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電子工程 96 年半導體元件考古題

民國 96 年(2007)電子工程「半導體元件」考試題目,共 5 題 | 資料來源:考選部

0 題選擇題 + 5 題申論題

試繪圖說明N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。 試繪圖說明D-MOS(Double-Diffused MOS)之結構圖及其應用。 (20 分)
若由熱氧化法(Thermal Oxidation)成長二氧化矽(SiO2)之厚度為100nm, 則矽消耗若干? 試說明傳統的雙極性接面電晶體(BJT)與異質接面雙極性電晶體(HBT)之相 異處。 (20 分)
試說明一面心立方晶體(Face-Center Cubic)之原子結構,並算出整個晶體空間 原子所佔的空間比例為多少? 試說明半導體雷射二極體的發光原理。 (20 分)
一矽二極體為單一側陡峭接面(One-Side Abrupt Junction),P、N 側之濃度各為 NA=1019cm–3,ND=1016cm–3。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場 (矽的εr=12,室溫下的本質濃度ni=1.45×1010/cm3)。 試說明如何以四點探針法(Four-Point Probe)量測半導體特性。 (20 分)
試說明如何得到白色光源的固態照明。 試繪圖說明pnp 電晶體的I-V 特性曲線圖。 (20 分)

電子工程 96 年其他科目

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