電子工程 91 年電子學大意考古題

下圖中放大器之輸出飽和電壓為 V 10 ± ，請畫出V0 對Vi 之轉移特性(transfer characteristic)。（20 分）

右圖為何種電路？ 半波橋式整流器 全波橋式整流器 韋恩(Wien)振盪器 電壓雙倍器(Voltage Doubler)

下圖中電晶體VB=1V，VE=1.7V，請求出 β=IC/IB=？（7 分） α=IC/IE=？（7 分） VC=？（6 分）

右圖為何種電晶體？ PMOS 場效電晶體 NMOS 場效電晶體 NPN 雙極性接面電晶體(BJT) PNP 雙極性接面電晶體(BJT)

下圖為一LC 共振電路，請求其振盪頻率ω =？(rad/s)（20 分）

下列關於矽介面二極體順向偏壓時的敘述，何者正確？ 會崩潰(Breakdown) 電阻很小 二極體兩端壓差很大 電流方向和二極體標示箭頭相反

下圖RLC 濾波器電路，請問： 該電路為高通(high-pass)或低通(low-pass)濾波器？（10 分） 其轉移函數(transfer function)T(s)= i 0 V V =？（10 分） VC VE +12V 6 kΩ 6 kΩ －12V 100 kΩ VB 2kΩ 0.01 μF 0.35 μF 100μH 50kΩ 10kΩ + － Vi + － + － V0 + － V0 R L + － Vi C 九十一年公務人員升官等考試委任升等考試試題 委：33440 類 科： 電子工程 全一張 （背面）

下圖的等效電路為何？ 電壓源 電流源 電阻 二極體

下圖為一整流電路，已知二極體導通壓降為0.7V，輸入為弦波，Vs 為10V(rms)之弦 波，R=80Ω，請問： 每一個二極體之最大逆向偏壓PIV=？（5 分） 輸出V0(t)之波形概圖。（5 分） V0 之平均值為多少？（5 分） 每一個二極體之最大導通電流值為多少？（5 分） + － Vi + － Vs + － Vs D1 D2 R + － V0 弦波 輸入

關於發光二極體(LED)做傳輸信號，光二極體(Photodiode)做接收信號時的敘述，何者正確？ 發光二極體為順向偏壓，光二極體為順向偏壓 發光二極體為順向偏壓，光二極體為反向偏壓 發光二極體為反向偏壓，光二極體為順向偏壓 發光二極體為反向偏壓，光二極體為反向偏壓

如果射極基極介面(EBJ)順向偏壓為0.7V，右圖的射極電流(IE)為何？ 1 kA 1.25 mA 1 mA 0

下列關於基體效應(Body Effect)的敘述，何者正確？ 和基體(Substrate)電壓有關 和源極(Source)電壓無關 和臨限(Threshold)電壓無關 和漏極(Drain)電壓有關

下列關於加強型(Enhancement)、乏型(Depletion)NMOS 的臨限(Threshold)電壓敘述，何者正確？ 加強型NMOS 臨限電壓>0，乏型NMOS 臨限電壓>0 加強型NMOS 臨限電壓>0，乏型NMOS 臨限電壓<0 加強型NMOS 臨限電壓<0，乏型NMOS 臨限電壓>0 加強型NMOS 臨限電壓<0，乏型NMOS 臨限電壓<0 9 下列關於加強型(Enhancement)NMOS 的敘述，何者正確？ 導通時，閘極(Gate)比源極(Source)電壓大 導通時，閘極(Gate)比源極(Source)電壓小 導通時，閘極(Gate)電壓等於源極(Source)電壓 臨限(Threshold)電壓<0 10 下列關於NMOS 共源極(Common Source)電路飽和時的敘述，何者正確？ 閘極(Gate)和源極(Source)間電壓越大，漏極(Drain)電流越小 漏極(Drain)和源極(Source)間電壓越小，漏極(Drain)電流越大 漏極(Drain)和源極(Source)間電壓越大，漏極(Drain)電流越小 漏極(Drain)和源極(Source)間電壓越大，漏極(Drain)電流近乎不變 11 下圖關於功率(Power)電晶體電路輸出級種類的敘述，何者正確？ A 類 B 類 AB 類 C 類 12 下圖關於功率(Power)電晶體電路，其最大集極電流(Collector current)最接近下列那一數值？ 0 安培 0.33 安培 3 安培 5 安培 13 將電容值C 的電容跨接增益為－A 的放大器輸出及輸入，其等效輸入米勒(Miller)電容值為何？(A,C>0) C(1+A) C(1－A) C(1+1/A) C(1－1/A) 14 當運算放大器有虛地(Virtual Ground)性質時，其增益A 及操作區域為何？ 增益A=0，飽和區 增益A=∞，飽和區 增益A=0，線性區 增益A=∞，線性區 15 下列何者不是四種基本反饋放大器名稱？ 電感放大器(Inductive Amplifier) 互導放大器(Transconductance Amplifier) 電壓放大器(Voltage Amplifier) 電流放大器(Current Amplifier) 16 741 的三級運算放大器，回饋電容跨接於何處？ 輸入級 第二級 短路保護電路 輸出級 17 運算放大器在正常操作下，何種電晶體工作在截止區(cut-off)？ 偏壓級 輸入級 輸出級 短路保護電路 九十一年公務人員初等考試試題 科 別： 電子工程 全一張 （背面） 18 具有右圖轉移函數(Transfer Function)的電路為何種濾波器？ 高通(High Pass) 低通(Low Pass) 帶通(Band Pass) 全通(All Pass) 19 轉移函數(Transfer Function)全是極點(All poles)時的電路為何種濾波器？ 全通(All Pass) 帶通(Band Pass) 高通(High Pass) 低通(Low Pass) 20 下圖電路為何種濾波器？ 高通(High Pass) 低通(Low Pass) 帶通(Band Pass) 全通(All Pass) 21 正回饋電路產生振盪時，下列敘述何者正確？ 迴路增益=0，迴路相位角= 。 180 迴路增益=1，迴路相位角= 。 180 迴路增益=0，迴路相位角= 。 0 迴路增益=1，迴路相位角= 。 0 22 下圖的電路符號為何？ EPROM 電容 石英（晶體） 電晶體 23 振盪器任務循環(Duty Cycle)的定義為何？ 輸出為1 的時間占週期時間的百分比 輸入為1 的時間占週期時間的百分比 輸出為0 的時間占週期時間的百分比 輸入為0 的時間占週期時間的百分比 24 CMOS 傳輸(Transmission)閘構造為何？ 兩個NMOS 串聯 一個NMOS 和一個PMOS 串聯 兩個NMOS 並聯 一個NMOS 和一個PMOS 並聯 25 信號產生器產生連續方塊波時，是下列何種振盪？ 單穩態(Monostable) 非穩態(Astable) 雙穩態(Bistable) 不穩定(Unstable) 26 下列何種振盪應用於比較器時，能產生磁滯(Hysteresis)迴路？ 單穩態(Monostable) 非穩態(Astable) 雙穩態(Bistable) 不穩定(Unstable) 27 關於頻寬和開路增益、閉路增益的敘述，下列何者正確？ 直流時，閉路增益＞開路增益 閉路增益× 閉路增益頻寬＞開路增益× 開路增益頻寬 閉路增益× 開路增益頻寬＝開路增益× 閉路增益頻寬 閉路增益頻寬＞開路增益頻寬 28 關於以電壓取樣、串聯混合(Voltage-sampling series-mixing)的負反饋放大器，下列何者錯誤？ 可穩定電壓增益(Gain) 希望輸入電阻低 稱為電壓放大器 希望輸出電阻低 29 741 的三級運算放大器，輸出級以何類動作來操作？ A 類 B 類 AB 類 C 類 30 負反饋有何特色？ 使增益(Gain)對任何變動更敏感(Sensitive) 減少非線性失真 增加雜訊效應 縮減頻寬 31 下列關於CMOS 反相器的敘述何者正確？ 輸入為VDD 時，通過PMOS 及NMOS 電流最大 輸入為0 時，通過PMOS 及NMOS 電流最大 輸入為VDD/2 時，通過PMOS 及NMOS 電流最大 輸入為VDD/2 時，通過PMOS 及NMOS 電流為0 32 下圖的邏輯函數為何？ C B A F + • = C ) B A ( F • + = C B A F + • = C ) B A ( F • + = 33 一般而言，雙互補金氧半導體(BiCMOS)邏輯電路構造為何？ 兩個CMOS 串聯 邏輯部分為CMOS，輸出級亦為CMOS 邏輯部分為雙極性接面電晶體(BJT)，輸出級為CMOS 邏輯部分為CMOS，輸出級為雙極性接面電晶體(BJT) 34 傳統射極耦合邏輯(ECL)的邏輯閘為何？ 及(AND)閘 反及(NAND)閘 或(OR)閘 互斥或(EXOR)閘 35 已知供應電壓Vcc，邏輯-1 輸出電壓VOH，和邏輯-0 輸出電壓VOL，傳統射極耦合邏輯(ECL)的參考電壓VR 值 為何？ VR=(VOH+VOL)/2 VR=(VOH－VOL)/2 VR=VCC VR=0 36 將兩個傳統射極耦合邏輯(ECL)的邏輯閘各取一輸出，直接連接，其連接邏輯為何？ 及(AND) 反及(NAND) 或(OR) 反或(NOR) 37 右圖為何種邏輯電路？ CMOS ECL NMOS TTL 38 某記憶體為64M×1 位元，則地址線(address lines)有幾條？ 16 18 26 64 39 傳統電晶體-電晶體邏輯(TTL)的邏輯閘為何？ 及(AND)閘 或(OR)閘 反及(NAND)閘 反或(NOR)閘 40 下列關於CMOS 邏輯的功率消耗(Power Dissipation)之敘述，何者正確？ VDD 愈小，功率消耗愈小 不論VDD 變大變小，功率消耗不變 不論輸入頻率變大變小，功率消耗不變 輸入頻率愈小，功率消耗愈大