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電子工程 96 年半導體製程考古題

民國 96 年(2007)電子工程「半導體製程」考試題目,共 5 題 | 資料來源:考選部

0 題選擇題 + 5 題申論題

一般光微影(photo-lithography)製程主要包含那些步驟?每個步驟的功能為何? 光微影(photo-lithography)製程實驗室環境有那些重要因素須控制?(20 分)
在矽晶圓(Si wafer)上形成二氧化矽(SiO2)膜之製程方式一般有那些?各製程形成 之二氧化矽(SiO2)膜品質有何不同?各應用在矽半導體元件之何處?(20 分)
二氧化矽(SiO2)膜蝕刻(etching)製程方式一般有那些?其特性與優缺點各為何? (20 分)
金屬化(metalization)製程方式一般有那些?其特性有何不同?各適用在何處? (20 分)
請以剖面圖(cross section)敘述在矽晶圓(Si wafer)上製作CMOS 元件之基本 製程步驟。(20 分)

電子工程 96 年其他科目

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