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電子工程 107 年高等電子電路學考古題

民國 107 年(2018)電子工程「高等電子電路學」考試題目,共 6 題 | 資料來源:考選部

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圖一為由運算放大器構成之反相放大器電路,其中R1=10 KΩ、R2=1 MΩ, 若此運算放大器之輸入偏壓電流(input bias current)為100 nA,輸入偏 移電流(input offset current)為10 nA,試問:(每小題5 分,共15 分) 此電路之輸出直流偏移電壓(output DC offset voltage)大小為何? 若置放一電阻R3 串聯在運算放大器的正端,使得輸出直流偏移電壓可 以最小化,請問R3 之值為何? 當此R3 置放後,請問新的輸出直流偏移電壓大小為何? Rଵ Rଶ 圖一
圖二為由MOSFET 構成之共源極放大器電路,其中MOSFET 之臨界電壓 (threshold voltage)Vt = 1.5 V,製程參數kn′(W/L)= μnCox(W/L)= 0.25 mA/V2, 爾利電壓(Early voltage)VA = 1/λ = 50 V,試計算:(每小題5 分,共25 分) MOSFET 之轉導(transconductance)gm MOSFET 之輸出電阻ro 小訊號電壓增益vo/vi 放大器電路之輸入電阻Rin 可允許之最大輸入訊號大小 ܴ௜௡ 圖二
圖三為由BJT 構成之共基極放大器電路,其中BJT 之電流增益β= 100, 試計算:(每小題5 分,共10 分) 小訊號電壓增益vo/vi 若輸入vi 為頻率等於10 kHz,振幅峰對峰值等於20 mV 的正弦波, 請畫出BJT 集極端之波形。 圖三
圖四為由MOSFET 構成之差動放大器電路,其中RD =40 kΩ,MOSFET 之轉導gm 均為20 mA/V,MOSFET 之輸出電阻均為60 kΩ,試計算: (每小題5 分,共15 分) 差動增益(differential gain)Ad = vo/vid 共模增益(common-mode gain)Acm = vo/ vicm 共模拒斥比(common-mode rejection ratio, CMRR) ܸ஽஽ ܫ െܸௌௌ ܴ஽ ܴ஽ + - 圖四
若一放大器其開路轉移函數(open-loop transfer function)之直流電壓增 益等於100 dB,並有三個極點(pole)分別位於100 kHz、1 MHz、10 MHz 處。(每小題5 分,共15 分) 請分別畫出此放大器之增益及相位的波德圖(Bode plot)。 若將此放大器接成單位增益回授(unity-gain feedback),請問此單位 增益放大器是否穩定,為什麼? 若此單位增益放大器不穩定,該如何做頻率補償使其穩定?
試分別說明:(每小題10 分,共20 分) 圖五數位電路之邏輯布林函數(Boolean function)為何? 圖六數位電路之邏輯布林函數(Boolean function)為何? Vୈୈ Vୈୈ 圖五 圖六

電子工程 107 年其他科目

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