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電子工程 109 年高等電子電路學考古題

民國 109 年(2020)電子工程「高等電子電路學」考試題目,共 5 題 | 資料來源:考選部

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如圖一電路,二極體電流ID 與跨壓VD 之關係為 D T V /V D S I =I e ,其中之熱電 壓VT 為25 mV。 求二極體D1之偏壓電流ID1。(10分) 求小訊號電壓增益Vo / VS。(10分) 圖一
如圖二電路,由BJT 構成之放大器電路,其中BJT 之電流增益β = 100, BE V 之壓降為0.7 V,試回答: 此BJT 操作於主動區(Active Mode)或飽和區(Saturation Mode)? (10分) 集極偏壓電流IC 值為多少?(10分) 圖二
如圖三所示之運算放大器具無限大之輸入阻抗。 如運算放大器之差動增益為無限大,試求Vo / Vi 值為何?(10分) 如運算放大器之差動增益為100 V / V,試求Vo / Vi 值為何?(10分) 圖三
使用CMOS 邏輯電路設計,其NMOS 區塊與PMOS 區塊具對偶性 (duality)。 若已知PMOS 區塊如圖四所示,請畫出其NMOS 區塊。(10分) 請繪出邏輯布林函數F=AB+CD之完整CMOS 邏輯電路。(10分) 圖四
如圖五所示為MOSFET 與電阻所構成之放大器,假設所有MOSFET 之小 訊號參數gm = 2.0 mA/ V,ro = 100 kΩ,且電路中之電阻R = 50 kΩ,試求: 輸出阻抗Ro。(10分) 小訊號電壓增益Vo / Vi。(10分) 圖五

電子工程 109 年其他科目

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