電子工程 96 年電子學大意考古題

若圖中兩個二極體特性完全相同，則流過電路之電流為： (A)SII = (B)TVVSeIIη/= (C)]1[

如圖示之電路及其轉移特性曲線（transfer characteristics），其中A、B、C 分別為Q1 或Q2 工作狀態之轉換點，在轉移特性曲線點B 及點C 之間，電晶體Q1 及Q2 的工作區域為： (A)Q1：歐姆區（Ohmic Region）；Q2：歐姆區 (B)Q1：飽和區（Saturation Region）；Q2：飽和區 (C)Q1：歐姆區；Q2：飽和區 (D)Q1：飽和區；Q2：歐姆區

/−=TVVS eIIη (D)]1[/−=TVVS eIIη2若β＝100，則下列電路電晶體之rπ 值約為： (A)0.4 KΩ (B)0.5 KΩ (C)0.6 KΩ (D)0.7 KΩ

由雙極性接面電晶體（BJT）射極及基極間看入之小信號電阻er 為： (A)eAeiVr/= (B)bbeeivr/= (C)πrgrme1= (D)ETeIVr/=

承上題，BJT 交流電路，其Ro 值約為： (A)65 Ω (B)75 Ω (C)85 Ω (D)95 Ω

今有一個利用電流源產生偏壓之NMOSFET 放大器電路如圖所示。其中，輸入信號由電晶體Q1 的閘極端饋入，偏壓VBIAS1、VBIAS2 使電晶體Q1、Q2 均保持在飽和區內工作。據此，圖中電晶體Q2 的組態（configuration）可能屬於那一類的基本放大器？ (A) 共閘（Common Gate）放大器 (B)共源（Common Source）放大器 (C)共汲（Common Drain）放大器 (D)退化的共源放大器（Common Source Amplifier with Source Degeneration）VDDQ2Q1vOvIVt1vIVDDvOABC

共閘極放大器的小信號等效電路如下圖所示，其輸入阻抗（Ri）和輸出阻抗（Ro）各為何？ (A)Ri＝Rsi，Ro＝RL (B)Ri＝mg1 ，Ro＝RL (C)Ri＝Rsi＋mg1 ，Ro＝RD (D)Ri＝mg1 ，Ro＝RD

若I/O 定址利用位址匯流排A0～A9 十條位址線，則可定址I/O 的範圍為： (A)0000H～01FFH (B)0000H～02FFH (C)0000H～03FFH (D)0000H～04FFH

下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？ (A)當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer） (B)p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是p 型材料所製成 (C)要使p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓 (D)當VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的I＋V －8 KΩ+5 VVoRo5 mAVs＋－vi ＋－voioii＋－GVgsRiRsSRoRLRDgmVgs

若韋恩橋式（Wien-Bridge）振盪器的轉移函數為SCRSCRRRsT/13)/1()(12+++=，則下列敘述何者正確？ (A)0)/1(12=+RR (B)1)/1(12=+RR (C)2)/1(12=+RR (D)3)/1(12=+RR

考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號vi＝Vm‧sin(ωt)，其波形如圖1 所示。圖2 電路圖的輸出電壓vo 在穩態（steady state）時最為接近的波形為： (A) (B) (C) (D)

雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的高頻響應頻寬較小？ (A)CE 組態 (B)CB 組態 (C)CC 組態 (D)疊接（cascode）組態

室溫時，有一矽塊含有施體濃度ND＝2×1015/cm3，受體濃度NA＝3×1015/cm3，若本質濃度為ni＝1.5×1010/cm3，則自由電子濃度約為： (A)1×1015/cm3 (B)3×1010/cm3 (C)2×105/cm3 (D)4×108/cm3

如圖所示之電路為何種濾波器？ (A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒（帶止）

下圖是波形產生器之電路圖，Vo 的波形為： (A)三角波 (B)鋸齒波 (C)正弦波 (D)方波

若下圖中之電路可輸出10 kHz 之振盪波形，則其電阻值R 應為多少？ (A)6.5 MΩ (B)12.8 MΩ (C)47.3 MΩ (D)100 MΩ

承上題，V-電壓波形若由示波器量出，則應近似何種波形？ (A)正弦波 (B)三角波 (C)方波 (D)鋸齒波

關於如圖所示之動態隨機存取記憶元（DRAM cell）之敘述，何者錯誤？ (A)寫入時電晶體導通 (B)讀取後儲存資料即消失 (C)當電源移除後，儲存資料即消失 (D)電容大小不影響讀取訊號

雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸入電阻較大？ (A)CE 組態 (B)CB 組態 (C)CC 組態 (D)疊接（cascode）組態

共射極放大器的高頻響應，主要受下列何種電容影響？ (A)射極旁路電容 (B)電晶體內部電容 (C)輸入端耦合電容 (D)輸出端耦合電容

若一雙極性接面電晶體工作於作用區（active region），其α＝0.99，則其β 應為： (A)99 (B)49 (C)39 (D)29

某帶通放大器的低頻截止頻率Lf 為200 Hz，高頻截止頻率Hf為2000 Hz。則此放大器的頻寬為： (A)200 Hz (B)1800 Hz (C)2000 Hz (D)2200 Hz

下列何種濾波器之增益與頻率的關係如下圖所示？ (A)高通 (B)低通 (C)帶通 (D)全通+－vD+vi+－voRD－圖2圖1Vm－Vmtt3t2t1viVmtt3t2t1voVmtt3t2t1voVmtt3t2t1voVmtt3t2t1vo＋－R2R1RCV－V＋＋Vo－增益頻率

某個RC 高通濾波電路若R = 1 kΩ，C = 0.1 µF，則此濾波器的截止頻率為： (A)1.59 kHz (B)159 Hz (C)10.2 kHz (D)159 kHz

如圖所示是一個雙極性接面電晶體（BJT）電路，假設電晶體的VBE＝0.7 V、β＝50，則E 極最接近的電壓值為： (A)－2 V (B)－1 V (C)1.5 V (D)4 V

一個在低頻帶有支配性極點的放大器中，與該極點最接近之極點或零點頻率至少要低多少個八度（octave）？ (A)1 (B)2 (C)3 (D)4

當一雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode）時，其IE、IB、IC 三者之大小關係為何？ (A)IE＞IB＞IC (B)IC＞IB＞IE (C)IE＞IC＞IB (D)IC＞IE＞IB

如圖所示之電路可做何使用？ (A)比較器 (B)解碼器或解多工器 (C)編碼器或多工器 (D)優先編碼器

圖示為雙極性接面電晶體（BJT）的轉移特性曲線。若要使輸出電壓vCE 失真最小，其工作點應選擇在： (A)A (B)B (C)C (D)D

一般半導體記憶晶片內部電路結構可以如圖表示。今觀察一顆DRAM 晶片，發現其橫列位址（rowaddress）匯流排有13 位元與解碼器的輸入端相連，則在此DRAM 的記憶胞（cell）陣列中word line的數目之最接近的數值為： (A)10 (B)100 (C)1000 (D)10000

一多級放大器之電壓放大率為1000 倍，其輸入阻抗為10 KΩ、負載阻抗為100 KΩ，則此多級放大器之功率增益為多少分貝（dB）？ (A)30 dB (B)50 dB (C)60 dB (D)100 dB

如圖所示的邏輯電路，輸出端“C＂何時為“1＂？“ (A)A＂=1 及“B＂=1“ (B)A＂=0 及“B＂=1“ (C)A＂=0 及“B＂=0“ (D)A＂、“B＂可為任意值（Don’t care）

如圖所示的振盪器電路，則vo 的波形為何？ (A)方波 (B)鋸齒波 (C)三角波 (D)弦波vCEVCCVCEsatvIABCDR15 KΩ12 V1 µFInputGateInput Gate500 µs＋－vo10 V4 KΩC2CEEBC1C-10 VI＝2 mA10 KΩβ＝50

兩級放大器串接，其中第一級放大器的電壓增益為20 dB，第二級放大器的電壓增益為40 dB。若在第一級放大器輸入端加入峰值為1 µV 的輸入信號，則在第二級放大器輸出端輸出信號之峰值為： (A)1000 mV (B)100 mV (C)1 mV (D)0.1 mV

若下圖電路放大器之飽和電壓為± 10 V，則下列何者為其可能之輸入－輸出轉換曲線？ (A) (B) (C) (D)

由p-n 接面二極體所形成的太陽電池和發光二極體（LED），在操作上最大之差異為何？ (A)太陽電池在順偏操作，而LED 通常在反偏操作 (B)太陽電池工作在較小的順向偏壓，而LED 通常需要較大的順向偏壓和順偏電流 (C)太陽電池需要產生光子，而LED 為接受光子 (D)太陽電池消耗功率較大，而LED 較小ABC+10V0.1 kΩ10 kΩ5VVOβF =100

下列關於SR 正反器（SR Flip-Flop）之敘述，何者正確？ (A)R＝0，S＝0 則Q＝0 (B)R＝1，S＝0 則Q＝0 (C)R＝0，S＝1 則Q＝0 (D)R＝1，S＝1 則Q＝0

如圖所示之電路，設運算放大器為理想，則通過R2 之電流I2 為： (A)VI/R1 (B)VI/R2 (C)VO/R1 (D)VO/R2

若一差動放大器（Differential amplifier）的輸入電壓為Vi 1＝150 µV，Vi 2＝50 µV 時，其輸出電壓Vo＝101 mV；又當輸入電壓為Vi l＝110 µV，Vi 2＝90 µV，其輸出電壓Vo＝21 mV，則該放大器之共模拒斥比（CMRR）應為： (A)400 (B)200 (C)100 (D)50

如圖所示之BJT 電路操作於何種區域？ (A)截止區 (B)順向作用區（forward active region） (C)逆向作用區（reverse active region） (D)飽和區

下圖為一振盪器電路，已知C＝0.01 µF，L＝4 µH，R3＝5 KΩ，R4＝100 KΩ，其中R1/R2 須至少大於何值才能滿足振盪條件？ (A)18 (B)19 (C)20 (D)22

下圖為一共射極（common-emitter）放大電路，若在電晶體的射極（emitter）與接地（ground）之間，插入一電阻（RE），則其輸入阻抗（input impedance）與其電壓增益（voltage gain）之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗變小，電壓增益變小 (B)輸入阻抗變小，電壓增益變大 (C)輸入阻抗變大，電壓增益變小 (D)輸入阻抗變大，電壓增益變大R1R2I2VIVO＋－VCCRCRBVBBvi

有一運算放大器的轉動率（Slew Rate）＝0.5 V/µs，假設此運算放大器之輸出電壓最大值為5 V，則此運算放大器在輸出不允許失真的狀況下，輸入所能允許正弦波之最高頻率約為： (A)8.2 kHz (B)15.9 kHz (C)19.5 kHz (D)31.8 kHz＋－RRVoViVo10 VVi0 V－10 VVo10 VVi5 V－10 VVo10 VVi5 V－10 V－5 VVo10 VVi5 V－10 V＋－R1R2R3R4voLC

我們已知雙極性接面電晶體（BJT）之小信號等效電路模型有許多種，端視應用場合來採用較為適用的模型。今有兩個BJT 電晶體的低頻小信號等效電路模型如圖a 與圖b 所示，已知rπ = 2.6 kΩ、β = 100、ro = 80 kΩ。則gm 對應的數值最接近那一個結果（註：S 即Ω-1）？ (A)條件不足 (B)50 mS (C)500 mS (D)5 S

如圖所示電路為一低通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數)s(V)s(Vio為： (A)sRC1211+ (B))sRC1(2111+ (C)sRC1211+ (D))sRC1(2111+

一具空乏型負載的NMOS 放大器和一CMOS 數位邏輯反相器相比之下，它們之輸入-輸出特性曲線之最大不同處為何？ (A)空乏型負載之NMOS 放大器最高輸出電壓較大 (B)兩者相位差180 度 (C)空乏型負載之NMOS 之最低輸出電壓可為零，但CMOS 不為零 (D)CMOS 之最低輸出電壓可為零，但空乏型負載之NMOS 不為零

如下圖，兩OPA 均為理想運算放大器，則下列何組電阻值可使電壓增益Vo/Vi＝10？ (A)R1＝2 KΩ，R2＝4 KΩ，R3＝3 KΩ (B)R1＝3 KΩ，R2＝6 KΩ，R3＝3 KΩ (C)R1＝4 KΩ，R2＝2 KΩ，R3＝6 KΩ (D)R1＝1 KΩ，R2＝4 KΩ，R3＝5 KΩ

如圖a 所示之放大器電路，已知雙極性接面電晶體參數BCII=β，其直流等效電路如圖b 所示，其中RB 為： (A)ER)1(β+ (B)ERR)1(2β++ (C)2121RRRR+ (D)21RR +

下圖雙級放大器中使用相同之電晶體，則下列敘述何者錯誤？ (A)電壓增益為單級放大器之平方 (B)轉移函數有兩個相同的主極點 (C)主極點頻率正比於偏壓電流（I） (D)輸出電阻反比於偏壓電流（I）

如圖所示之輸入阻抗Ri 為（設OP AMP 虛短路）： (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)11 kΩ (D) ∞－＋＋－10 kΩ1 kΩRiVSVOππππ

如下圖的電路，假設運算放大器為理想元件，則電路的閉迴路電壓增益iovVVA =為： (A)2010 (B)－2010 (C)1020 (D)－1020＋－R2R2voR1C1vi＋－R3OPARLR1R2OPAViVo＋－＋－VDDViVoII＋－ViVo10 kΩ10 kΩ1 kΩ100 Ω

如圖所示之運算放大器應用電路，則下列敘述何者錯誤？ (A)vo = vi (B)此電路又名為電壓隨耦（Voltage follower） (C)此電路可以作為緩衝器（Buffer） (D)此電路可以作為電壓至電流的轉換

如圖所示之B 類推挽放大電路中，RL＝5 Ω，若已知其最大輸出功率為10 W，則VCC 為： (A)7.07 V (B)10 V (C)14.14 V (D)20 V

有一差動放大器（Differential amplifier）如圖所示，假設兩電晶體Q1 及Q2 具有相同之特性，已知Q1及Q2 均操作於作用區（active region）。若兩電晶體之β 值相當高，將可忽略其基極電流，則直流輸出電壓Vo為： (A)15V (B)13V (C)11V (D)0V

如圖所示電路，為一反相輸入型樞密特觸發（Schmitt Trigger）電路及其輸入－輸出曲線圖，若參考電壓Vref＝3 V，輸入電壓Vi 為振幅± 10 V 之弦波，電阻R1＝3 kΩ，R2＝2 kΩ，則遲滯（Hysteresis）電壓VH 為： (A)30 V (B)24 V (C)12 V (D)10 V

如圖所示是一反相加法器，假設電阻R1 = R2 = R3 = 12 kΩ、Rf = 36 kΩ，若輸入電壓V1 = V2 = V3 = 1V，則輸出電壓Vo 為： (A)-1V (B)-3V (C)-9V (D)-12V

為何動態RAM（DRAM）需要週期性的再生（Refresh）？ (A)因為電容非理想，會漏電 (B)因為電晶體非理想，會漏電 (C)因為基板會導電 (D)因為系統編碼需要

若要將如圖所示之運算放大電路改成微分器，則下列何者正確？ (A)將R1 改用電容器 (B)將R2 改用電容器 (C)將R1、R2 均改用電容器 (D)將R2 短路

如圖電路設運算放大器為理想的，若R1＝R2；R3＝R4，則Vo/(V2－V1)為： (A)2 (B)1 (C)1/2 (D)0RLvovs－VCC＋VCC＋－R1R2VoVref－15 V+15 VViVoViVH＋－R1R2R3R4VoV2V1

運算放大器之參數之一，迴轉率（Slew Rate）之單位為： (A)R.P.M (B)Km/s (C)V/µs (D)rad/sV+V-vovia+15V2 kΩ4 mA-15VQ1Q2Vo－＋R2R1VIVOR1R2R3V1V2V3VoV-V+RfOPAViRiRfVo

如圖，下列何者正確？ (A)Y＝(A＋B)CD (B)Y＝AB＋C＋D (C)A＝0 則Y＝0 (D)D＝1 則Y＝0

如圖所示之反相放大器，其回授型態為何？ (A)並串（shunt-series） (B)並並（shunt-shunt） (C)串串（series-series） (D)串並（series-shunt）

下圖所示之電流源（current source）電路，若是已知電晶體Q2 係操作於順向作用區（forward activeregion），且其厄利電阻（Early resistance）為ro，則下列敘述何者正確？ (A)輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而增加，且此電流源之輸出電阻為ro (B)輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而減少，且此電流源之輸出電阻為ro (C)輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而增加，且此電流源之輸出電阻為無限大 (D)輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而減少，且此電流源之輸出電阻為無限大

如下列二極體截波器（clipper）電路圖，則其輸出電壓會受限在下列何者之間？（Vr 為二極體導通時之電壓） (A)(VB1+Vr)與-(VB2+Vr)之間 (B)(VB1-Vr)與-(VB2-Vr)之間 (C)(VB1-Vr)與-(VB2+Vr)之間 (D)(VB1+Vr)與-(VB2-Vr)之間

如圖所示為穩壓電路，若其中R1＝1 kΩ，R2＝20 kΩ，R3＝20 kΩ，則輸出電壓Vo 為： (A)5 V (B)8 V (C)10 V (D)12 V

在一受體（acceptor）雜質不均勻分布之p 型半導體中，何處具有較高的電位？ (A)雜質濃度較高之處 (B)雜質濃度較低之處 (C)在半導體表面處 (D)係同電位，各處之電位相同

小明在量測實驗室所作出的矽晶電晶體，發現開燈和關燈所量測到的電流－電壓特性相差很多。下列何者為最可能的原因？ (A)照光後元件發生崩潰現象 (B)照光後的輻射熱效應 (C)照光後，矽晶體吸光所產生的光電流 (D)照光後，矽晶體熱漲冷縮所誘發的電流改變

若Vbi = 0.7V，則下列二極體電路之直流輸出電壓約為： (A)2.1V (B)3.2V (C)4.3V (D)5.4V

在共射極單級放大器中，其高頻響應最主要受限於下列何種效應？ (A)厄利效應（Early Effect） (B)米勒效應（Miller Effect） (C)穿隧效應（Tunnel Effect） (D)崩潰效應（Breakdown Effect）VDDYABCD＋－R1R2R3Vz5 VVo12 V＋－Q1Q2VIREFVcc－VEEVBEIR

矽晶二極體的p 型區中常使用之掺雜元素為何？ (A)鈣 (B)錫 (C)鉛 (D)硼

如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若Vcc＝5 V，電阻值R1＝4 kΩ、R2＝1.6 kΩ、R3＝1 kΩ、R4＝130 Ω，若輸入電壓VA＝5 V，且VB＝5 V，則下列敘述何者正確？ (A)Q2 截止、Q3 導通、Q4 截止、輸出電壓Vo 為高位準 (B)Q2 截止、Q3 截止、Q4 導通、輸出電壓Vo 為低位準 (C)Q2 導通、Q3 導通、Q4 截止、輸出電壓Vo 為高位準 (D)Q2 導通、Q3 截止、Q4 導通、輸出電壓Vo 為低位準

通道長度調變（channel length modulation）會對操作於飽和區（saturation region）之n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）造成下列何種現象？ (A)汲極電流（drain current）ID 會隨著汲極-源極電壓差VDS 的增加而稍微增加 (B)汲極電流（drain current）ID 會隨著汲極-源極電壓差VDS 的增加而稍微減少 (C)閘極電流（gate current）IG 會隨著汲極-源極電壓差VDS 的增加而稍微增加 (D)閘極電流（gate current）IG 會隨著汲極-源極電壓差VDS 的增加而稍微減少

以增強型（enhancement mode）MOSFET 當作負載的一個NMOSFET 放大器，其輸出信號擺幅的最大值為何？ (A)VDD/2 (B)VDD (C)VDD＋Vtn（臨限電壓） (D)VDD－Vtn

當MOSFET 工作於飽和區（saturation region）時，其ID 與VDS 的關係為何？（下式中Vt 為MOSFET之臨限電壓（threshold voltage）） (A)ID 與VDS 幾乎無關 (B)ID 正比於VDS (C)ID 正比於(VDS-Vt) (D)ID 正比於(VDS-Vt)2

下面的通道形狀在下列那一種條件下會產生？（設VGS＞Vt） (A)VGS－VDS＞Vt (B)VGS－VDS＝Vt (C)VGS－VDS＜Vt (D)皆不會

N-MOSFET 比P-MOSFET 之應用更為廣泛，其原因為下列何者？ (A)N-MOSFET 在製作上較為簡單 (B)電子比電洞具有較大的移動率 (C)電子比電洞具有較小的移動率 (D)電子比電洞具有較大的擴散常數

如圖所示電路，假設輸入電壓Vi＝5 V，而正、負飽和輸出電壓為± 15 V，則輸出電壓Vo 為： (A)＋5 V (B)－5 V (C)＋15 V (D)－15 V

如圖所示的電路，當S = 0 而且R = 0 時，此電路的Q 端的值為何？（註：)1( −nQ及)1( −nQ分別為Q 端及Q 端先前輸出狀況） (A)1 (B)0 (C))1( −nQ (D))1( −nQ

場效應電晶體（FET）是屬於： (A)電流控制電流源（Current Controlled Current Source） (B)電壓控制電壓源（Voltage Controlled Voltage Source） (C)電流控制電壓源（Current Controlled Voltage Source） (D)電壓控制電流源（Voltage Controlled Current Source）R1R2R4R3Q1Q2Q3Q4D1D2D3VAVBVOVCC＋－VoViOPA+15 V－15 Vn+n+通道GDS

下述何者不是TTL 邏輯族系中的輸出級電路結構？ (A)開路射極輸出 (B)開路集極輸出 (C)三態輸出 (D)圖騰柱輸出S＋－＋－－＋＋－RvIvOD2D1VB1VB210 kΩVO(t)5V0.1sinωtVRQQ