電子工程 91 年積體電路技術考古題
民國 91 年（2002）電子工程「積體電路技術」考試題目，共 5 題 | 資料來源：考選部
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新竹科學園區內需水量年年遽增，伴隨著區外廢水公害問題頻傳。主要是矽半導體
積體電路(IC)製造代工廠增加很多，這些IC 廠裡，為了提高良率，生產過程裡需要
很多清洗(Cleaning)製程，（每小題5 分，共20 分）
具體描述清洗製程主要去除那幾種污染？
詳述這幾種污染各有可能的來源是何處？
一般IC 清洗(Cleaning)製程中，針對
的各種污染，主要各使用什麼化學品？
不影響產量情況下，IC 製程本身要如何努力，以求降低整廠用水量或廢水量？
半導體邏輯CMOS IC 元件製造流程裡，需要使用很多片光罩(Mask)。以N 型矽基板、
雙井(Twin Well)結構為例，具體條列主要的CMOS 製程步驟順序，並畫出元件局部
完成剖面圖，同時說明各光罩的目的。（20 分）
半導體製造的技術演變裡，過去都是追求微細加工，譬如5μm 到3μm 到2μm，甚至到
1μm 以下、到0.13μm。目前已漸改為追求新材料技術，譬如Low-k 絕緣材料、銅(Cu)
金屬材料等。（每小題10 分，共20 分）
具體描述需要Low-k、Cu 理由何在？
具體描述雙鑲崁(Dual Damascene)製程步驟。
隨LSI 元件密度提高及多層配導線的使用，半導體製程漸趨複雜，其中平坦化
(Planarization)技術越來越重要，（每小題10 分，共20 分）
具體詳述什麼是平坦化技術？
複雜製程中若沒有平坦化技術，會有什麼重要影響？詳述其理由。
IC 製程裡，光蝕刻(Photo-Lithography)技術是決定半導體元件構造微細化的能力，
（每小題10 分，共20 分）
條列詳述一般光蝕刻技術裡主要包含那些製程步驟及其技術內容？
又微細化能力(解像力)是決定在那些參數？
電子工程 91 年其他科目
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