+1 (D)+10+5 VVDVG+－R1v1v2vORaRbR2+－vOvIRD－+

有一增益為A= 100 的放大器，將其置入一回饋迴路，設此迴路之回饋因素（feedback factor）為f = 0.1，則此系統之封閉迴路增益（closed loop gain）約為多少？99 (A) (B)9 (C)0.9 (D)0.09

如圖為定電流源電路，若Q1和Q2電晶體的輸出阻抗ro和電流增益β 所引起的效應不計，已知VCC = 5 V，VBE = 0.7 V，欲使電流為Io = 1mA，試求電阻R =？ (A)5.7 kΩ (B)4.7 kΩ (C)4.3 kΩ (D)3.3 kΩ

有一矽雙極性接面電晶體（SR1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω點T 最可能的工作模式： (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)主動模式（Active mode） (D)截止模式（Cut-off mode）

如圖，CMOS 場效電晶體的輸入端vI 接VDD 時，其輸出端vo 是處於下列何種狀態？ (A)上拉（pull-up）至VDD (B)下拉（pull-down）至地 (C)VDD/2 (D)QP與QN皆關閉，輸出浮接iDvGSVt0VDDVDDQPQNvovI

設計類比電路時，若採用NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到BJT 的那一種偏壓模式？ (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)順向主動模式（Forward active mode） (D)逆向主動模式（Reverse active mode）

如圖所示為一CMOS 反相器，載為電容CL。若輸入的信號v的平均電流？ (A)0 (B)(μpCox/2)(W/L)(VDD－|Vtp|)2 (C)VDDCL/(2T) (D)VDDCL/T

有一N 通道空乏型MOSFET 的IDSS = 12 mA，夾止電壓VGS(off) = - 4 V，當VGS = - 3 V 時，ID 之值應為多少？1 (A)mA (B)0.75 mA (C)0.5 mA (D)0 mA

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2的電壓波形如下所示，VCC=5V，R1=R2= 1 kΩ，R3= R4= 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1=βQ2= 100。試研判輸出接腳VO 在高準位輸出（VO@HI）時最可能的工作電壓。 (A)VO@HI= 5 V (B)VO@HI~ 4.8 V (C)4.8 V> VO@HI> 4.3 V (D)VO@HI< 4.3 V

一個NPN 雙極性電晶體，若β (A)集極電流與射極電流的比值 (C)電流的方向為由射極流入集

如圖所示之電路，設電晶體主動區之電流增益β 為40，則使此電晶體進入飽和區之最小IB值應為多少？+12 VIBR600 Ω2 (A)mA (B)1 mA (C)0.5 mA (D)0.25 mA

CMOS 反相器結構係由一個n 通道增強型MOSFET 與一個p 通道增強型MOSFET 組成，p 通道MOSFET 之源極接VDD，n 通道MOSFET 之源極接地。下列何者正確？ (A)若閘極輸入電位為0，p 通道MOSFET 導通 (B)若閘極輸入電位為VDD，輸出電位將為VDD/2 (C)若CMOS 輸出電位為0，n 通道MOSFET 關閉 (D)若CMOS 輸出電位為VDD，將有電流持續通過兩個MOSFETIo=1mAQ1Q2RQ1Q2R1R2R3R4VI1VI2VOVCCCLVI1VI25V5V0V~4V~2V~2V5V0V00t1t1t2t2ttTT~4V

類比積體電路中，使用電流鏡 (A)為了減少電路占用的面積 (C)為了提供比電阻性負載更小VIVISi-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益βQ1 = βQ2 = 100。）電晶體之μnCox = μpCox；兩電晶體之W/L 相同vi 為方波，其高電位為VDD、低電位為0，週期β = 50 且操作在主動作用區（active region），為1.02 (B)集極對射極的電壓應為正極 (D)基射極應為反偏或電流源來代替電阻性負載，下列何者錯誤？ (B)可降低電源電壓的等效電阻 (D)可提高放大器增益VDDQPviQnCLvot1T0t20Tt1~4V0VVI15V~4V~2VI2t2VCCVVI1VI2Q1R3R2R1R4Q2+－－－+t1t20T~2V形如下所示，VCC = 5 V，。試研判電晶體Q2 在時間同；Vtn = |Vtp|。反相器之負期為T。問流過電晶體QP下列何者正確？正值？tt5V0VVoCLt

有一雙極接面電晶體，其IS = 10-15 A，爾利電壓（Early voltage）VA = 50 V 且VCEsat = 0.4 V，若室溫時其轉導值（transconductance）為1/26 S，則此電路之偏壓電流IC 應為多少？ (A)10 mA (B)1 mA (C)100 μA (D)10 μA

如圖所示為一CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體QN 與QP 特性相同；μnCox = μpCox = 20 μA/V2，(W/L)n = (W/L)p= 10，Vtn = |Vtp| = 0.5 V。若VDD = 5 V，則電晶體QN 的汲極直流偏壓電流為多少？ (A)100 μA (B)200 μA (C)400 μA (D)1.6 mA

有一個電壓訊號v 對時間t 的函此電壓訊號加到一個1 Ω 的電 (A)36 W (B)90 W

下列表示法，何者是p 通道的接面場效電晶體（JFET）？ (A) (B) (C) (D)

一個OP AMP 的輸出的上下限為±10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬ft = 1 MHz。若輸出訊號為正弦波，其振幅為10 V，所能操作的最大頻寬最接近下列何值？ (A)16 kHz (B)100 kHz (C)160 kHz (D)1 MHz

理想CMOS 反相器（Inverter） (A)很大 (B)中等

圖中電路的放大器為一理想運算放大器，其電壓增益為何？ (A)-2 (B)-3 (C)-4 (D)-5

下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？ (A)電壓增益大於1 (B)電流增益大於1 (C)低輸入電阻 (D)高輸出電阻

如圖運算放大器電路，若電壓 (A)－4 V (B)4 V (C)－6 V (D)6 V

如圖所示之電路，如Ao = ∞，電容器初始壓降VC (0) = 0，輸入訊號為一弦波，假使輸出振幅為輸入訊號振幅的5 倍且RC = 0.8 μs，則輸入訊號之頻率值為何？1 MHz (A) (B)2 MHz (C)3 MHz (D)4 MHz

如圖所示為一箝位電路，若VE 為35 V 時，整個迴路的電流I 是多少？ (A)3.5 mA (B)5 mA (C)10 mA (D)35 mA

電容器C1~C3 配合變壓器T 及特、N1：N2=10：1 且變壓器與VC1~VC3 之敘述何者正確？ (A)VC1+VC2 = 20 V (B)VC1+VC3 = 30 V (C)VC2+VC3 = 10 V (D)VC1+VC2+VC3 = 40 V

半波整流電路以及半波整流-電容濾波電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）分別為A 伏特與B 伏特，所有二極體的順向特性及濾波效果均視為理想且相同的輸入信號為弦波時，A/B 之比值約為何？0.5 (A) (B)1 (C)2 (D)4

圖示為箝位電路及其輸入信號，其中D 為理想二極體且RC 時間常數遠大於輸入信號之週期，決定輸出信號的直流準位為多少伏特？ (A)−15 V (B)−5 V (C)5 V (D)15 V

用於中間抽頭變壓器型及橋式同為vi(t) = 100 sin(377t) 伏特，之峰值逆向電壓為PIV1 與PIV (A)PIV1 = 2PIV2 (B)Vo1

半波整流-電容濾波電路（二極體視為理想）之輸入信號vi(t)=18sin(754t)伏特，如果電容值C=100 μF與負載電阻RL=6 kΩ 之時間常數可形成類似鋸齒波之漣波波形輸出，該電路之漣波因素（r %）為何？0.18% (A) (B)0.8% (C)0.4% (D)3%VoViRRRRRVoutVinCAo

電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖，輸入信號vi(t) = Vpsin(377t) volt 且電容器C3於穩定狀態時所跨電壓VC3 = 30 volt，下列敘述何者正確？ (A)VC1=30 V (B)VC2=60 V (C)VC4=90 V (D)Vp=150 V1MΩ2.5kΩVDDQPQNvoviC=∞C=∞VE35VVZ =10VPD(max)=500mWRCD5VRvi(t)vi(t)vo(t)tvi(t)10-1010：1VC3VC4VC1VC2C2C1C3C4D3D4D2D1I

漣波因素（ripple factor）或漣波路所提供之相關資訊如輸出信值Vr(rms) = C 伏特，那一選項中 (A)A = 15，B = 12 (B)B =

下圖中，va(t)= 5 sin(10t)伏特，vb(t)=6 sin(10t)伏特，vc(t)=7 sin(10t)伏特，各二極體之導通電壓皆為0.7 V，導通電阻為0 Ω，則電阻R 之最大電流為何？3.3 mA (A) (B)4.3 mA (C)5.3 mA (D)6.3 mA

如圖所示的兩不同截波電路中，二極體均視為理想且輸入信號均為vi(t) = 8sin(ωt) volt，VR = 2 volt，則輸出vo1最大值與輸出vo2最小值之間的電壓差為多少伏特？ (A)4 V (B)6 V (C)10 V (D)12 V

圖示半波整流電路之輸入信號關於輸出信號vo(t)之頻率fo、有敘述何者正確？ (A)fo = 754 Hz (B)Vo(p) = 20 V (C)Vo(rms) = 7.1 V (D)Vo(dc) = 3.2 V函數為v(t) = 6 sin(2πf1t) + 12 sin(2πf2t) 伏特，f阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？W (C)144 W (D)）的靜態功率損耗為何？等 (C)與邏輯狀態有關 (D)增益A 為無限大，試求輸出電壓vo=？及二極體D1~D3 所構成之倍壓電路如圖，輸入信與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下全波整流電路的變壓器，初級/次級線圈匝數比變壓器與二極體均為理想，中間抽頭型及橋式V2、輸出信號有效值電壓為Vo1(rms) 及Vo2(rms) 間(rms) = Vo2(rms) (C)2Vo1(rms) = Vo2(rms) (D)波百分比（r%）用以評比整流-濾波電路之優劣號之有效值電壓Vo(rms) = A、平均值電壓Vo(dc)中電路的濾波效果最佳？= 12，C = 1 (C)r = 10 (D)vi(t) = 20 sin(754t) 伏特及N1：N2 = 2：1，變壓有效值電壓Vo(rms)、平均值電壓Vo(dc)、峰值電壓N1：N2－Dvi(t)vo(t)R++－5 kΩ10 kΩvoA2 V++－－+VC1－D3－+VC2VC3C3C1D1TN1：N2D2C2++－－+f1 = 5 kHz，f2 = 8 kHz。將 (D)180 W (D)零信號vi(t) = 100 sin(377t) 伏下電容器C1~C3 所跨電壓比均為N1：N2 且輸入信號式全波整流電路中二極體間關聯性何者正確？ (D)2PIV1 = PIV2劣，已知各種整流濾波電= B 伏特、漣波電壓有效 (D)A = 15，C = 1壓器與二極體均視為理想，壓Vo(p)等的約略值，下列

下圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C 之初始電壓為0 V，vi 之輸入如圖所示，下列敘述何者正確？+−t3V-2VvivoCvi (A)vo 之最高電壓為5 V (B)vo 之最高電壓為3 V (C)vo 之最高電壓為2.5 V (D)vo 之最高電壓為1 V

如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？ (A)11.6 V (B)21.6 V (C)24.6 V (D)110 V

圖示截波電路中，齊納（ZenVZ1= 5 V 與VZ2 = 7 V，當輸入信 (A)2 V (B)5 V (C)7 V (D)12 V

圖中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，若輸入電壓vi(t)=3 sin(10t)伏特，則| i | 的最大值為何？7 (A)mA (B)10 mA (C)33 mA (D)40 mA

如圖所示電路之主要功能為何？ (A)運算 (B)放大 (C)整流 (D)倍壓

振幅為8 伏特的三角形週期波的平均值電壓為多少伏特？ (A)0.5 V (B)1 V (C)－0.5 V (D)－1 V

如圖所示之電路，假設二極體為理想，輸入電源為峰值12 V 的正弦波，則其輸出電壓vout 之波形最有可能為下列何者？ (A) (B) (C) (D)vavbvcR=1kΩ100Ω1VD1voviivout6VvinR+−−+voutvoutvoutvout0V0V0V0Vtttt+−

如圖所示之電路，VIN 為一正弦波（DC 值為0 V，振幅= 10 V），假設RL= 1 kΩ，求VOUT 為何？ (A)10 V (B)20 V (C)30 V (D)40 V

如圖所示之電路，假如二極體 (A)5.37 V (B)10.58 V (C)23.3 V (D)109.3 V

如圖所示之電路，假設二極體為理想，若跨在C2 與C4 串聯上之直流電壓（Vc2+Vc4）為80 V，則電容C3 跨壓為何？20 V (A) (B)40 V (C)60 V (D)80 V

如圖所示之電路，最高與最低輸出電壓各為何？假設D1與D2為理想且Vin = 5 V（峰值），R1 = 1 kΩ，VB1= 1 V，VB2= 1.5 V。 (A)正6 V 與負6.5 V (B)正1 V 與負1.5 V (C)正4 V 與負3.5 V (D)正6 V 與負3.5 V

圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱 (A)正弦波 (B)三角波 (C)直流 (D)方波

分析如圖之電路，若二極體之電流ID 可表示為ID =IS exp(VD /VT)，VD 為二極體之跨壓，VT ＝25 mV，C1 與C2 之電容值為無限大，則vo /vi =？0 (A) (B)0.5 (C)1 (D)2

利用「橋式整流電路」做交流全波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號Vs 峰值大小： (A)大一個二極體順向啟動電壓 (B)大兩個二極體順向啟動電壓 (C)小一個二極體順向啟動電壓 (D)小兩個二極體順向啟動電壓vi(t)vi(t)vo1(t)vo2(t)RRDDVRVRvoutAC110Vrms60HzN1：N2=110：24VoutC1D1RLVinD1D2VOUTVINRLC1C2VinVinVoutVB1VB2D1D2R1t5V−+−++−

下列何者不是二極體電路的主 (A)整流電路 (B)截波

如圖電路，設二極體均為理想二極體，R =10 kΩ，R1=R2=5 kΩ，V1=V2=5 V。當vI=3 V 時，vO為多少？0 (A) (B)3 V (C)6 V (D)8 V

Vs(t)= 10 sin(377t ) V 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後，其輸出漣波頻率約為： (A)30 Hz (B)60 Hz (C)120 Hz (D)377 Hz

60 Hz 的交流小訊號經全波整流 (A)20 Hz (B)30

使用有中心抽頭變壓器作為全波整流電路時，最少需搭配使用幾個二極體？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個

電路上某npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓VCC = 10 V，下列何者正確？ (A)VCE = 0 V (B)VCE = 0.7 V (C)VCE = 8 V (D)VCE = 10 V

圖示電路，若VCC = 10 V，VCE (A)主動區（Active Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)三極管區（Triode Region） (D)截止區（Cutoff）-88AC160 Her）二極體D1 與D2 於順偏時視為理想而反信號vi(t)=10 sin(ωt) 伏特時，求輸出信號vo(t)的峰信號輸入如圖所示之截波電路（D 為理想二極之壓降VD 為0.7 V，求其輸出電壓vo 之平均值稱之三角波，經過微分器後，其輸出波形為何要應用？波電路 (C)箝位電路 (D)流後，輸出訊號之頻率應為：Hz (C)60 Hz (D)E = 3 V，則此電晶體的工作區應為何？v(t)t0RD1vi(t)vo(t)++－－D2vi(t)vovi(t)4VRDt882ττ++－－vi(t)－+VBVCC = 10 VVCERCRE+－10 VrmsHzvo110：24VD++－－反偏時之崩潰電壓分別為峰對峰電壓值為多少伏特？極體），決定輸出信號vo(t)值為何？何？ (D)放大電路 (D)120 Hzo(t)+－

如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β=100，VT = 26 mV 且爾利（Early）電壓VA =100 V，假定此電路之直流偏壓電流IC =0.84 mA，求其小信號輸出電阻RO 之值為何？0.72 kΩ (A) (B)1.41 kΩ (C)3.54 kΩ (D)4.67 kΩ

如圖所示之放大器電路，假設其直流偏壓電流IDS =0.5 mA（直流偏壓電路未示於圖中），電晶體M 之參數如下：μnCox= 200 μA/V2，VTH = 0.4 V，且λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何？ (A)−9.43 (B)−11.43 (C)−13.43 (D)−15.43

如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓VA = ∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ (A)R1 (B)R2 (C)R1+ R2 (D)R2 // (1/gm)

假設一MOSFET 的汲極電流固定，關於其轉導（gm）的敘述下列何者正確？g (A)m正比於W (B)gm正比於L (C)gm正比於MOSFET 的過驅電壓（VGS-VTH） (D)gm正比於W/Lvi=Vmsin߱tC1C3C2C4D4D3D2D1Vc2Vc4−−−+++C2C1vivo25 Ω10 V1 mAvovIRR1R2V1V2−−++++−−vivoICRoR1R2R35V−5V2kΩ5kΩ

如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下：μnCoxW/L = 2 mA/V2，VTH = 1 V 且λ = 0；跨在電晶體上之直流電壓VDS 最接近下列何值？ (A)−4.95 V (B)−5.75V (C)4.95 V (D)5.75 V2kΩ10kΩ5kΩ4kΩVCC =10VVBEVCERCREvoutvinVDD =1.8VIDSM200.18WL VDSvivout−5V+5V

如圖為MOSFET 差動式放大器，已知電晶體Q1 和Q2 的臨界電壓VTH、轉導gm、輸出阻抗ro 等參數均相同，試求差動增益Ad = vod /vid 之值？ (A)gmRD (B)－gmRD (C)gmRD /2 (D)－gmRD /2

圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)= 0.5 mA/V2，臨界電壓VT = 0.8 V，若忽略通道調變效應，下列敘述何者錯誤？ (A)Vo1=1 V (B)M1 操作在線性區（Linear region） (C)Vgs1 = 2.8 V (D)若M1 之（W/L）增加兩倍，Vo1 之電壓維持不變

如圖所示之電路，假設電晶體M1之參數如下：μnCoxW1 /L1 = 32 mA/V2，VTH1 = 2 V 且λ1 = 0；電晶體M2之參數如下：μnCoxW2 /L2 = 8 mA/V2，VTH2 = 2 V 且λ2 = 0；求VDS1之值為何？ (A)2 V (B)4 V (C)6 V (D)8 V

如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為βnpn = 100，1 kT/q = 1VT = 26 mV 且爾利（Early）電壓VA = ∞，假定此電路之直流偏壓電流IC = 4 mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？ (A)72.8 (B)115.8 (C)154.8 (D)173.8VCCVCCvivoVb1 kΩVDDI－-VDDRDRDQ1Q2vidvod++－VDDvi理想voR2R1VCC

圖中電晶體Q1 之β=100，VBE(on) =0.7 V，試求Vo=？4.95 V (A) (B)3.95 V (C)2.95 V (D)1.95 V

如圖所示之放大器電路，電晶體J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = −4 V，求此電路之小信號電壓增益值為何？ (A)0.67 (B)0.77 (C)0.87 (D)0.97

如圖所示之電路，假設電晶體RS 上之電壓為300 mV，欲使M (A)20 (B)40 (C)60 (D)80

電晶體的射-基極導通電壓視為定值且等於0.7 V，如圖之電晶體放大電路中嘗試讓電晶體的輸出直流電壓VECQ 工作在2.5 V 時，電阻R 約為多少？0.5 kΩ (A) (B)1.5 kΩ (C)2.5 kΩ (D)3.5 kΩ

如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻RIN約為何？假設電晶體之gm為10 mA/V，β = 100。 (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)30 kΩ (D)40 kΩ

MOSFET 的小訊號模型中，汲 (A)通道寬度W (B)通道

增強型MOSFET 放大器中μnCox(W/L)= 4 mA/V2，已知的電阻值分別為R1 =600 kΩ、R2 =300 kΩ、R3 =2 kΩ 及R4 =1 kΩ，且測得流經電阻R3 的直流偏壓電流為2 mA，當R3 變為原來的2 倍時，該放大器小信號之電壓增益變為原來者約多少倍？放大器之偏壓電路可提供該MOSFET 正確的工作區。0.5 (A)倍 (B)1 倍 (C)2 倍 (D)4 倍5 V-5 V4 kΩ1 mAM1Vo10.1 kΩ5 V10 kΩ10 kΩ4 kΩQ1Vo6 VR90 kΩβ=49VDDvoR1R2R3R4viCsCG

如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器，其等效輸入電容CIN 為何？ (A)CGD + CGS (1+|gmRL|) (B)CGD + CGS (1−|gmRL|) (C)CGS + CGD (1+|gmRL|) (D)CGS + CGD (1−|gmRL|)1MΩ250kΩ2kΩ2kΩ100ΩVDD =8VVG1=3VM2M1vivoJ+10VRINCGDCGSgmvGSvGSCINRLvivo−+

如圖所示之射極隨耦器之vo/vi (A)0.9 (B)0.8 (C)0.7 (D)0.6

一功率電晶體其接面最大溫度為170℃，熱阻為55℃/W，當操作溫度為60℃時，其容許的最大發散功率為何？1 (A)W (B)2 W (C)3 W (D)4 W

MOSFET 操作於三極管區（triode region），且汲極與源極跨壓微小時，可等效成下列何種元件？ (A)電壓控制之可變電阻 (B)電壓控制之可變電容 (C)電流控制之可變電阻 (D)電流控制之可變電容

如圖所示共射極放大器之vo/vi (A)－25 (B)－50 (C)－75 (D)－100

圖示威爾遜電流鏡（Wilson current mirror）電路，各電晶體特性完全相同，IO 為輸出電流，RO 為輸出阻抗，相較於一般的基本電流鏡電路，有關威爾遜電流鏡電路的敘述，下列何者錯誤？ (A)降低IO / IREF之比例 (B)降低電晶體之β 效應 (C)提高輸出阻抗RO (D)穩定輸出電流IO

設雙極性電晶體（BJT）的α 值由0.96變化至0.99，則β 值由多少變為多少？ (A)由24變為90 (B)由24變為99 (C)由25變為75 (D)由30變為60

關於MOSFET 的本質增益gmr (A)gmro 與過驅電壓（VGS －VTH (C)gmro 與偏壓電流ID 成正比1viM 之參數如下：μnCox = 200 μA/V 2，VTH = 0.4M 維持在飽和區之最小可容許之W/L 值為何？汲極的等效輸出電阻ro 與下列何者成正比？道長度L (C)過驅電壓（VGS －VTH） (D)最接近值為何？假設電流源為理想且1kT /q =為何？假設電晶體之gm = 50 mA/V，β = 50。ro，下列敘述何者正確？H）成正比 (B)gmro 與過驅電壓（VGS － (D)gmro 與偏壓電流ID 成反VDD = 1.8 VRS500 Ω150 ΩMVCCvo45 Ω5 mAvi∞1 kΩ2 kΩvoVCC4 V 且λ = 0；若跨在電阻？ (D)汲極電流ID= 1VT = 26 mV。－VTH）成反比反比

有一操作於主動模式（active-mode）的雙極接面電晶體，當集極電流IC=2 mA，其輸出電阻ro=20 kΩ，則當IC =4 mA 時，其ro 值為何？ (A)約降為10 kΩ (B)約降為14 kΩ (C)仍為20 kΩ (D)約增為40 kΩ

某雙極性電晶體（BJT）的ICBO 為2 μA，其β 值為50，則其ICEO 應為： (A)50 μA (B)70 μA (C)100 μA (D)120 μA

若一個雙極性電晶體（BJT）在其β 值為： (A)98 (B)99

如圖電路，電晶體工作於主動模式（active-mode），VBE = 0.7 V，β= 99，RB＝100 kΩ，I＝1 mA，VCC＝5 V，-VEE＝-5 V，則VE 值為： (A)- 1.7 V (B)- 0.7 V (C)0 V (D)0.7V

如圖所示的相移振盪電路中的C = 1 nF、Rf = 145 kΩ，決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少Hz？ (A)13 kHz (B)21 kHz (C)50 kHz (D)62 kHz

如圖之RC 串級放大電路中，第VBE,on = 0.6 V，求第1 級放大電 (A)30 (B)60 (C)80 (D)100

如圖所示為一個具有偏壓電源VR 的施密特觸發電路（OPA 視為理想），其輸入-輸出（vI-vO）轉移特性的上、下臨界輸入電壓分別為VUT = 9 伏特、VLT = -3 伏特，則該偏壓電源VR 約為多少？2 (A)伏特 (B)3.5 伏特 (C)5 伏特 (D)6 伏特

圖示電路為CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？ (A)Q1與Q2是AB 類功率放大器 (B)Q3與Q4提供主動負載 (C)Q5為共閘極放大器 (D)Q6與Q8提供保護電路

下列有關圖示電路的敘述何者 (A)為微分電路 (B)－3dB 頻率與R1 成正比 (C)直流電壓的增益為－R2/R1 (D)為高通濾波器

如圖所示為一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的2 倍，則輸出訊號的週期將變成原先的多少倍？1/4 (A) (B)2 (C)4 (D)8RoIoIREF+VCC-VEERBRCVEIβvOvIVR4 kΩ4 kΩvOR1R2RC

某電路之轉移函數：( )500( )( )10oiV sT sV ss，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency），頻率與增益的變化關係，下列何者正確？ (A)頻率每增大十倍，增益減少10 dB (B)頻率每增大十倍，增益減少20 dB (C)頻率每增大二倍，增益減少10 dB (D)頻率每增大二倍，增益減少20 dB

如圖所示為一文氏電橋振盪器頻率？ (A)15.9 Hz (B)79.6 Hz (C)159 Hz (D)1000 HzvI(t)在主動區操作模式下，射極電流為5.05 mA，基 (C)100 (D)第2 級放大電路（未顯示）的輸入電阻Ri2 = 1.電路的電壓增益大小（vo1/vi）最接近值為：正確？。R2 = 100 kΩ，R1 = 20 kΩ，R = 10 kΩ，C =R2R1Cvo(t)+－voCCRRR1R2+－12 V12 Vvo180 kΩ20 kΩ2 kΩ3 kΩCEC2viC1Ri2基極電流為0.05 mA，則 (D)1015 kΩ，電晶體之β1 = 81、0.1 μF。求振盪器的振盪

β1=8 的p-n-p 電晶體和未知β2 的n-p-n 電晶體共同組合之電晶體對，測得該電晶體對之電路等效電流增益大小為β=135，決定其n-p-n 電晶體未知的β2 值約為多少？17 (A) (B)15 (C)12 (D)8

如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns，問環形振盪器的振盪頻率？ (A)318 kHz (B)2 MHz (C)4 MHz (D)10 MHzCCCRRfRRVfVOvovi+vi−−VSS+VDDIREFQ1Q2Q3Q4Q6Q5Q7Q8C1

如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體Q 之gm = 10 mA/V，RE = 1 kΩ，L = 20 μH，C1 = 25 pF，C2 = 100 pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率？ (A)3.2 MHz (B)8 MHz (C)32 MHz (D)80 MHz

如圖所示為一振盪器。電路中OP AMP 輸出的上下限為±10 V。vO1 可輸出三角波（triangle wave），求三角波的峰對峰值（peak to peak value）？100 kΩ10 kΩ100 kΩ0.1 μFvO1vO2++−−1 V (A) (B)2 V (C)10 V (D)20 V

如圖為RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問RC 耦合會造成什麼影響？ (A)低頻響應變差 (B)中頻響應變差 (C)高頻響應變差 (D)沒有影響

已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益Ao 為100dB 和單一增益頻率fT為10 MHz，若此OPA 接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益Av 為60 dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬fH約為多少？ (A)100 kHz (B)10 kHz (C)1 kHz (D)100 Hz

如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β=100，VBEactive = 0.7 V，Cπ = 20 pF，Cμ = 5 pF，忽略爾利效應。VT = 25 mV，求高頻3 dB 頻率（選最接近之值）？10 kΩ10 kΩvovsig-5 V+20 VC=∞1 mA7.86 kHz (A) (B)39.3 kHz (C)187 kHz (D)796 kHz

如圖所示為一MOS 放大器，MOS 電晶體之μnCox = 800 μA/V2、W/L =40、|Vt|=1 V。求小信號增益vo/vi？ (A)−1 (B)−8 (C)−16 (D)−100

有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100 dB 和單一增益頻率fT 為5 MHz，試求其－3 dB 的頻寬fB 為多少？ (A)5 Hz (B)50 Hz (C)5 kHz (D)50 kHz

某二階濾波器其轉移函數為228( )+2 +3sT sss，其極點為何？ (A)2 2 (B)12 (C)2 2j (D)12j

對於一個電壓波形v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？ (A)電壓平均值為25伏特 (B)電壓均方根值為50伏特 (C)電壓的峰對峰值（peak to peak value）為50伏特 (D)電壓訊號每秒有120次經過0伏特

如圖電路，已知R = 10 kΩ 和C = 0.01 μF，輸入為± 5 V 對稱方波，試求輸出三角波電壓在t = 0到t = t1 的斜率為多少V/sec？ (A)+5×104 (B)－5×104 (C)－10×104 (D)+10×104

如圖振盪器電路中，若R1＝R2＝R3＝1 kΩ、R4＝29 kΩ 且C1＝C2＝C3＝0.1 nF，則振盪頻率約為多少？450 kHz (A) (B)550 kHz (C)650 kHz (D)750 kHz

如圖電路，已知R = 10 kΩ 和C = 0.01 μF，輸入為±5 V 對稱方波，為使輸出三角波電壓具對稱且振幅亦為±5 V，則信號頻率應選在多少？ (A)1.00 kHz (B)1.25 kHz (C)2.50 kHz (D)5.00 kHz1kΩ1MΩ1mARC放大器放大器C=∞C=∞C=∞+5V−5VvivoQvovIRvCC+VCC−VCCvIt12t1t

如圖雙穩態電路，已知輸出電壓vo 飽和在± 13 V，若設計臨界電壓（threshold voltage）在± 5 V，且令R1 = 10 kΩ，試求R2 為多少？ (A)16 kΩ (B)20 kΩ (C)32 kΩ (D)40 kΩLQREC1C2R1R2vIv++VCC-VCCvo+vovIvC+VCC-VCCCR－－－++vIt1t2t50-5+－+－

某一單一增益運算放大器的迴轉率SR = 0.7 V/μs，若輸入弦波信號之峰值電壓為Vm = 5 V，則最大的不失真輸入頻率為何？35 kHz (A) (B)28 kHz (C)22.28 kHz (D)18.35 kHzibicicibβ=135β2=?R2R1R3R4C2C1C3Voβ1=8