電子學大意考古題｜歷屆國考試題彙整

有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小K 倍，則操作電壓應為何？ (A)增大為K 倍 (B)降低為(1/K)倍 (C)增大為K2 倍 (D)降低為(1/K)2 倍

假設矽二極體在25℃時，其順向跨壓為0.7 V，則當溫度上升至65℃時，其順向跨壓約為何？ (A)0.75 V (B)0.7 V (C)0.65 V (D)0.6 V

磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為20 mA，導通電壓為2.2 V，電路如圖所示，要使此LED 發光，電源應至少提供多少功率？ (A)44 mW (B)46 mW (C)60 mW (D)90 mW

純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？ (A)硼、磷 (B)銦、磷 (C)砷、鎵 (D)鎵、銻

有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？ (A)信號由集極輸入 (B)輸入電阻高 (C)射極電壓的平均值必為0 V (D)又稱為集極隨耦器

一PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓VEB = 0.6 V 時集極電流IC = 0.01 mA，熱電壓VT = 0.0259 V。當VEB = 0.75 V 時IC 約為何？ (A)0.33 mA (B)0.63 mA (C)3.28 mA (D)6.28 mA

如圖所示JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP = -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？ (A)1.9 V (B)9.2 V (C)11 V (D)15 V

空乏型MOSFET 不適合用於下列何者？ (A)線性放大器 (B)壓控電感 (C)壓控電阻 (D)壓控電容40 ΩVDD = 15 VRD = 1.9 kΩRG = 5 MΩ

有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？ (A)輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似 (B)輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (C)輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (D)輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm = vo /ii 為何？ (A)Rf/(1+A) (B)Rf (C)-Rf (D)-Rf/(1+1/A)

有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？ (A)可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性 (B)部分輸出回授至反相輸入端 (C)產生振盪輸出 (D)增加頻寬

如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？ (A)截止區 (B)飽和區 (C)主動區 (D)歐姆區

當15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？ (A)7.5 Hz (B)15 Hz (C)30 Hz (D)435 Hz

在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？ (A)1 倍 (B)2 倍 (C)0.5 倍 (D)4 倍

一個稽納二極體（Zener Diode）在40℃時的最大功率額定值為500 mW，衰減因數為4 mW/℃。則稽納二極體在90℃時消耗的最大功率值為何？ (A)100 mW (B)150 mW (C)200 mW (D)300 mW

圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過1 kΩ 的電流約為何？ (A)12 mA (B)16.9 mA (C)24 mA (D)7.6 mARfiiiiviAvo120 Vrms60 HzREVCERCVBEVCCR1 kΩ250 μFC10：1T1

如圖所示電路，下列何者為全波整流器？ (A)c 與d (B)a 與b (C)a 與d (D)c 與b

有一整流濾波器的直流濾波電壓為20 V，漣波電壓的有效值為0.4 V，則漣波因數為何？ (A)1% (B)2% (C)3% (D)4%

如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？ (A)電容C1 兩端的電壓為Vm (B)電容C2 兩端的電壓為2 Vm (C)電容C3 兩端的電壓為3 Vm (D)電容C4 兩端的電壓為2 Vm

下圖為何種電路？ (A)並聯二極體截波 (B)串聯二極體截波 (C)上箝位器 (D)下箝位器

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？ (A)30 V、-30 V (B)29.3 V、-29.3 V (C)0.7 V、-0.7 V (D)皆為0 VVmC1C2C3C4RVoV1120 VrmsDRVoutD1D2Vin ＋30 V-30V0 V2.2 kΩ(a)(c)(b)(d)RLRLRLRL

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？ (A)142 V (B)140.7 V (C)100 V (D)99.3 V

圖示電路，VCC = 10 V，RB1 = RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？ (A)截止區（Cutoff region） (B)主動區（Active region） (C)飽和區（Saturation region） (D)逆向主動區（Reverse Active region）

有關溫度對BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？ (A)電流增益β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流IC 無關 (B)基極-射極電壓VBE 會隨溫度上升而下降 (C)逆向飽和電流ICBO 會隨溫度上升而增加 (D)集極電流IC 增加時，會使集極接面溫度上升

有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則R 應為何？ (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)165 kΩVP(in)0VoutRL＋16 V5 kΩR0.7 V＋-1 kΩRCRERB1RB2VCC-

使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？ (A)1 mA (B)2 mA (C)3 mA (D)4 mA

當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？ (A)rπ (B)re (C)ro (D)1/gm

有一如圖之BJT 電路，若CC1 之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT = 25 mV，β = 100，則Rin 約為何？ (A)0 Ω (B)26.8 Ω (C)10 kΩ (D)無窮大阻抗

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，熱電壓VT = 0.025 V，放大器的輸入電阻Rin 約為何？ (A)2 kΩ (B)2.5 kΩ (C)12 kΩ (D)12.5 kΩ750 kΩ1 kΩ12 V1 kΩ250 kΩRE = 10 kΩviCC1V+ = +10 VvoCC2RC = 5 kΩV- = -10 V10 kΩ2 kΩVCC10 kΩvo∞∞vsigRin1 mAVEERinRin

圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，放大器輸出電阻Rout 的最接近值為何？ (A)2 kΩ (B)5 kΩ (C)9 kΩ (D)10 kΩ

圖中放大器電路中電晶體的VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益vo/vi的最接近值為何？ (A)5 V/V (B)10 V/V (C)20 V/V (D)40 V/V

圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？ (A)電壓放大用 (B)截波器 (C)緩衝器 (D)濾波器1 mA∞∞10 kΩVCCRoutvo10 kΩ2 kΩvsigVEEVDD-VSS1 mA10 kΩvovi100 kΩ∞∞10 kΩvsigvovi

如圖為一串級放大電路，已知Q1 和Q2 之參數β 均為120，且rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路中的R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率Vo/Vi 約為何？ (A)-195 (B)-95 (C)95 (D)195

下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合IC 積體電路化？ (A)變壓器耦合 (B)RC 耦合 (C)電感耦合 (D)直接耦合

如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數β1 = β2 = 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗Ro 為何？ (A)32 kΩ (B)8 kΩ (C)500 Ω (D)125 Ω

在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？ (A)低中高頻段均不受影響 (B)高頻響應 (C)中頻響應 (D)低頻響應

如圖所示振盪電路，電路振盪頻率fo 約為何？ (A)3.28 kHz (B)6.56 kHz (C)32.8 kHz (D)65.60 kHzVCCViVoR1R2Q1Q2R3RC1RE1R4RLRE2CC1CC2CC3CEViRi1：26：110：1RoVoib1ib2rπ1ro1ro2rπ2β1ib1β2ib2VCC10 VRC1RB2RB1RC22.2 kΩ22 kΩ22 kΩ1 kΩVO1VO2Q1Q2C1C20.01 μF0.01 μF

圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中OPA 之輸出飽和電壓為15 V，則其下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 為何？ (A)-23/3 V (B)-7/3 V (C)7/3 V (D)23/3 V

下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？ (A)使用負回授電路結構 (B)維持振盪訊號的相位不變 (C)維持振盪訊號的振幅不變 (D)只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則

如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位VTH 和VTL的主要元件為何？ (A)R 和C (B)R1 和R2 (C)R1 和C (D)R1、R2 和C+VCC150 kΩ50 kΩVSVO-VCCVR = +2 V+VCCR1R2VoV+-VCCRC

有關積體電路28 奈米半導體製程技術，這裡所指的28 奈米製程，為下列何種尺寸？ (A)電晶體的閘極長度 (B)電容器的絕緣層厚度 (C)電路的金屬線寬度 (D)金屬間的連結栓直徑

下列何種元件在電流－電壓（I-V）特性曲線的切線斜率會出現負值？ (A)稽納二極體 (B)蕭特基二極體 (C)發光二極體 (D)穿隧二極體

室溫下的N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為1015 cm3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？ (A)多數載子濃度大得多 (B)大約相等 (C)施體離子濃度大得多 (D)兩者無關

下列何種二極體組合其正常工作時皆為逆偏壓？ (A)變容二極體、發光二極體 (B)雷射二極體、稽納二極體 (C)發光二極體、雷射二極體 (D)變容二極體、稽納二極體

雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？ (A)集-射極電壓（VCE） (B)基極電流（IB） (C)電源電壓 (D)連在集極上的電阻

雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為A，基-集極空乏區厚度為B，則其大小關係下列何者正確？ (A)A>B (B)A=B (C)A<B (D)不一定

圖示之電路，雙極性電晶體β=100，基-射極導通電壓VBE=0.7 V，集-射極電壓VCE 約為何？ (A)3.72 V (B)6.72 V (C)9.72 V (D)12.72 V

有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？ (A)射極對基底 (B)汲極對基底 (C)閘極對源極 (D)源極對基底

某一n 通道JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓VGS=5 V 且源極電阻RS=2 kΩ，則汲極電流ID大小與方向為何？ (A)2.5 mA、由汲極流向源極 (B)2.5 mA、由源極流向汲極 (C)10 mA、由汲極流向源極 (D)10 mA、由源極流向汲極

一差動放大器的Ad=100，Acm=0.5，兩個輸入分別是Va(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，Vb(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，此差動放大器的輸出Vo(t)？ (A)Vo(t)=2cos(2400t)+0.1cos(260t) (B)Vo(t)=cos(2400t)+0.2cos(260t) (C)Vo(t)=2cos(2400t)+0.2cos(260t) (D)Vo(t)=4cos(2400t)+0.1cos(260t)10 kΩ1 kΩ1 kΩ5 kΩR1R2RCREVCC=+15 V

如圖之運算放大器電路，R1 與C 串聯。Vi 為直流時，V0/Vi 為何？ (A)R2/R1 (B)0 (C)1+R2/R1 (D)R2/C

承上題，電容C 接於電阻R1 和運算放大器負輸入端之間。Vi 電壓為極高頻時，V0/Vi 值趨近於下列何者？ (A)R2/R1 (B)1+R2/R1 (C)R2/C (D)1+R2/C

如圖所示電路，若兩個二極體的切入電壓均為0.7 V，當V1=9 V 及V2=0 V，則ID1 約為何？ (A)0.25 mA (B)0.5 mA (C)0.75 mA (D)1 mA

假設二極體導通電壓為0.7 V，如圖所示電路，欲使輸出正半波峰值電壓為7 V，Z1 之稽納（Zener）電壓應為何？ (A)6.3 V (B)7.7 V (C)13 V (D)19.3 V

橋式整流提供一穩定電壓如圖，Vi=250sin(ωt) V，ω 為角頻率，二極體導通電壓為0.7 V，稽納二極體的崩潰電壓為6 V，流過150 Ω 電阻的電流為何？ (A)50 mA (B)40 mA (C)83 mA (D)233 mACViV0R1R20.5 kΩ0.5 kΩ10.5 kΩV1V2VOD1ID1D2ID21.0 kΩZ1R15 V20 V20 V0Vout150 ΩRC6 VD2T1Vi10:1++～

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 為正弦波，頻率為60 Hz，峰值電壓為110 V，負載RL的平均功率約為何？ (A)0.21 W (B)0.24 W (C)0.28 W (D)0.42 W

下圖實驗電路中，測量Vo 端波形時發現漣波因數太大，下列何者可有效降低漣波因數？ (A)降低電容C 值 (B)將二極體反接 (C)降低電阻RL值 (D)增加Vi 的頻率

圖為倍壓器電路，輸入端電壓訊號的頻率為60 Hz，則輸出端的漣波頻率為何？ (A)120 Hz (B)60 Hz (C)180 Hz (D)90 Hz

如圖所示電路及輸入波形，若二極體的切入電壓為0.7 V，二極體的峰值順向電流約為何？ (A)73 mA (B)80 mA (C)83 mA (D)90 mA

圖為橋式整流電路，輸入信號為80 Vrms 之正弦波，二極體視為理想，輸出波形之平均值約為何？ (A)71.94 V (B)35.97 V (C)50.88 V (D)113.12 V220 Ω1000 μFVinFD1D2D3D4CRL輸出10:1RLVoViVCCR1100 Ω120 Vrms60 HzC1500 μFC2500 μFViD1D2Vo+～++45 ΩR+4 V4 V01 kΩVo80 Vrms+～

不影響原訊號的波形，但能改變此訊號直流準位的電路稱為下列何者？ (A)微分器 (B)放大器 (C)限制器 (D)箝位器

圖為二極體箝位器，輸出波形的頻率為何？ (A)60 Hz (B)120 Hz (C)30 Hz (D)180 Hz

如圖所示之電路，若NPN 電晶體β=100、VBE=0.7 V，下列敘述何者正確？ (A)IE=4.8 mA (B)IB=0.2 mA (C)VCE=3.2 V (D)VCE=0.2 V

有一如圖之BJT 放大器，若VBE=0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電流端截點為IB=20 μA (B)其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電壓端截點為VBE=4.7 V (C)其B-E 迴路之靜態基極電流為IBQ=20 μA (D)其B-E 之靜態電壓為VBEQ=0.7 VD1VoCR110 Vrms60 Hz0º+～+ICRC=2 kΩVCEVBEIBRB=200 kΩVBB=4.7 VVCC=10 VRB=150 kΩRC=1 kΩRE=500 ΩVEE=10.7 Vvivo

對於圖中的偏壓電路，RC=20 kΩ、RB=800 kΩ、VCC=10.7 V、VBE=0.7 V、IB=5 μA，其β 最接近值為何？ (A)50 (B)60 (C)80 (D)100

如下圖所示之N 通道增強型MOSFET 電路，已知ID=20 mA，則VGS 約為何？ (A)3 V (B)2 V (C)2 V (D)3 V

有關矽空乏型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？ (A)n 通道的空乏型MOSFET 是使用p 型基座（substrate） (B)n 通道的空乏型MOSFET 需另加正值VGS，才能感應出通道 (C)其通道電流ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加 (D)n 通道的空乏型MOSFET 之VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值

若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列敘述何者正確？ (A)β 值大小與溫度無關 (B)相同電路之下，β 較小的電晶體較易飽和 (C)β 定義為IE/IC (D)工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於βVCCRCRBVBE200 kΩ100 kΩ0.1 kΩ1 kΩVDD=+15 VR1RDR2RSVSVGVDID

有關BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ (A)BJT 的工作點是由元件特性曲線與負載線的交點決定 (B)BJT 的小信號模型參數與工作點相關 (C)由BJT 的小信號模型只能求出由B 極及C 極看入的阻抗 (D)為了BJT 的小信號能線性放大，必須滿足vbe<<VT（thermal voltage）的條件

如圖所示之RC 耦合串級放大器中，兩個電晶體之β=49、VBE=0.7 V，VCC=10.7 V、RB1=RB2=150 kΩ、RC1=2 kΩ、RC2=RE1=RE2=1 kΩ，試求電路中IB1 電流值為何？ (A)0.04 mA (B)0.05 mA (C)0.067 mA (D)0.1 mA

如圖，Q1 的β1=50，Q2 的β2=100，兩個電晶體的VBE=0.7 V 且ro 都不計；求（IB1 及VB2）？ (A)（2 μA 及1.5 V） (B)（2 μA 及0.8 V） (C)（1 μA 及1.5 V） (D)（1 μA 及0.8 V）

某MOS 場效電晶體的電流ID=500 μA、參數λ=0.025 V1，則其輸出阻抗ro 為何？ (A)80 kΩ (B)50 kΩ (C)25 kΩ (D)12.5 kΩ

有關共集極（Common Collector）放大器組態之特性，下列敘述何者正確？ (A)低輸入阻抗 (B)電壓增益高 (C)輸出與輸入電壓相位相反 (D)低輸出阻抗

一n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs=25 fF、Cgd=2 fF、W/L=16、μnCox=200 μA/V2，操作在電流為100 μA，其單一增益（Unity-gain）頻率fT的最接近值為何？ (A)2 GHz (B)3 GHz (C)4 GHz (D)5 GHz

若一直接耦合串級放大器電路，其各諧波失真百分率分別為D2=40%、D3=26%、D4=15%，其餘諧波失真可忽略不計，則該串級放大器之總諧波失真百分率DT 約為何？ (A)25% (B)40% (C)50% (D)81%VCCvivoRB1RB2RE2RE1Q2Q1IB1IB2RC2RC11 MΩ1 MΩ50 μA5 mARiQ2Q1voviIB2IB1VB2C→∞C→∞β1=50VCC=5 Vβ2=100

555 計時器的內部有一個RS 正反器。下列關於此RS 正反器的敘述何者錯誤？ (A)此正反器的兩個輸入訊號分別來自於兩個比較器的輸出結果 (B)當其兩個輸入訊號都是低態邏輯時不會改變其現存的輸出結果 (C)當其兩個輸入訊號都是高態邏輯時會反轉其現存的輸出結果 (D)此正反器的輸出結果會影響555 計時器內部一放電迴路上電晶體的導通與否

當變壓器耦合串級放大器之電路阻抗完全匹配時，下列敘述何者正確？ (A)電壓增益最大 (B)電流增益最大 (C)功率增益最大 (D)功率增益最小

如圖為單穩態多諧振盪器，觸發信號由Vi 注入。由Vi 注入在R3 上的觸發電壓需要多大才能使IC 轉態而產生脈波？ (A)Vcc (B)Vcc/2 (C)Vcc R1/(R1+R2) (D)Vcc R2/(R1+R2)

圖示為一加偏壓之反相施密特觸發器，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其上臨界電壓（voltage of upper threshold）VTH 為何？ (A)0 V (B)2 V (C)4 V (D)8 V

下圖中RA 為1/4 W、13 kΩ 的碳膜電阻器，外觀上以色碼「棕橙橙」表示其大小。而RB 上表示其大小的色碼為「紫綠紅」，並且陶瓷電容器C 外觀上打印有102 之字樣。此電路輸出方波的責任週期（Duty cycle）約為何？ (A)43.1% (B)54.2% (C)65.3% (D)73.2%R1C1C2R2R3ViVoV1+VCCVCC+VCC+VCCVCCVOVS5 kΩ10 kΩVR=+6 V0.01 μFV+RARBC555電源臨界觸發放電重置控制輸出接地

下列積體電路其包含的邏輯閘數目何者最多？ (A)LSI (B)VLSI (C)MSI (D)SSI

相較於Si、GaAs 半導體材料，SiC、GaN 具備下列何種特性？ (A)窄能隙 (B)低遷移率 (C)高崩潰電壓 (D)低導熱率

電壓1v (t)5cos(πt45 )及

電壓v1(t) = 5sin(πt/4)伏特，f(t)如圖所示，v2(t)為v1(t)與f(t)相乘。當0≦t≦8 時，v2(t)的平均電壓為多少伏特？ (A)25/π (B)50/π (C)75/π (D)100/π

有關矽二極體材料之敘述，下列何者錯誤？ (A)施體（Donor）雜質具有5 個價電子 (B)經過摻雜（Doping）處理的半導體稱為本質（Intrinsic）半導體 (C)N 型材料的多數載子是電子 (D)P 型材料的少數載子是電子

v (t)5sin(πt45 )，則兩電壓之相位差為多少度？ (A)2v 電壓領先1v 電壓45° (B)2v 電壓落後1v 電壓90° (C)2v 電壓落後1v 電壓45° (D)2v 電壓領先1v 電壓90°2某矽二極體在溫度20℃時的逆向飽和電流為5 nA，若溫度上升至50℃時，則逆向飽和電流約為何？ (A)20 nA (B)30 nA (C)40 nA (D)50 nA

二極體電路如圖所示，二極體的導通電壓為0.6 V，流經電阻的電流值I 為下列何者？ (A)0.06 mA (B)0.16 mA (C)0.25 mA (D)0.35 mA

下列何種情況元件的整體阻抗較低，易有較大電流發生？ (A)偏壓為零的二極體 (B)絕緣體 (C)順向偏壓且超過切入（cut-in）電壓的二極體 (D)逆向偏壓二極體

在矽半導體材料中，摻雜三價元素的雜質，熱平衡下此半導體形成何種型式？半導體內多數載子為何？此半導體呈現的電性為何？ (A)N 型半導體、電子、電中性 (B)N 型半導體、電子、負電 (C)P 型半導體、電洞、正電 (D)P 型半導體、電洞、電中性

有關蕭特基（Schottky）二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A)金屬與半導體形成接面二極體 (B)可應用於高頻電路 (C)元件特性為少數載子所主導 (D)矽基蕭特基二極體的切入電壓小於PN 二極體

雙極性接面電晶體（BJT）基極的厚度很薄，主要考量為何？ (A)增加基極電流 (B)減少集極電流 (C)減少由射極出發通過接面到達基極的載子被復合（recombination）的機會 (D)增加由基極通過接面到達集極的載子被復合（recombination）的機會

NPN 雙極性接面電晶體之特性，下列敘述何者正確？ (A)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值，也同時高於射極的主要載子濃度 (B)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值，但是卻低於射極的主要載子濃度 (C)集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值，但是卻高於射極的主要載子濃度 (D)集極的主要載子濃度值低於基極的主要載子濃度值，也同時低於射極的主要載子濃度

共射極接法電晶體之α 值由0.98 變至0.99，則β 值的變化如何？ (A)由88 變為49 (B)由66 變為49 (C)由49 變為88 (D)由49 變為99

NPN 雙極性接面電晶體，α= 0.96，在主動區操作，下列何者錯誤？ (A)β= 24 (B)電流比值IB/IE = 25 (C)VCE > 0 (D)電子流方向由射極到集極

圖示之電路，雙極性電晶體β250，基-射極導通電壓BEV0.7 V，則其集-射極電壓VCE 約為何？ (A)5.52 V (B)6.52 V (C)7.52 V (D)8.52 V

如圖所示之電路，雙極性接面電晶體β 值均為199，VI=2.7V 時，VE 約為何？ (A)1.3 V (B)1.5 V (C)1.7 V (D)1.9 V

雙極性接面電晶體，基極和射極的順向導通電壓VBE= 0.7 V，基極和集極的順向導通電壓VBC = 0.5 V，各極提供的電壓如圖示，下列何者是在逆向主動區模式？ (A)VC = 4.8 V，VB = 3.2 V，VE = 1.6 V (B)VC = 3.0 V，VB = 3.5 V，VE = 5.2 V (C)VC = 3.8 V，VB = 5.5 V，VE = 3.6 V (D)VC = 5.3 V，VB = 3.4 V，VE = 4.8 V

有一雙極性接面電晶體的電路符號如圖所示，當在順向主動區操作時，下列何者正確？ (A)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為復合電流 (B)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流 (C)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為復合電流 (D)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流

如圖所示，vi = VDD 時，若負載電阻RD 變大，則v0 將會如何？ (A)增大 (B)降低 (C)不變 (D)為VDD

下列何者不是理想運算放大器的特點？ (A)輸入阻抗無窮大 (B)僅有一個輸入端 (C)輸出阻抗為零 (D)電壓增益無窮大VCC = +15 VR1R2RERC1 kΩ1 kΩ10 kΩ5 kΩ