電子工程 98 年電子學大意考古題

在共射極放大器組態中，經常會在射極端接上一電阻。此電阻最主要功能為何？ (A)增加增益 (B)降低輸入阻抗 (C)節省晶片面積 (D)穩定直流偏壓

右圖中，若電晶體之VBE =0.7 伏特時，則電晶體對地電壓Vc約為多少伏特？ (A)8.42 伏特β=1001 kΩVc2 kΩVcc = 20V (B)12.28 伏特400 kΩ (C)7.72 伏特 (D)11.58 伏特

電流增益及電壓增益均大於一的放大器組態為： (A)CE (B)CC (C)CB (D)CS

如右圖所示的振盪器電路，則vo的波形為何？R2 (A)三角波CV+ (B)方波V+R1vo2 (C)鋸齒波voR (D)弦波V-V-

若一單極點（one pole）RC 低通濾波器時間常數為0.318ms，則其三分貝頻帶寬應為：R2 (A)250 Hz (B)500 Hz (C)2 kHz (D)5 kHz

下列有關右圖電路之敘述，何者正確？ (A)輸出為正弦波 (B)為單穩態電路R1 (C)C1增大則輸出訊號頻率增大VO (D)R3降低則輸出訊號頻率增大VAR3C1

若一固定電流源差動放大器的各個BJT參數均相同（β0 = 100、rπ = 1 kΩ），則此放大器的差模（differentialmode）輸入端阻抗值約為： (A)200 Ω (B)2 kΩ (C)20 kΩ (D)200 kΩ

右圖所示電路為何種濾波器（Filter）？vivoLRC (A)高通 (B)低通 (C)帶通 (D)帶拒

一般而言，石英振盪器的振盪頻率，主要是由下列何項所決定？ (A)直流偏壓工作點 (B)石英晶體的特性 (C)接地電阻 (D)輸出電壓大小

如右圖所示為主動高通濾波器電路，則低頻截止頻率與低頻增益衰減率為： (A)2121CCRR21π，20db/decadeR3R4VoViR2R1C2C1 (B)2121CCRR21π，40db/decade (C)2121CCRR21π，20db/decade (D)2121CCRR21π，40db/decade

四個完全相同的揚聲器同時響時，其音量比兩個完全相同的揚聲器同時響時，高出多少分貝（dB）？ (A)3 (B)6 (C)9 (D)2

下列有關金氧半場效電晶體之敘述，何者正確？ (A)閘極至源極電容（Cgs）與汲極電流成正比 (B)閘極至汲極電容（Cgd）與電晶體閘極寬度成正比 (C)輸出電阻（ro）與汲極電流成正比 (D)互導（g m）與汲極電流成正比

如右圖所示，電路使用一個4X1 多工器可執行下述何交換函數f (x, y, z)？ (A)Σ(0,2,3,5,7)多工器I1I2I3I01xxxzyS0S1Yf (x, y, z) (B)Σ(0,1,3,7) (C)Σ(0,2,3,5) (D)Σ(0,2,3,4,5,7)Vcc

如右圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，則此為何種邏輯閘？ (A)OR 閘 (B)NOR 閘R2R4R1 (C)AND 閘Q3 (D)NAND 閘D3Q2VAQ1VOD1Q4VBR3D2

D 型正反器（D-type flip-flop）主要是使用下列何項功能？ (A)延遲 (B)加法 (C)乘法 (D)及閘（AND GATE）

如右圖之CMOS靜態隨機存取記憶元（SRAM cell）中，若V1=0V，則V2=？ (A)0VDD (B)VDD/2WLBLM1V1V2 (C)VDDWL (D)2 VDDLBM2

下列有關雙極性接面電晶體射極接面小訊號擴散電容之敘述，何者正確？ (A)隨射極電流上升而上升 (B)隨基極電流上升而下降 (C)隨基極摻雜濃度上升而下降 (D)與集極之多數載子濃度之變化有關

發光二極體（light emitting diode）所發光的顏色，主要是由下列何者所決定？ (A)外加電壓的大小 (B)外加電流的大小 (C)操作溫度 (D)材料本身能隙（energy bandgap）的大小

右圖電路可執行何種邏輯運算？VDD (A)ANDBVOAVi基本放大器回授網路β (B)OR (C)NAND (D)NOR

由p-n 接面二極體所形成的太陽電池和光偵測器，在操作上最大的差異為何？ (A)太陽電池在順偏操作，而光偵測器通常在逆偏操作 (B)太陽電池需要較大逆向偏壓，而光偵測器通常需要較小的反偏 (C)太陽電池需要產生光子，而光偵測器為接受光子 (D)太陽電池消耗功率較小，而光偵測器較大

下列那一種二極體具有穩壓功能？ (A)隧道二極體（tunnel diode） (B)發光二極體（light emitting diode） (C)稽納二極體（Zener diode） (D)蕭特基二極體（Schottky diode）

一般而言，下列何者為射極隨耦器（Emitter Follower）之性質？ (A)電壓增益1 (B)電壓增益≈> 1 (C)電流增益≈1 (D)電流增益 < 1

BJT直流工作特性曲線中，在順向作用區（forward active region）時其I C值會隨VCE值增加而微增，此乃因何效應？ (A)歐姆效應 (B)布朗克效應（Planck effect） (C)爾利效應（Early effect） (D)愛因斯坦效應（Einstein effect）

某雙極性接面電晶體工作在VCE =10 V, IB =10 µA, IC =10 mA情況下，此電晶體之α值應為： (A)0.968 (B)0.976 (C)0.989 (D)0.999

在雙極性接面電晶體中為了獲得整體特性的最佳設計，其射極（E）、基極(B)、集極(C)的摻雜濃度情況應為： (A)E > B > C (B)C > B > E (C)B > E > C (D)B > C > E

一負回授放大器的系統方塊圖如下所示，如與無回授放大器比較，下列何者不為此種系統具有之特性？ (A)頻寬增加 (B)雜訊減少 (C)失真減少 (D)增益增加

如右圖所示電路，電晶體之β=100，在vs=0 時，IB約為： (A)10 mA (B)10μA (C)5μA (D)1μA

如右圖所示電路，其中Vref >0 下列敘述何者為非？ (A)當Vi > -Vref時，Vo為負飽和 (B)當Vi < -Vref時，Vo為正飽和 (C) 當Vi + Vref > 0 時，Vo為負飽和 (D)當Vi < Vref時，Vo為正飽和AVDDY+10V+10V5 kΩ5 kΩvoIBvs9.3 kΩ-10V+VccRViRVoVref-VEER

若右圖電路之輸入為一弦波，則輸出波型為： (A)弦波C (B)方波Vi (C)三角波Vo (D)定電壓

為使一差動放大器（Differential amplifier）的共模拒斥比CMRR 值變大，則應如何為之？ (A)減少基極電阻 (B)減少射極電阻 (C)加大射極電阻 (D)加大集極電阻

運算放大器的轉動率（slew rate）的單位為： (A)RPM (B)V/µs (C)km/s (D)rad/s

如右圖示之電路，若電晶體之β = 100，則此電晶體操作於：+10 V3 K (A)截止模式（cut-off mode） (B)作用模式（active mode）50 K (C)飽和模式（saturation mode） (D)反轉模式（inverted mode）+5 V

如右圖所示電路，若輸入電壓Vi為具正負值之弦波，則下列敘述何者為非？ (A)此電路為精密全波整流電路VoViDRvovsac linevoltage交流線電壓 (B)當輸入為正半週時（Vi>0），則D1導通，D2截止 (C)當輸入為負半週時（Vi<0），則D1截止，D2導通D2D1ViR1R2 (D)當輸入為負半週時（Vi<0），則輸出i12oVRRV−=Vo

若一個非理想運算放大器之差動電壓增益為100，則當右圖電路之Vi =1V時，輸出電壓（Vo）約等於： (A)9.9 V (B)1 V (C)0.99 V (D)0.9 V

右圖為一半波整流電路，設vs的頻率為60 Hz，請問整流後vo的漣波頻率為多少？ (A)30 Hz (B)60 Hz (C)120 Hz (D)240 Hz

下列何者不是理想運算（OP）放大器之特性？ (A)開路增益無窮大 (B)頻寬無窮大 (C)輸出阻抗無窮大 (D)輸入阻抗無窮大

要構成一個全波整流電路至少要使用幾個p-n 接面二極體？ (A)一個 (B)二個 (C)三個 (D)四個

二極體變容器（varactor）使用時，應加上何種偏壓？ (A)逆向偏壓 (B)順向偏壓 (C)順逆向偏壓均可 (D)無需偏壓

如右圖所示為一個MOSFET放大器的小信號等效電路模型，此電路的電壓增益（vo / vi）為何？ (A)-gm(ro + RD)RDrogmVgsVgsvo (B)-gm RD (C)-gm ro RDvi (D)-gm(ro // RD)

一般而言，增強型MOSFET 的通道為下列何種物理機制所形成？ (A)電場所產生的半導體型態 反轉 (B)電場所產生的崩潰 (C)電場所產生的漏電流 (D)電場所產生的發光