電子工程 102 年電子學大意考古題

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω。關於以下電路之敘述，何者正確？ (A)若A, B 點電壓皆為5 V，則電阻電流為0.7 mA (B)若A 點電壓為5 V，B 點電壓為4 V，則電阻電流為0.3 μA (C)若A, B 點為邏輯準位輸入，其布林函數為Vout = A + B (D)若A 點電壓為5 V，B 點電壓為0.3 V，則電阻電流為4 mA

如圖所示之電路，，，，求其平均輸出電壓為何？v (A)82.7 V (B)92.7 V (C)102.7 V (D)112.7 V

下列由理想運算放大器所組成的應用電路中，何種電路中的運算放大器輸入端，不可視為虛短路？ (A)比較器 (B)非反相放大器 (C)反相放大器 (D)微分器

分析圖中之電路，若運算放大器為理想，且Vi = 4 V，則輸出電壓Vo 約為何？ (A)8 V (B)6 V (C)4 V (D)-6 V

以下關於CMOS 傳輸閘的描述，何者正確？ (A)NMOS 的基體與外部電壓正值相連 (B)PMOS 的基體與外部電壓負值相連 (C)PMOS 和NMOS 上的閘極控制電壓互補 (D)傳輸閘導通時輸入和輸出互補

如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體？S (A)n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET） (B)p 通道金氧半場效電晶體（P-MOSFET） (C)n 通道接面場效電晶體（N-JFET）G (D)p 通道接面場效電晶體（P-JFET）D

圖中理想運算放大器電路的輸出電壓Vo 為何？ (A)3V1 + 2V2 (B)2V1 + 3V2 (C)6V1 + 4V2 (D)4V1 + 6V25VABVout1kΩ1kΩ1kΩ6V-6VVoVi+-8kΩ-+2kΩ2kΩ3kΩ2kΩV1V2Vo

一DRAM 單元上使用30 fF 的電容，在6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許1 V 的信號損失，則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少？ (A)1 pA (B)2 pA (C)5 pA (D)10 pA

如圖所示運算放大器電路，下列敘述何者錯誤？ (A)參考電壓VREF 為+6V+12V (B)當輸入電壓Vi 為5V，輸出電壓Vo 約為-12V (C)當輸入電壓Vi 為7V，LED 燈為暗-12V-+10kΩ10kΩ470ΩVREFVoViLED (D)此電路為比較器電路

下圖數位邏輯電路，輸出F 為何？ (A)F =BA+BA (B)F =BA+ AB (C)F =BA+BA (D)F =BA+ AB

下列有兩放大器應用電路，U1 與U2 為理想運算放大器，輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間，電阻R1、R2、R3、R4均相等，若輸入電壓Vi1 及Vi2 為2 sin(ωt)V之正弦波，試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應。 (A)Vo1 為-/+10 V、Vo2＝4 sin(ωt)V (B)Vo1＝4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V (C)Vo1、Vo2 均為-/+10 V (D)Vo1、Vo2 均為4 sin(ωt)V

有一BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓VT=25 mV，若IC=1 mA，則該BJT 之轉導gm值為： (A)4 mA/V (B)40 mA/V (C)400 mA/V (D)4 A/V

下圖的符號為何？ (A)加強型（enhancement）NMOSFET (B)空乏型（depletion）NMOSFET (C)加強型（enhancement）PMOSFET (D)空乏型（depletion）PMOSFET

圖示理想運算放大器電路，若、kΩ31 =RkΩ72 =R、kΩ1=aR、kΩ19=fR，，V11 =vV12−=v，則輸出電壓為若干V？Ov (A)0 (B)4 (C)8 (D)10avb+vcRｖo-RR42RR311U1U2IO2IO2+-3223+Vo2Vo1-1IO1IO1+-～-～+Vi1Vi2V1V1RR1R2v1vO+-Rafv2

PN 二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造成？ (A)兩側電子 (B)兩側電洞 (C)中性原子 (D)正離子及負離子

一匹配的CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為200 fF，當操作電源為5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 10-15） (A)20 ps (B)40 ps (C)80 ps (D)100 ps

如圖所示之MOS電路，QQ1、Q 為P通道增強型MOSFET，Q23、Q4為N通道增強型MOSFET。此電路為何種邏輯閘？VCC (A)OR 閘A (B)NOR 閘Q1 (C)AND 閘B (D)NAND 閘Q2YQQ34

在室溫時，N 型或P 型半導體的導電特性與溫度的關係是： (A)隨溫度升高，導電特性變好 (B)隨溫度升高，導電特性變差 (C)導電特性不隨溫度變化而改變 (D)視其為N 型或P 型半導體而定

某0.25 μm 製程中，MOSFET 元件通道長度均為L = 0.25 μm，假設電子對電洞的遷移率比μn/μp = 3，要使CMOS 反相器具有對稱的轉移特性，通道的寬度比Wn/Wp 應為多少？ (A)3 (B)1/3 (C)9 (D)1/9

圖中以G 及G 兩個NOR閘組成RS型正反器（Flip-Flop），下列何者為其正確的反應？12 (A),,0=Q0=R0=SR (B)1=R,,0=S0=Q (C),,0=R1=S0=Q (D)1=R,,1=S1=Q

圖示理想二極體電路中，試求輸入電壓vI 的範圍，在此範圍內，輸出電壓vO 的值將會隨輸入vI 之變化而變化，其範圍為： (A)V4V1≤≤Iv2 kΩ (B)V6V5.1≤≤Ivv (C)V

下列有關發光二極體（LED）特性的敘述，何者錯誤？ (A)發光是操作在順向偏壓 (B)是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線 (C)一般LED 可由GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製 (D)也是新一代的照明裝置

圖中電路，假設0=INV，，，DDGVV =V5=DDVFf100=C。當V，。當，DDOV=A850 μID =2/DDOVV =A150 μ=DI。則此電路的V 從V降至V所需要的時間約為：ODD2/DD (A)1 ns (B)0.5 ns (C)0.25 ns (D)0.1 ns

V2≤≤IvI+-2 kΩ2 kΩ4 VvO+-D1D2 (D)V10V4≤≤Iv8如圖所示之電路，其共振頻率約為何？ (A)51.4 Hz (B)61.4 Hz50 Ω (C)71.4 Hz (D)81.4 Hz

有關積體電路設計的趨勢，下列敘述何者錯誤？ (A)使用大電容以消除雜訊 (B)避免使用大電阻 (C)降低零件的尺寸大小 (D)低電壓電源

由理想運算放大器組成的電路，如圖所示。若輸入信號的頻率為1，則電壓增益V的相位角度（Phase Angle）為：)π2/(RC/INO V (A)90 度 (B)45 度 (C)-45 度 (D)-90 度QG1G2SVGVVOINCRR-VOVIN+CRV5=zVkΩ21 =R，R，kΩ63 =RkΩ32 =

圖示全波整流電路，若交流電vS 之有效值電壓為10 Vrms，二極體導通時的壓降VD 為0.7 V，則此電路中使用的二極體崩潰電壓應至少為： (A)6.3 V (B)9.3 V (C)13.3 V (D)17.3 V

在負（n）型半導體材料中，主要的電流傳導載子是： (A)離子 (B)電子 (C)電洞 (D)原子ABF

如圖所示電路，稽納（Zener）二極體之限電壓為，當電阻值，輸出電壓為：oVR10V3 (A)+10 V (B)-10 VR+15V1 (C)+12 VR2 (D)-12 V-Vo+Vz-15V

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0，若Vi=A sinωt，下列敘述何者正確？ (A)若A<0.7 V，則二極體兩端壓差為0 (B)若A=1 V，則電阻上之峰值電流0.3 mA (C)若A=2 V，則電阻上之峰值電流為0.65 mA (D)若A>0.7 V，則電阻上之電流為直流電

如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者較正確？ (A) (B) (C) (D)

下列何者屬揮發性記憶體？ (A)Flash (B)Mask ROM (C)DRAM (D)E2PROM

如圖所示的電路，則“D1＂的主要功能為何？ (A)限制電流 (B)限制電壓 (C)提供定電流源 (D)解調

圖示整流電路，若交流電vS 之有效值電壓為10 Vrms，二極體導通時的壓降VD 為0.7 V，則vO 的電壓平均值約為若干？ (A)6 V (B)8 V (C)10 V (D)16 VD1D2U1RfR1R2R3R4R5+V-VvAvOvBvI-+vOvIvIvOvOvOvIvIABBAABBAacvSvO+--+

對於理想電壓放大器（Voltage Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為0 (B)輸出阻抗為0 (C)輸出阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電流放大器特性相同β

今有一電路如圖所示，其中VP1=VP2=6 V、R1=10 kΩ、R2=5 kΩ，啟動二極體導通的端電壓須達0.7 V以上，則電路中兩顆二極體導通的情形為何？ (A)D1(ON), D2(ON) (B)D1(ON), D2(OFF) (C)D1(OFF), D2(ON) (D)D1(OFF), D2(OFF)0.2 H30 μFvO +--+vacSVi-+1 kΩR1RD1D21 kΩR1R2D1接至負載接至控制AC 電源端VP1D1R2D2+-VoutR1-VP2GND

如圖所示之電路，設二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？ (A)C2 的耐壓為Vm (B)C4 的耐壓為2 Vm (C)D4 的峰值反向電壓為2 Vm (D)此電路為半波四倍壓電路

對一般雙極性電晶體而言，如果值要大，電晶體的選擇是： (A)NPN 電晶體，基極寬度要大 (B)NPN 電晶體，基極寬度要小β (C)PNP 電晶體，基極寬度要大 (D)NPN 電晶體，基極寬度與值無關

下列對於場效電晶體放大器的敘述，何者錯誤？ (A)共源極放大器的輸入電壓與輸出電壓反相 (B)共閘極放大器的輸入阻抗值很高 (C)共汲極放大器的電壓增益值小於1 (D)共源極放大器的輸入阻抗值很高

如圖的二極體電路，二極體D1、D2 具有相同之特性。輸出電壓VO 的值為： (A)-10 V (B)0 V (C)2 V (D)10 V

增強型MOSFET 的導通通道如何形成？ (A)基板（Substrate）表面的多數載體因電場作用形成 (B)基板表面的少數載體因電場作用形成 (C)以擴散技術在基板表面形成 (D)以離子植入在基板表面形成

如圖中具有負載電阻R 的箝位電路中，電容值對於輸出波形的影響為何？ (A)不會有影響ViRVo (B)影響直流準位的移動量 (C)影響輸出波形的頻率C (D)電容值愈大，輸出波形愈接近輸入波形

如圖電路中，D1 與D2 均為理想二極體。當VI = -5 V 時，VO 的值為： (A)-5 V (B)-3 V (C)+2 V (D)+10 V

所謂的本質（Intrinsic）半導體是指： (A)只有受體（Acceptors）加入 (B)除晶體原子外，沒有摻雜其他雜質 (C)只有施體（Donors）加入 (D)導電率接近導體的晶體材料

如圖所示電路，齊納二極體的VZ=5 V，電源V=15 V，RL=1 kΩ，若齊納二極體容許的最大IZ電流IZmax為20 mA，則R 的最小值Rmin 應為多大？ (A)200 ΩV (B)300 ΩRLRIZVZ+- (C)400 Ω (D)500 Ω

有一放大器電路如下圖所示，放大器U1 為理想運算放大器。二極體D1 順向電壓VD0 = 0.7 V。若電阻R1 = 1 kΩ，交流電源V1 = -5 V，試問節點B 的電壓VB 應落在下列何範圍內？ (A)VB≥-4.0 V (B)-4.0 V > VB ≥-4.5 V (C)-4.5 V > VB ≥-5 V (D)-5.0 V > VBD1D2D4D3C1C2C3VO+-+-vs=VmsinωtD1D210V-10VVO10kΩ15kΩ+10V2kΩVOD1D21mAVIV1U1D1R1CBA-++-～C4

如圖所示，不可能表達何種元件？ (A)光遮斷器 (B)光電晶體 (C)光耦合器 (D)光伏特電池（Photovoltaic Cell）V01 =V

如圖的共集（CC）放大器（其偏壓未示）。若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro，則此放大器的電壓增益約為何？vovI+VCC (A)gmRE (B)gmRE/(1+gmRE) (C)-gmRE (D)-gmRE/(1+gmRE)RE

二極體崩潰時會產生大的逆向電流，其主要原因有： (A)霍爾效應（Hall Effect）與通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect） (B)本體效應（Body Effect）與爾利效應（Early Effect） (C)齊納效應（Zener Effect）與雪崩效應（Avalanche Effect） (D)米勒效應（Miller Effect）與溫度效應（Temperature Effect）

如圖所示，二極體的導通電壓為0.7 V，順向電阻為100 Ω，則當、時，之電壓約為：V52 =VoV5V (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V

分析如圖之電路，若MOSFET 之轉導值gm=1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗ro=10 kΩ，RD=10 kΩ，RG=10 kΩ，試求Vo/Ii=？VDD (A)-90/11 (B)-10RDRGVOC1Ii (C)-15/2 (D)-25/3

如圖所示為一共閘（CG）放大器（偏壓電路未繪示），電晶體之ro → ∞，gm = 1 mA/V。若RS = 0.5 kΩ，RD = 3 kΩ，則此放大器之電壓增益VO/VI 為何？ (A)2 V/V (B)3 V/V (C)6 V/V (D)∞

下列雪崩型感光二極體（APD）的特性及應用敘述，那一個錯誤？ (A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下 (B)照光很容易產生雪崩倍增，讓電流增益變大 (C)它的PN 接面設計一般會非常遠離光照表面 (D)元件對光的調變響應可高至微波範圍20kΩ1kΩV11kΩVV2o

如圖所示電路中電晶體的β=100 且爾利電壓（Early Voltage）為無窮大，請問電路的頻寬約為多少？ (A)57 MHz (B)60 MHz (C)65 MHzRC=5.6 kΩVi+5 VVo (D)70 MHzCL=0.5 pF

在MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻rO與汲極電流ID 的關係為： (A)rO∝ID (B)rO∝DI1 (C)rO∝DI1 (D)rO與ID 無關

如圖所示的電源供應器，若輸入電源為120 VAC，60 Hz，橋式整流後的濾波電容為20,000 μF，則在50 Ω負載端的漣波約為： (A)0.1 V (B)1 V (C)1.5 V (D)2 V

如圖所示之放大器，若電晶體操作於飽和區，且其高頻3dB 頻率ωH 遠高於低頻3dB 頻率ωL，忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？ (A)降低RS 可提高中頻增益 (B)降低CS 可增加ωH - ωL (C)降低CD 可增加ωH - ωLRGVDDRDCDVoVic (D)增加RG 可增加ωH - ωLRSSC

在共射極放大器中，因為那一項等效或實際的電路元件之存在，使得放大器不能被視為理想的單向放大器（Unilateral amplifier）？ (A)射極電阻 (B)信號輸入端的耦合電容（Coupling Capacitor） (C)集極和射極間的輸出電阻（ro） (D)基極和集極間的空乏區電容（CBC）

如圖電路中運算放大器為理想者，且其輸出之最大值為，最小值為V5V5−，二極體之導通電壓為，若，則值為何？V7.0V1−=iVoV (A)0 V (B)0.7 V (C)5 V (D)-5 V

關於MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷 (B)PMOSFET 導通時之通道帶正電荷 (C)MOSFET 操作在飽和區時之Cgs（閘極到源極之寄生電容）> Cgd（閘極到汲極之寄生電容） (D)NMOSFET 源極（source）對基板（substrate）之電壓提高，臨界電壓（threshold voltage）降低

在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascade）放大器組態中，具有最大輸出電阻的是： (A)共射放大器 (B)共基放大器 (C)共集放大器 (D)疊接放大器

雙極性接面電晶體之共基極電流增益99.0=α，其共射極電流增益β 等於： (A)99 (B)119 (C)199 (D)200

如圖所示電路主要作用為： (A)電壓緩衝器（Voltage Buffer）VDD (B)電流放大器（Current Amplifier）Rsigvsig (C)轉阻放大器（Transresistance Amplifier）RLvo+ -R (D)截波電路（Limiter Circuit）G-VSS

有一MOSFET 其臨界電壓為Vt，爾利（Early）電壓為VA，當正好工作於三極體區（Triode Region）與飽和區（Saturation Region）之交界時，下列何者正確： (A)VGS = Vt (B)VGD = Vt (C)VDS = VGS + Vt (D)VDS = VGS - VA

順向偏壓二極體的小訊號電阻，與通過二極體的直流電流，兩者的關係為：drDI (A)∝ (B)∝drDIdrDI (C)∝ (D)兩者間無關聯drDI/1

如圖所示電路中場效電晶體（FET）之Vt = -1 V、μpCox(W/L)=2 mA/V2，若FET 工作在飽和區，且電流ID= 1 mA、VDD=5 V，則電壓VG 應為若干伏特？ (A)4.5 VVDD (B)4 V (C)3.5 VRG1R (D)3 V

當一MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流ID 與電晶體之過驅電壓（overdrivevoltage）Vov 的關係為： (A)ID 正比於1/Vov (B)ID 與Vov 無關 (C)ID 正比於Vov (D)ID 正比於Vov2

射極隨耦器（Emitter Follower）常作阻抗匹配之用，有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述，下列何者正確？ (A)高輸入阻抗，高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗，低輸出阻抗 (C)低輸入阻抗，高輸出阻抗 (D)低輸入阻抗，低輸出阻抗

有一個N 通道增強型MOSFET，Vth=1.2 V，VGS=2 V，下列工作區域何者錯誤？ (A)當VDS=0.4 V，電晶體處在飽和區 (B)當VDS=1 V，電晶體處在飽和區 (C)當VDS=1.5 V，電晶體處在飽和區 (D)當VDS=5 V，電晶體處在飽和區

若MOSFET 電晶體操作於飽和區，下列敘述何者錯誤？ (A)相同過驅電壓（overdrive voltage）條件下，其轉導值（transconductance）與寬長比（W/L）成正比 (B)輸出阻抗與導通電流約成反比 (C)閘極電容與寬長比（W/L）成正比 (D)相同電流條件下，其轉導值（transconductance）與過驅電壓（overdrive voltage）成反比+VDDGVOVIRS=0.5 kΩRD=3 kΩ

在高頻的共射極電晶體電路中，及分別為B 與E 及B 與C 間之極際電容，下列敘述何者正確？beCbcC (A)為回饋電容，米勒效應（Miller effect）使輸入電容加大bcC (B)為回饋電容，米勒效應使輸入電容加大beC (C)米勒電容與及無關beCbcC (D)米勒電容與電壓放大率無關VA

如圖所示電路，假設MOS 電晶體操作在飽和區，且其λ值皆大於零，忽略元件內極間電容效應，Vb為直流電壓，求此電路之轉折（corner）頻率為何？ (A)LC0121πγ (B)LC0221πγ (C)LC)(210201γγπ+ (D)LC)//(210201γγπ

圖示電路中場效電晶體FET 之Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2，若電壓VD 為3 V，則電阻RD 應為若干kΩ？ (A)4 (B)6 (C)12 (D)24

圖a 為無負載的放大器電路，圖b 為有負載電阻的放大器電路，圖c 為有電源電阻及負載電阻的放大器電路。圖a、圖b 及圖c 的電壓增益分別為及。三個圖中的電壓增益由大到小順序為：LRSRLRbavvAA ,cvA (A) (B)cbavvvAAA>>acbvvvAAA>> (C) (D)bacvvvAAA>>cbavvvAAA==120V～60Hz50Ω20,000μF1kΩV-iVo+VVVCCCCCCRRRRRRCCVCVVBBBoooBBBRVVSiiViRRLL圖a圖b圖c

空乏型nMOSFET，下列中那一項偏壓將使元件不導通？ (A)Vgs << 0 (B)Vgs = 0 (C)Vgs > 0 (D)Vgs >> 0

圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE/2，VCC = -VEE = 5 V，電晶體的β 為100，放大器的輸入共模（Common Mode）電壓為0 V。則差動放大器的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain）約為： (A)1.0 (B)0.5 (C)0.25 (D)0.125

一個N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零，則其的值為：GSV (A)負值 (B)零 (C)正值 (D)正、負皆可

有一放大器電路的高頻響應轉移函數（Transfer Function）FH(s)如下所示，其中s=jω=j2πf：⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+×−=435104110611021)(πππssssFH，若繪製)(sFH的波德圖（Bode Plot），試問在頻率f = 600 kHz 時的線段斜率應落在下列何範圍內？ (A) > +25 dB/decade (B)0 dB/decade 至+25 dB/decade (C) -25 dB/decade 至0 dB/decade (D) < -25 dB/decade

如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？ (A)降低C 值 (B)降低R 值 (C)選用寬長比（W/L）較大之電晶體 (D)增加VbRDVD+5VRC1RC2VCCVEEVI+VI-VOQ1Q2REVDDRCVoViVbM1+-

圖中電路而，則其為：V12=DVV2−=GSVSR (A)1.35 kΩ (B)2.82 kΩ (C)3.36 kΩ (D)5.10 kΩ

請問下圖高通濾波器電路之3 分貝（或截止）頻率約為多少？ (A)160 Hz (B)230 Hz (C)450 Hz (D)700 HzG2RDIDVGVDDVbM2VinM1VoCLViR17.07 kΩCC120.1VoμF0.1μFR214.14 kΩ+-

圖示電路中的電容CE 有何功用？ (A)提升輸入阻抗 (B)提升電壓增益 (C)濾去高頻雜訊 (D)頻率補償

如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數)/(bc II=β為100，不考慮電晶體集極到射極的交流輸出阻抗的影響，則此放大器的輸入阻抗or)/(iiiIVZ =約為多少？ (A)2.2 kΩ (B)110 kΩ (C)220 kΩ (D)300 kΩ

如圖所示為一BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1= Q2，並設工作於主動模式（active-mode）。則呈現在兩基極端的差動輸入電阻（Differential Input Resistance）Rid 以熱電壓（Thermal Voltage）VT 表示為：VCC (A)VT/IRCRCB1Q1Q2B2Ri (B) (β+1)VT/I (C)2(β+1)VT/I (D)4(β+1)VT/IdI-VEE

一個工作在主動模式（active mode）之BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為25 V，IC = 2.5 mA，則其輸出電阻rO 之值約為： (A)0.1 kΩ (B)1 kΩ (C)10 kΩ (D)100 kΩ

如圖共基極偏壓電路中，求出與值。EQICEQV (A)，mA50.3=EQIV50.4=CEQV (B)，mA50.2=EQIV50.3=CEQV (C)，mA75.2=EQIV10.4=CEQV (D)，mA50.5=EQIV50.6=CEQV

金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應，下列的描述何者錯誤？ (A)電晶體工作於三極管（triode）區時閘極電容可視為一平行板電容 (B)源極-本體間的電容為一反偏的pn 接面電容 (C)閘極-汲極間電容與電晶體工作區域無關 (D)源極-本體間的電容會隨偏壓而改變

放大器在-3 dB 頻率時，其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍？ (A)1.414 (B)0.707 (C)0.636 (D)0.5

圖中振盪器之振盪頻率約為何？ (A)101010 ×rad/sec (B)rad/sec1010 (C)91010 ×rad/sec (D)rad/sec91016V1.8kΩ91kΩ12VV+GS -47kΩRS+15V220kΩViIiVoZ2.2kΩiβ = 60vvoiRR2.4kΩ1.2kΩEC10V4VVEEVCC+-+-1nH2pF2pF

如圖示電路，電晶體電流放大率β =100，若RC=5 kΩ，Re=200 Ω，I=1 mA，則差模輸入阻抗Rid 約為多少？VCC (A)400 ΩRC-VEERCQ1Q2ReReIRid (B)500 Ω (C)40 kΩ (D)50 kΩ

下列那一種振盪器之頻率穩定性最高？ (A)RC 相移振盪器 (B)韋恩電橋振盪器 (C)考畢子振盪器 (D)石英晶體振盪器

雙極性電晶體（BJT）的爾利效應（Early effect），是指： (A)隨溫度變化的現象 (B)隨溫度變化的現象BEVCI (C)隨逆偏壓改變的現象 (D)隨偏壓改變的現象CIBCVCIBEV100=β2.3kΩ390kΩ1.1kΩ2.3kΩ24V圖a圖bRsVsViRL VoVoVsViRsIbIiIbRLCEIo++++----βreβIbcbVDDRDDSRSR2R1IG=0AGVGSVG+-VGSIDSSIDQ-pointVGGVP0IDIDIDIDSSQ-pointQ-pointQ-point000VPVGSVGSVGSVGVDDVGS(on)VGS(Th)VGS(Th)ID(on)VGVGRSVDDRDVGRS

一個差動放大器，若V+= +10mV 而V- = -10mV，那差動輸入電壓（differential-mode input voltage）為： (A)0mV (B) +10mV (C) +20mV (D) -30mV

分析以下之電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm為10 mA/V，β = 10，MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗ro，試求整體轉導增益Io/Vi？ (A)100/11 mA/V (B)1000/11 mA/V (C)11 mA/V (D)100 mA/V

如圖a 所示為具有信號源電阻和負載電阻的放大器電路，設sRLRΩ6.5=er，Ω∞=o，r。圖b為在erβ10kΩΩ280=sR390條件下的交流等效電路，其中>>，kΩ7.4=LR，則電壓增益)/(sovVVA =約為： (A)-257 (B)-183 (C)-2.75 (D)-1

如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2 和CS，MOSFET 的寄生電容為Cgs 和Cgd。有關此放大器電路的高頻響應，下列敘述何者正確？VDDRDVoRSCC1CC2RLCSQ1IRGVsig-VSS+- (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)主要受其他電容影響，但受外接電容與MOSFET 寄生電容的影響程度不大

如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，忽略電晶體輸出電阻，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，CDB = 15 fF，且VGS-VTH = 200 mV，採用米勒（Miller）趨近法，求位於Vo 端之極點頻率為何？（f = 10-15） (A)2.12 GHz (B)4.12 GHz (C)6.12 GHz (D)8.12 GHz+VCC-VEERLRCCERBvsigRsig+-voVDDIoVi10kΩVDD1kΩ200ΩVoVinG

參考圖中增強型MOSFET 的偏壓電路，選擇正確的工作特性圖： (A) (B) (C) (D)

由電阻R1、R2和運算放大器組成的非反相放大器（Non-Inverting Amplifier），如圖所示。其中R1=1kΩ，R2=1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，輸入偏移電壓（Input Offset Voltage, Vos）為5mV。若輸入VIN為正弦訊號，則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真？ (A)15 mVR2 (B)10 mV (C)5 mV-+VOR1VIN (D)2 mV

差動放大器中的共模斥拒比CMRR（Common-mode rejection ratio）愈大，則表示： (A)Ad 愈小，Acm愈大 (B)該差動放大器愈差 (C)愈易消除雜訊 (D)電流源輸出電阻R0 與CMRR 值無關

多級放大器的最後一級，因電路與負載之阻抗匹配，常使用何種放大器組態？ (A)共射極（Common Emitter） (B)共基極（Common Base） (C)共集極（Common Collector） (D)共閘極（Common Gate）VCCVEEV1V2VOR1R2R3Q1Q2VCCQ1Q2VoRCVBBVinR1R2ViVoC

如圖所示之電路，其運算放大器之飽和電壓為± 15 V，則此電路之遲滯（hysteresis）電壓範圍為何？ (A)10 Vk2 Ω+VC (B)12 V (C)15 VCVi3V3kΩ (D)18 V

圖中為一共射級架構的放大器電路，考慮其低頻響應，電容CE 所造成的極點頻率為何？ (A)1/CE/rπ (B)1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1)) (C)1/ CE/re (D)1/ CE．(re+(RB||Rsig)/(β+1))

如圖所示電路，電晶體與有相同特性，若1Q2QV20=CCVV10−=EEVkΩ5321===RRR，，電阻，，輸出電壓約為何值？V021==VVoV (A)20 V (B)15 V (C)10 V (D)5 V

分析如圖之電路，若MOSFET 之轉導值gm=1 mA/V 且操作於飽和區，臨界電壓Vth=1 V，VGS=1.2 V，求RD=？+--VCVoC5V (A)19 kΩ (B)25 kΩVoC1C2RLRGRD (C)38 kΩ (D)45 kΩVi

某NMOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2、電容Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF，且ID = 0.125 mA，則其單一增益頻率（unity-gain frequency）約為若干rad/s？（f = 10-15） (A)1 G (B)10 G (C)50 G (D)100 G

圖為疊接放大器（Cascode Amplifier），關於其中電晶體的作用，下列敘述何者錯誤？2Q (A)降低米勒效應 (B)增加放大器頻寬 (C)增加輸出阻抗 (D)降低電壓CCV

如圖之電路，運算放大器之飽和電壓為± 15 V，若Vo之週期為3 ms，則R2/R1為何？ (A)1/10 (B)1/4 (C)1/3 (D)1/2R1Vo15kΩ-+R20.2μF-+

如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體Q1與Q2之特性同為VBE1 = VBE2 = 0.7 V，β1 = β2 = 50，又VCC = 10 V，R1 = 100 kΩ，R2 = 3 kΩ則電流增益值AI =B1E2II為何？ (A)50 (B)51 (C)2000 (D)2601

有關圖中電路之敘述，下列何者正確？ (A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)其高頻增益為21RR− (D)C 越大則低頻3−dB 頻率越高-+R3R1R4R5R6R2C2ViVoR1R2R3R4R5C1C2C3C4Q1Q2ViVoVCCZiZoIB1IE1IE2IB2IC2IC1～Q1與Q2參數值(1)順向電流轉換比hfe = β = 100(2)輸入阻抗hie = βre = 1kΩC1

分析以下之電路，若MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值gm為1 mA/V，元件之輸出阻抗ro皆為10 kΩ，試求Vo / Vi約為多少？ (A)10VDD (B)7.5 (C)25/6 (D)25/1110 kΩViVoM1M2M3

一內部補償的運算放大器其直流開路增益為106，在1 MHz 時交流開路增益為60 dB，其3 dB 頻率為何？ (A)0.1 kHz (B)1 kHz (C)10 kHz (D)100 kHz

如圖所示電路，若，38如圖所示電路，若，kΩ121== RRkΩ253kΩ121== RRkΩ253== RRkΩ364== RRF05.01μC =，，，，則輸入訊號為下列何種頻率之弦波時不會被截止？F15.02μC =--++ (A)200 Hz (B)2 kHz (C)20 kHz (D)200 kHzkΩ2001 =RkΩ332== RRkΩ254== RR

如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值(gm)為1 mA/V。若忽略元件之輸出阻抗(ro)，則輸出(Vo)對輸入(Vi)之共模增益（Common Mode Gain）Acm=？ (A)0VDD (B)1/11 (C)1/10 (D) ∞M410 kΩVoM3M1M2Vi-Vi+

一BJT 電晶體β = 100 操作在IC = 2 mA，其電容為Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF，求其3 dB 頻率ω。 (A)2 × 107 rad/s (B)4 × 107 rad/s (C)8 × 107 rad/s (D)1 × 108 rad/s

如圖所示電路，為兩級串接直接耦合放大器電路，其中，，，電晶體與之特性相同，其參數值如圖所示，則此電路之小訊號輸入阻抗及小訊號輸出阻抗約為：1Q2QiZoZ+- (A)， (B)kΩ1=iZkΩ1=oZkΩ1=iZkΩ2=oZ， (C)， (D)kΩ200=iZkΩ1=oZkΩ200=iZkΩ2=oZ，

相較於單級共射極（CE）放大器，圖示CC-CE 串接電路之主要優點在於提高： (A)輸入阻抗、輸出阻抗 (B)輸入阻抗、頻寬VCC (C)輸出阻抗、電壓增益vo/vi (D)輸出阻抗、頻寬I2vivo1Q1Q2I

某三級串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別為AV1 = 50，AV2 = 100，AV3 = 200，試求總電壓增益為多少dB？ (A)80 dB (B)100 dB (C)120 dB (D)150 dB第一級第三級第二級輸入輸出RCVCC-VEECC2CERLVORBCC1RsigVsig -+IR2VCCR1CiViIB1IE1=IB2Q1Q2IE2IC2CoVoAV1=50AV2=100AV3=200

圖中電路之振盪器由三級反相器所組成，若單一級反相器之傳遞延遲為1ns，則振盪器之振盪頻率約為何？Hz10316×Hz10616×Hz10319×Hz10619× (B) (C) (D) (A)

一個理想二極體，在順向偏壓時： (A)電流為零 (B)電壓為零 (C)電阻為無窮大 (D)電容為零