電子工程 113 年電子學大意考古題

有關積體電路28 奈米半導體製程技術，這裡所指的28 奈米製程，為下列何種尺寸？ (A)電晶體的閘極長度 (B)電容器的絕緣層厚度 (C)電路的金屬線寬度 (D)金屬間的連結栓直徑

下列何種元件在電流－電壓（I-V）特性曲線的切線斜率會出現負值？ (A)稽納二極體 (B)蕭特基二極體 (C)發光二極體 (D)穿隧二極體

室溫下的N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為1015 cm3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？ (A)多數載子濃度大得多 (B)大約相等 (C)施體離子濃度大得多 (D)兩者無關

下列何種二極體組合其正常工作時皆為逆偏壓？ (A)變容二極體、發光二極體 (B)雷射二極體、稽納二極體 (C)發光二極體、雷射二極體 (D)變容二極體、稽納二極體

雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？ (A)集-射極電壓（VCE） (B)基極電流（IB） (C)電源電壓 (D)連在集極上的電阻

雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為A，基-集極空乏區厚度為B，則其大小關係下列何者正確？ (A)A>B (B)A=B (C)A<B (D)不一定

圖示之電路，雙極性電晶體β=100，基-射極導通電壓VBE=0.7 V，集-射極電壓VCE 約為何？ (A)3.72 V (B)6.72 V (C)9.72 V (D)12.72 V

有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？ (A)射極對基底 (B)汲極對基底 (C)閘極對源極 (D)源極對基底

某一n 通道JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓VGS=5 V 且源極電阻RS=2 kΩ，則汲極電流ID大小與方向為何？ (A)2.5 mA、由汲極流向源極 (B)2.5 mA、由源極流向汲極 (C)10 mA、由汲極流向源極 (D)10 mA、由源極流向汲極

一差動放大器的Ad=100，Acm=0.5，兩個輸入分別是Va(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，Vb(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，此差動放大器的輸出Vo(t)？ (A)Vo(t)=2cos(2400t)+0.1cos(260t) (B)Vo(t)=cos(2400t)+0.2cos(260t) (C)Vo(t)=2cos(2400t)+0.2cos(260t) (D)Vo(t)=4cos(2400t)+0.1cos(260t)10 kΩ1 kΩ1 kΩ5 kΩR1R2RCREVCC=+15 V

如圖之運算放大器電路，R1 與C 串聯。Vi 為直流時，V0/Vi 為何？ (A)R2/R1 (B)0 (C)1+R2/R1 (D)R2/C

承上題，電容C 接於電阻R1 和運算放大器負輸入端之間。Vi 電壓為極高頻時，V0/Vi 值趨近於下列何者？ (A)R2/R1 (B)1+R2/R1 (C)R2/C (D)1+R2/C

如圖所示電路，若兩個二極體的切入電壓均為0.7 V，當V1=9 V 及V2=0 V，則ID1 約為何？ (A)0.25 mA (B)0.5 mA (C)0.75 mA (D)1 mA

假設二極體導通電壓為0.7 V，如圖所示電路，欲使輸出正半波峰值電壓為7 V，Z1 之稽納（Zener）電壓應為何？ (A)6.3 V (B)7.7 V (C)13 V (D)19.3 V

橋式整流提供一穩定電壓如圖，Vi=250sin(ωt) V，ω 為角頻率，二極體導通電壓為0.7 V，稽納二極體的崩潰電壓為6 V，流過150 Ω 電阻的電流為何？ (A)50 mA (B)40 mA (C)83 mA (D)233 mACViV0R1R20.5 kΩ0.5 kΩ10.5 kΩV1V2VOD1ID1D2ID21.0 kΩZ1R15 V20 V20 V0Vout150 ΩRC6 VD2T1Vi10:1++～

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 為正弦波，頻率為60 Hz，峰值電壓為110 V，負載RL的平均功率約為何？ (A)0.21 W (B)0.24 W (C)0.28 W (D)0.42 W

下圖實驗電路中，測量Vo 端波形時發現漣波因數太大，下列何者可有效降低漣波因數？ (A)降低電容C 值 (B)將二極體反接 (C)降低電阻RL值 (D)增加Vi 的頻率

圖為倍壓器電路，輸入端電壓訊號的頻率為60 Hz，則輸出端的漣波頻率為何？ (A)120 Hz (B)60 Hz (C)180 Hz (D)90 Hz

如圖所示電路及輸入波形，若二極體的切入電壓為0.7 V，二極體的峰值順向電流約為何？ (A)73 mA (B)80 mA (C)83 mA (D)90 mA

圖為橋式整流電路，輸入信號為80 Vrms 之正弦波，二極體視為理想，輸出波形之平均值約為何？ (A)71.94 V (B)35.97 V (C)50.88 V (D)113.12 V220 Ω1000 μFVinFD1D2D3D4CRL輸出10:1RLVoViVCCR1100 Ω120 Vrms60 HzC1500 μFC2500 μFViD1D2Vo+～++45 ΩR+4 V4 V01 kΩVo80 Vrms+～

不影響原訊號的波形，但能改變此訊號直流準位的電路稱為下列何者？ (A)微分器 (B)放大器 (C)限制器 (D)箝位器

圖為二極體箝位器，輸出波形的頻率為何？ (A)60 Hz (B)120 Hz (C)30 Hz (D)180 Hz

如圖所示之電路，若NPN 電晶體β=100、VBE=0.7 V，下列敘述何者正確？ (A)IE=4.8 mA (B)IB=0.2 mA (C)VCE=3.2 V (D)VCE=0.2 V

有一如圖之BJT 放大器，若VBE=0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電流端截點為IB=20 μA (B)其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電壓端截點為VBE=4.7 V (C)其B-E 迴路之靜態基極電流為IBQ=20 μA (D)其B-E 之靜態電壓為VBEQ=0.7 VD1VoCR110 Vrms60 Hz0º+～+ICRC=2 kΩVCEVBEIBRB=200 kΩVBB=4.7 VVCC=10 VRB=150 kΩRC=1 kΩRE=500 ΩVEE=10.7 Vvivo

對於圖中的偏壓電路，RC=20 kΩ、RB=800 kΩ、VCC=10.7 V、VBE=0.7 V、IB=5 μA，其β 最接近值為何？ (A)50 (B)60 (C)80 (D)100

如下圖所示之N 通道增強型MOSFET 電路，已知ID=20 mA，則VGS 約為何？ (A)3 V (B)2 V (C)2 V (D)3 V

有關矽空乏型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？ (A)n 通道的空乏型MOSFET 是使用p 型基座（substrate） (B)n 通道的空乏型MOSFET 需另加正值VGS，才能感應出通道 (C)其通道電流ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加 (D)n 通道的空乏型MOSFET 之VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值

若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列敘述何者正確？ (A)β 值大小與溫度無關 (B)相同電路之下，β 較小的電晶體較易飽和 (C)β 定義為IE/IC (D)工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於βVCCRCRBVBE200 kΩ100 kΩ0.1 kΩ1 kΩVDD=+15 VR1RDR2RSVSVGVDID

有關BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ (A)BJT 的工作點是由元件特性曲線與負載線的交點決定 (B)BJT 的小信號模型參數與工作點相關 (C)由BJT 的小信號模型只能求出由B 極及C 極看入的阻抗 (D)為了BJT 的小信號能線性放大，必須滿足vbe<<VT（thermal voltage）的條件

如圖所示之RC 耦合串級放大器中，兩個電晶體之β=49、VBE=0.7 V，VCC=10.7 V、RB1=RB2=150 kΩ、RC1=2 kΩ、RC2=RE1=RE2=1 kΩ，試求電路中IB1 電流值為何？ (A)0.04 mA (B)0.05 mA (C)0.067 mA (D)0.1 mA

如圖，Q1 的β1=50，Q2 的β2=100，兩個電晶體的VBE=0.7 V 且ro 都不計；求（IB1 及VB2）？ (A)（2 μA 及1.5 V） (B)（2 μA 及0.8 V） (C)（1 μA 及1.5 V） (D)（1 μA 及0.8 V）

某MOS 場效電晶體的電流ID=500 μA、參數λ=0.025 V1，則其輸出阻抗ro 為何？ (A)80 kΩ (B)50 kΩ (C)25 kΩ (D)12.5 kΩ

有關共集極（Common Collector）放大器組態之特性，下列敘述何者正確？ (A)低輸入阻抗 (B)電壓增益高 (C)輸出與輸入電壓相位相反 (D)低輸出阻抗

一n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs=25 fF、Cgd=2 fF、W/L=16、μnCox=200 μA/V2，操作在電流為100 μA，其單一增益（Unity-gain）頻率fT的最接近值為何？ (A)2 GHz (B)3 GHz (C)4 GHz (D)5 GHz

若一直接耦合串級放大器電路，其各諧波失真百分率分別為D2=40%、D3=26%、D4=15%，其餘諧波失真可忽略不計，則該串級放大器之總諧波失真百分率DT 約為何？ (A)25% (B)40% (C)50% (D)81%VCCvivoRB1RB2RE2RE1Q2Q1IB1IB2RC2RC11 MΩ1 MΩ50 μA5 mARiQ2Q1voviIB2IB1VB2C→∞C→∞β1=50VCC=5 Vβ2=100

555 計時器的內部有一個RS 正反器。下列關於此RS 正反器的敘述何者錯誤？ (A)此正反器的兩個輸入訊號分別來自於兩個比較器的輸出結果 (B)當其兩個輸入訊號都是低態邏輯時不會改變其現存的輸出結果 (C)當其兩個輸入訊號都是高態邏輯時會反轉其現存的輸出結果 (D)此正反器的輸出結果會影響555 計時器內部一放電迴路上電晶體的導通與否

當變壓器耦合串級放大器之電路阻抗完全匹配時，下列敘述何者正確？ (A)電壓增益最大 (B)電流增益最大 (C)功率增益最大 (D)功率增益最小

如圖為單穩態多諧振盪器，觸發信號由Vi 注入。由Vi 注入在R3 上的觸發電壓需要多大才能使IC 轉態而產生脈波？ (A)Vcc (B)Vcc/2 (C)Vcc R1/(R1+R2) (D)Vcc R2/(R1+R2)

圖示為一加偏壓之反相施密特觸發器，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其上臨界電壓（voltage of upper threshold）VTH 為何？ (A)0 V (B)2 V (C)4 V (D)8 V

下圖中RA 為1/4 W、13 kΩ 的碳膜電阻器，外觀上以色碼「棕橙橙」表示其大小。而RB 上表示其大小的色碼為「紫綠紅」，並且陶瓷電容器C 外觀上打印有102 之字樣。此電路輸出方波的責任週期（Duty cycle）約為何？ (A)43.1% (B)54.2% (C)65.3% (D)73.2%R1C1C2R2R3ViVoV1+VCCVCC+VCC+VCCVCCVOVS5 kΩ10 kΩVR=+6 V0.01 μFV+RARBC555電源臨界觸發放電重置控制輸出接地