電子工程 91 年高等電子電路學考古題

下圖是CMOS NAND 電路，其兩輸入電壓接在一起，NMOS 電晶體其transconductance parameter 與臨界電壓(threshold voltage)分別為 ) ( L C W ox n n µ β = 和Tn V ，PMOS 電晶體其 transconductance parameter 與臨界電壓分別為 ) ( L C W ox p p µ β = 和Tp V ，電源電壓為 DD V ， 當 Tn th out in V V V V > = = 時， 說明M1, M2, M3 和M4 處於飽和區(saturation region)或線性區(triode region)。（8 分） 忽略body effect，求th V 為何？（12 分）

下圖是CMOS pseudo-nMOS 電路，NMOS 電晶體其transconductance parameter 與臨界 電壓(threshold voltage)分別為 ) ( L C W ox n n µ β = 和Tn V ，PMOS 電晶體其transconductance parameter 與臨界電壓分別為 ) ( L C W ox p p µ β = 和Tp V ，電源電壓為 DD V ，忽略body effect。 當 DD in V V = 時， Tn GS OL out V V V V − < = 1 ，求OL V 為何？（5 分） 當 Tp th out in V V V V > = = 時，求th V 為何？（15 分） VDD M2 M1 Vout Vin M3 M4 M1 M2 Vin=Vth Vout=Vth + + － － VDD 九十一年公務人員高等考試一級暨二級考試試題 高二：212-1 等 級： 二級考試 科 別： 電子工程 全一張 （背面）

對下圖的數位電路，以輸入ABC 表示輸出X 與Y。（5 分） 分別說明此數位電路的功能與輸出X 與Y 的功能。（15 分）

下圖是Source follower 電路的小信號等效電路。 求 ) (s V V in out 。（15 分） 如果 ) (s V V in out 的兩個極點(pole)距離夠遠，求其第一個極點。（5 分）

求下圖中 ) (s I V X X 。（10 分） 如果 s R 大於 m g 1 ，畫出 ) ( ω j I V X X 對ω 的圖。（10 分） gmV1 Rs V1 CGS － + － + IX VX Rs Vin CGD CGS Vout gmV1 V1 CL + － + －