電子工程 99 年電子學大意考古題

如下圖中，將OR 閘的輸出回授到輸入，此電路將可得到那項功能？ (A)微分 (B)積分 (C)記憶 (D)放大

如圖之電路，電晶體Qn之臨限電壓Vtn＝0.5 V，電晶體Qp之臨限電壓Vtp＝-0.5 V，當輸入電壓Vi＝3 V時，輸出電壓Vo為：Vo+3 VQpQn (A)0 V (B)0.5 V (C)2.5 V (D)3 VVi

承上題圖中若加上AND 閘，如下圖所示，此時AND 閘的B 輸入端對整個電路的輸出有何功用？ (A)微分 (B)積分 (C)記憶消除 (D)放大

圖示NMOS電晶體電路，VDD＝5 V，閘極電壓vG＝VDD，電晶體參數Vt＝1 V，其中電容C為輸出端的雜散電容，下列敘述何者正確？ (A) 輸入電壓vI＝5 V，則輸出電壓vO＝5 V (B)輸入電壓vI＝5 V，則輸出電壓vO＝0 V (C)輸入電壓vI＝0 V，則輸出電壓vO＝0 V (D)輸入電壓vI＝0 V，則輸出電壓vO＝1 V

如圖所示之串級電路，已知β1＝β2＝50，則此放大器的輸入阻抗（Ω）為： (A)1 k (B)50 k (C)100 k (D)2500 k

一個RC 相移振盪器正進行穩定的振盪，若放大器的轉移函數是5∠140°，則RC 相移網路的轉移函數有可能是： (A)0.2∠220° (B)1∠0° (C)2π∠140° (D)5∠-140°

下列電路Q1及Q2操作於何種區域？（提示：ID＝Kn(VGS－Vtn)2） (A)Q1，Q2皆線性區 (B)Q1飽和區，Q2線性區 (C)Q1，Q2皆飽和區 (D)Q1線性區，Q2飽和區

圖示電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為12±V、R1＝10 kΩ、R2＝40 kΩ，今若輸出電壓vO為-12 V，下列輸入電壓vI何者可使輸出電壓由-12 V轉為+12 V？vG＝VDDvIC+-R2R1vO－＋vO (A)-4 V (B) -2 V (C)2 V (D)4 VvI

承接前一題電路，其VO值約為： (A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 VVCC=12 VVo+－RE=1 kΩ+Vi－Q1Q2VDD=5 V5 VVO+－Kn2=50 mA/V2Vtn2=2 VKn1=10 mA/V2Vtn1=2 VQ2Q1VG1ABZ輸入輸出

關於源極耦合（Source-Coupled）全差動式放大器（Fully Differential Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)差動放大器之共模輸入對差模輸出增益（Differential to Common-Mode Gain）與匹配度無關 (B)差動放大器對電源雜訊之干擾免疫力較差 (C)共源極端利用定電流偏壓可抑制電路之共模增益（Common-Mode Gain） (D)在相同元件尺寸、負載電阻，與電晶體電流偏壓條件下，其增益為單端共源極放大器之二倍

對n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）與p通道金氧半場效電晶體（P-MOSFET）之臨界電壓（threshold voltage）V 的敘述，下列何者正確？t (A)常閉（normally off）NMOS之V ＞0，而常通（normally on）PMOS之V ＜0tt (B)常通NMOS之V ＞0，而常通PMOS之V ＜0tt (C)常閉PMOS之V ＞0，而常通PMOS之V ＜0tt (D)常閉NMOS之V ＞0，而常通PMOS之V ＞0tt

如圖所示之接面場效電晶體（JFET）放大器，已知在工作點的轉移電導（Transconductance）gm為2 mS，電流IDSS為8 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP為-6 V，不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗rd的影響，則此放大器的電壓增益AV(＝Vo/Vi)約為多少？ (A)-6CS680 kΩ1 kΩViVo3 kΩ+20 V (B)-12 (C)-18 (D)-24

在矽晶接面二極體中，若增加p 型區和n 型區的摻雜濃度，下面那一項物理量會隨之上升？ (A)空乏區厚度 (B)內建電壓（Built-in potential） (C)導通時的微分電阻 (D)崩潰電壓

若圖中的N通道增強型MOSFET之Vt＝1 V，µ nCox（W/L）＝1 mA/V2，則RD及源極與汲極間的有效電阻（rDS）之值分別約為：VD=0.1 VRD+5 V (A)20.5 kΩ、312 Ω (B)12.4 kΩ、253 Ω (C)10.3 kΩ、153 Ω (D)5.8 kΩ、105 Ω

如圖電路，設運算放大器為理想的，則電壓增益A ＝V為：/ VvOI (A)-R2 / R1R2R1VIVO+－ (B)+R2 / R1 (C)-(R1+R ) / R21 (D)+(R1+R ) / R21

下圖電路中，電晶體小訊號模型之re＝26 mV/IE，ro＝50 kΩ，請判斷Zi及Zo約為何？ (A)Zi＝1.4 kΩ，Zo＝3.4 kΩ6.8 kΩ10 µF56 kΩVoIo22 V1.5 kΩ20 µF10 µFβ=908.2 kΩZoZiIi (B)Zi＝2.4 kΩ，Zo＝7.1 kΩ (C)Zi＝1.4 kΩ，Zo＝6.0 kΩ (D)Zi＝2.4 kΩ，Zo＝9.2 kΩVi

理想運算放大器具有虛擬短路（Virtual short circuit）性質，主要是由於下列何種特性所造成？ (A)具有零輸出阻抗 (B)具有無窮大的輸入阻抗 (C)具有無窮大的頻寬 (D)具有無窮大的開迴路電壓增益

如圖所示為七節式（Seven Segment）LED的電路圖。已知LED點亮時的電流為10 mA，電壓降約為1.7 V，VIK，k＝1, 2,⋯,7 在低位階（Low State）時約為0.3 V，則限流電阻R約為： (A)100 Ω (B)200 Ω5 V (C)300 ΩD1D7D3D2R (D)400 ΩRRRVI1VI2VI3VI7

在雙極性接面電晶體（BJT）直流偏壓電路下，就熱穩定特性而言，下列何者正確？ (A)溫度增加，IC值降低，VCE降低 (B)溫度增加，IC值增加，VCE降低 (C)溫度增加，IC值降低，VCE增加 (D)溫度增加，IC值增加，VCE增加

一個電流緩衝放大器，其輸入電阻Rin與輸出電阻Rout應具何種特性？ (A) Rin要小，Rout要小 (B)Rin要小，Rout要大 (C)Rin要大，Rout要小 (D)Rin要大，Rout要大

在雙極性接面電晶體（BJT）的小信號等效電路中，其傳輸電導（transconductance）gm與其大信號直流操作電流IC及大信號直流操作電壓VCE之關係為何？ (A)gm會隨I 的增加而增加 (B)gCm會隨I 的增加而減少C (C)gm會隨V的增加而增加 (D)gCEm會隨V的增加而減少CE

MP3 隨身聽中通常使用何種記憶體來儲存音樂檔？ (A)SRAM (B)Flash Memory (C)ROM (D)DRAM

相較於傳統的電流源結構如圖1 所示，今有一威德勒電流源（Widlar current source）如圖2 所示，其中兩顆BJT電晶體均工作在主動區（active region），集極電流（Ic）與基-射極間電壓（VBE）呈對數函數關係，即⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎝⎛=SCTBEIIVVn1，其中VT＝kT/e是熱電壓（thermal voltage），在室溫時VT約為25 mV，Is為飽和電流。下列對威德勒電流源特性與傳統電流源比較的描述何者正確？VDDIOIREFR1ROQ1Q2GND圖1GND圖2Q2Q1ROIOIREFR1VDDR2 (A) 威德勒電流源可以產生極大的電流源IO (B)威德勒電流源可以產生極小的電流源IO (C) 威德勒電流源可以產生極穩定的輸出電壓 (D)威德勒電流源可以產生極小的輸出電阻RO

如圖所示之數位電路由三個JK正反器（JK Flip-Flop）所組成，若三個正反器之輸入值皆為1 且目前輸出之狀態為Q2Q1Q0＝100。試問當時脈（clock）再度觸發三個JK正反器時，下一個輸出之狀態值Q2Q1Q0為何？clockQ2J2Q1J1K0Q0J01K1K2Q2Q1Q011111 (A)010 (B)011 (C)100 (D)101

為減少積體電路的功率損耗，下列那種電路最省能源？ (A)CMOS 電路 (B)NMOS 電路 (C)TTL 電路 (D)ECL 電路

圖中邏輯電路輸出信號（Y）之布林函數為何？ (A)BCCAY+= (B)CBACY+= (C)CBAY)(+= (D)CBAY)(+=

一個不穩態多諧振動器（astable multivibrator）的輸出波形，一般為： (A)方波 (B)三角波 (C)脈波 (D)正弦波

某振盪電路之迴路增益為L，依巴克豪森準則（Barkhausen Criterion），若當該電路可維持振盪於頻率ω0，則迴路增益L（jω0）應為： (A)1∠0° (B)1∠-90° (C)2π∠0° (D)∞∠0°

如圖所示為555 計時器IC 所組成之電路，則下列敘述何者錯誤？+VccVoR1R2C2C148376215555計時器+－－ +121)2(44.1CRR + (A) 為一個非穩態振盪器 (B)振盪頻率為%1002211×+ RRR (C) V 輸出為方波 (D)工作週期（Duty Cycle）為o

圖中振盪器電路，其輸出電壓VO的波形為何？CYCBCR2R1CR－＋＋－VOA (A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)脈衝波

如圖所示的振盪器電路，其功能為何？+－RV+V－CR1R2vo (A) 三角波振盪器 (B)方波振盪器 (C)鋸齒波振盪器 (D)弦波振盪器

如圖所示電路，其中R1 C1＜R2 C2，下列何者錯誤？－＋－＋VoR2C2C1R1R3R3R4R4Vi (A)其頻帶寬度BW 為22112121CRCRππ− (B)其輸出入電壓之轉移函數為s)RCs)(1RC(1sR2C(s)V(s)V221122io++= (C)此為帶通濾波器（Band Pass Filter）電路 (D)其頻率響應圖為Avf

在MOSFET 電路中，對於共汲（Common drain）放大器的米勒效應（Miller effect）的敘述何者正確？ (A) 共汲放大器的米勒效應大是因為其負載電阻大的關係 (B)共汲放大器的米勒效應小是因為輸出端與輸入端無寄生電容的關係 (C) 共汲放大器的米勒效應大是因為其電流增益大的關係 (D)共汲放大器的米勒效應小是因為其電壓增益小的關係

圖中QA的寬長比（Aspect Ratio，W/L）為3 n，QB的寬長比為2 n，QC的寬長比為n，當此三個電晶體都導通時，其等效寬長比為： (A)6 nBAVDDCQBQAQCY (B)2.2 n (C)1.2 n (D)5 n/6

由一個MOSFET 組成的共汲極（又稱源極隨偶器）電路，其小信號電壓增益為何？ (A)大約為 +1 (B)大約為 -1 (C)大約為零 (D)為無窮大

已知有一電路的轉移函數1100)(+= ssT，則當頻率為100 rad/sec 時，該電路產生之相角變化約為： (A) 0° (B)-45° (C)-90° (D)-180°

齊納二極體（Zener diode）具備下列何種應用功能？ (A)倍壓器 (B)方波產生器 (C)整流器 (D)諧振器

分析圖中之電路，若運算放大器為理想，則Ii值為何？ (A)1 mAIiVO2 V1 kΩ2 kΩ－＋3 V (B)1.5 mA (C)2 mA (D)3 mA

一差動放大器（Differential amplifier）之共模拒斥比CMRR＝80 dB、差模增益Ad＝1000，假設此差動放大器之差模輸入訊號Vd＝0.02 V、共模輸入訊號V ＝10 V；則此差動放大器之輸出電壓為：c (A)10 V (B)20 V (C)11 V (D)21 V

如圖所示電路為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的加權加法器（Weighted Summer），若R1＝1 kΩ，R2＝4 kΩ，R3＝1 kΩ，R4＝4 kΩ，V1＝2 V，V2＝3 V，則VO等於：－＋V2V1VOR4R3R1R2 (A)15 V (B)12 V (C)11 V (D)10 V

如圖所示電路，若其輸入電壓V 為方波，則其輸出電壓V 之波形為：iO (A)三角波C+－RViVOVit (B)脈波 (C)弦波 (D)方波

如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數α(＝Ic/Ie)為0.98，以及電晶體集極到基極的交流輸出阻抗ro為1 MΩ，則此放大器的輸出阻抗ZO約為多少？ (A)1.2 kΩ6 kΩViZOVO8 V+－－+1 kΩ2 V (B)6 kΩ (C)12 kΩ (D)1 MΩ

多級串接放大器之級數增加時，下列何者正確？ (A)頻寬越窄 (B)穩定性越佳 (C)輸入阻抗越高 (D)輸出阻抗越小

如圖所示電路，電晶體皆為矽質，其中電晶體Q1與Q2有相同特性，若VCC＝15 V，VEE＝-10 V，電阻R1＝5 kΩ，R2＝3 kΩ，R3＝R4＝3 kΩ，稽納二極體電壓VZ＝7 V，Vi1＝Vi2＝0 V，若輸出電壓差VO＝VO1－VO2，則VO約為何值？VCC (A)-4.2 V (B)4.2 V (C)-2.1 V (D)2.1 V

對共基極電路之描述，下列何者正確？ (A)功率增益最高 (B)輸出阻抗最高 (C)電流增益最高 (D)輸入阻抗最高

如圖所示為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load），其中I＝200 µA，並且電晶體都具有相同的參數，β＝100，ro＝100 kΩ。此電路差模電壓增益（Differential Mode Voltage Gain）Ad≣Vo/(V1－V2)約為：Vi1Q3R2R1R3VEEVZR4VCCV1IVoV2Q2Q1Q4Q3Q1VO2Q2VO1Vi2 (A)400 (B)200 (C)100 (D)50

對於雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區時，下列有關其接面偏壓狀況之敘述何者正確？ (A)集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓 (B)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓 (C)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面逆向偏壓 (D)集基極接面順向偏壓而且射基極接面逆向偏壓

某電壓放大器以圖示電路模型表示，其中Ri＝4 kΩ、Ro＝1 kΩ，若將二個相同的此種電壓放大器串接，問串接後電路的總電壓增益約為若干？ (A)4000 (B)5000 (C)8000vo100viviRoRi+－－+－+ (D)10000

在正常的npn 雙極性接面電晶體（BJT）結構中，那一層需要最薄？ (A)射極 (B)基極 (C)閘極 (D)汲極

如圖所示之空乏（Depletion）型金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器，已知工作點（Operating Point）閘源極電壓VGS為0.33 V，汲極電流ID為7.6 mA，IDSS為6 mA，夾止電壓（Pinch-off Voltage）VP為-3V，則此放大器的輸入阻抗Zi約為多少？ (A)330 kΩZiVo180 Ω1 MΩ1.8 kΩ10 MΩ+18 V (B)560 kΩ (C)720 kΩ (D)910 kΩVi

下述有關交換函數之敘述，何者錯誤？ (A)A．1＝A (B)A+1＝1 (C)A♁1＝1 (D)A♁0＝A

一N通道接面場效電晶體（JFET）的IDSS＝4 mA，VP＝-4 V，若ID＝1 mA，則其VGS約為： (A)2 V (B)1 V (C)-1 V (D)-2 V

如圖所示之頻率響應的放大器，則此放大器為何種濾波器？ (A)低通增益頻率 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒

與BJT 電路比較下列有關CMOS 電路的特性，何者敘述錯誤？ (A)交換速率較快 (B)製作容易，價格低廉 (C)消耗功率小 (D)雜訊免除佳

如圖所示的振盪電路，其輸出電壓VO的波形為： (A) 方波C+－+－RVOR2R1 (B)梯形波 (C)正弦波 (D)三角波

設VBE＝0.7 V，VC＝9 V，則圖中的電流IB約為： (A)0 µA18 V (B)2.3 µA－600 kΩICVBE+IB3.9 kΩ (C)13.8 µA (D)15.0 µAVC=9 V

一放大器的電流增益＝20 dB，電壓增益＝20 dB，其功率增益＝？ (A)0 dB (B)20 dB (C)40 dB (D)400 dB

若圖中電晶體Q1及Q2之特性相同且V BE＝0.7 V，則IO之電流大小約為： (A)5.45 mAQ1Q2IREF+5 V2 kΩ (B)4.35 mA (C)2.15 mA (D)1.25 mAIo

下圖是一個雙極性接面電晶體（BJT）放大器電路，假設C1、C2、CE三個電容值趨近於無窮大，則電容C 在此電路內扮演的角色為何？1CC1C2CEBE10 V-10 VI=2 mA4 kΩ10 kΩβ = 50vivo (A)隔離信號vi與B極之間交流振幅的差異 (B)隔離信號vi與B極之間直流準位的差異 (C)隔離信號vi與B極之間有效（均方根）電壓的差異 (D)耦合信號vi的有效（均方根）電流進入B極

如圖所示電路，已知其中齊納（Zener）二極體的VZ＝5 V，則該齊納二極體的消耗功率約為： (A)6 mW10 kΩ10 kΩ12 VR (B)4 mW (C)2 mW (D)1 mW

有一增強型n 通道的MOSFET 元件，指定其電壓參考極性與電流參考方向如下圖所示：今欲測量其電流-電壓特性曲線（I-V curve），則最正確的曲線圖為：GDBS+iDvDSvGS+－－ (A) (B) (C) (D)vDSiDiDiDvDSiDvDSvDS

下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓？ (A)光二極體（Photo Diode） (B)齊納二極體（Zener Diode） (C)變容二極體（Varactor） (D)蕭基二極體（Schottky Diode）

下圖是下列那個元件的特性曲線？平方υV0i (υ-V0)2i∝ (A) (B) (C) (D)i+－υi+－υi+－υ+－υi

PIN 感光二極體工作時，基本上是操作於那一偏壓下？ (A)順向偏壓 (B)逆向偏壓 (C)零電壓下（短路） (D)不加電壓（開路）

下圖所示之電路中，若齊納二極體（Zener diode）之齊納電壓（Zener voltage）為10 V，則流經Rload之輸出電流為何？1 kΩ45 V500 ΩRload (A)30 mA (B)20 mA (C)10 mA (D)0 mA

如圖所示，利用電晶體及電阻組成之數位正邏輯電路，其中輸入為A、B，輸出為Y，問此為何種邏輯閘？VCC (A) NAND 閘RQ2Q1RA (B)AND 閘R (C)NOR 閘 (D)OR 閘YB

圖1 為差動放大電路，若R ＝R12＝20 kΩ、R3＝5 kΩ、Q 及Q12具有相同的電性參數，且其低頻小信號等效電路如圖2 所示，則小信號電壓增益v / v 約為：oi (A)22+－－+圖1圖2+VCCR1R2R3VoViQ1Q2-VCCRin0.5 mABCib100 ib100 ΩE (B)37 (C)45 (D)75

圖為濾波器電路，其轉換函數（Transfer Function）為Vout/Vin。以下何者錯誤？ (A)轉換函數絕對值之大小不隨頻率變化C/99RCR (B)轉換函數相位隨頻率變化 (C)本電路輸出無波形失真VinVout (D)全通濾波器（All Pass Filter）

承上題，圖1 中之等效小信號輸入阻抗Rin為： (A)15 kΩ (B)20.2 kΩ (C)35 kΩ (D)42.7 kΩ

如圖所示電路，其電壓增益iOVVVA=之頻率響應圖是：RCR－+VO+－ViAv (A) (B)AvffAvAv (C) (D)ff

如圖的運算放大器電路中，通常R 的值為：3 (A)R3＝R+－R2R1VIVOR31 (B)R3＝R2 (C)R3＝R ＋R12 (D)R3＝R1∥R2

如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為VI＝-4 V，試求其輸出電壓VO約為多少？ (A)-20 V1 kΩ4 kΩVO－＋-15 V+15 V (B)-15 VVI (C)+15V (D)+20 V

迴轉率（Slew Rate）為10 V/μs 的運算放大器，所能產生振幅峰對峰值20 V 三角波的最大頻率為： (A)500 kHz (B)250 kHz (C)150 kHz (D)125 kHz

下列有關雙極接面電晶體三種組態放大器的敘述，何者錯誤？ (A)共基極之輸入阻抗最高 (B)共射極為反相放大器 (C)共集極之電壓增益小於1 (D)共射極的功率增益最高

在雙極性接面電晶體（BJT）的特性曲線中，當IB電流固定時，IC電流隨著VCEB電壓增加而增加的現象稱為： (A)穿透效應（Punch-through Effect） (B)厄力效應（Early Effect） (C)體效應（Body Effect） (D)崩潰效應（Breakdown Effect）

有關下列增強型MOSFET之特性敘述，何者錯誤？（Vt為臨限電壓(Threshold Voltage)） (A)於N通道，VGS＞Vt可感應通道 (B)於P通道，Vt為一正值電壓 (C)於VGS＝0，無感應通道 (D)於N通道，VGS電壓愈大（愈正），感應通道愈大

有一個由兩級相同的帶通放大器串接而成的放大電路，單一級的高頻截止頻率為10 kHz，低頻截止頻率為160 Hz，則此串接電路的總頻寬約為： (A)6.15 kHz (B)10.15 kHz (C)12.15 kHz (D)15.15 kHz

對於雙極性電晶體的工作模式，何者敘述正確？ (A)飽和模式：射極接面導通，集極接面截止 (B)主動模式：射極接面導通，集極接面截止 (C)飽和模式：射極接面截止，集極接面導通 (D)主動模式：射極接面截止，集極接面截止

下列那一種放大器具有很低之輸入阻抗？ (A)共集極（common collector）放大器 (B)共源極（common source）放大器 (C)共汲極（common drain）放大器 (D)共閘極（common gate）放大器

一般矽質PN 接面二極體兩端的順向電壓，在某一特定電流值時，隨溫度變化的情形是： (A)-2 mV/℃ (B)-20 mV/℃ (C)+2 mV/℃ (D)+20 mV/℃