電子工程 111 年電子學大意考古題

如圖之JFET 電路，若IDSS = 3 mA，VP = -3 V，則VDS 約為何？ (A)1.5 V (B)3.5 V (C)5.5 V (D)7.5 V

某增強型NMOS 場效電晶體的Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 50 μA/V2，今若其電壓VGS = 2 V，則其轉導gm（Transconductance）為若干μA/V? (A)25 (B)50 (C)100 (D)200

爾利效應（Early Effect）對雙極性接面電晶體（BJT）的何種特性有顯著影響？ (A)輸出阻抗 (B)輸入阻抗 (C)溫度係數 (D)射基極接面導通電壓

在20℃時，二極體的切入電壓為0.6 V，逆向飽和電流為Is，當溫度上升至40℃時，下列何者較為可能？ (A)切入電壓值下降，逆向飽和電流約為4Is (B)切入電壓值下降，逆向飽和電流約為Is/4 (C)切入電壓值上升，逆向飽和電流約為4Is (D)切入電壓值上升，逆向飽和電流約為Is/4

有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益βQ1 = βQ2 = 100。試研判輸出接腳VO 在低準位輸出（VO@LO）時最可能的工作電壓： (A)VO @ LO < 0 V (B)VO @ LO = 0 V (C)0.4 V > VO @ LO > 0 V (D)VO @ LO > 0.4 V

某增強型NMOS 場效電晶體的1VtV 、2(/)25 μA/VnoxCWL，今若其源極（Source）電壓0.5 V，汲極（Drain）電壓1.5 V，閘極（Gate）電壓1.0 V，則此電晶體工作在： (A)飽和區（Saturation Region） (B)截止區（Cutoff Region） (C)三極體區（Triode Region） (D)主動區（Active Region）

變容二極體大多應用於下列何者？ (A)變頻共振電路 (B)數位邏輯電路 (C)開關 (D)光感測

對於一個PN 接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？ (A)外部電壓之正端接於P 側，負端接於N 側 (B)P 側的電子將會流向N 側，N 側的電洞則流向P 側 (C)當逆偏壓加大時，因空乏區（depletion region）擴大而導致電容也變大 (D)接面空乏區內電場的方向為由P 側指向N 側

有一電壓訊號

某雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（active region）的β= 120，當此電晶體工作在飽和區（saturationregion）時，下列何者不可能是其IC/IB 值？ (A)125 (B)115 (C)110 (D)10

如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求vid/i： (A)R (B)2R (C)(k+1)R (D)(k+3)RVI1VI2-++-kRRiRRvovid

11( )sin(2000)sin(6000)sin(10000)3

NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，α 值0.96 變為0.98，射極電流和基極電流比值的變化為何？ (A)20 變為40 (B)25 變為50 (C)30 變為60 (D)35 變為70

如圖所示為一NMOS 構成的放大器。VDD = 3 V，電晶體之小信號μnCox = 200 μA/V2，W/L = 10，Vt = 0.5 V。電流源非完全理想，有一值為20 kΩ 的內阻。求小信號增益vo/vi： (A)-20 (B)-40 (C)-100 (D)-1000

v tttt，此訊號的週期T 為何？ (A)T < 0.9 ms (B)0.9 ms < T < 1.5 ms (C)1.5 ms < T < 17 ms (D)T > 17 ms4二極體的電流可以指數模型exp(/)DSDTIIVV來表示，其中SI 為飽和電流，在室溫之下0.025 VTV 。若電壓0.7 VDV 時電流1mADI，試求二極體的小信號增量電阻（incremental resistance）。 (A)25 Ω (B)50 Ω (C)250 Ω (D)700 Ω5對於n-通道增強型單一MOSFET，下列敘述何者錯誤？ (A)汲極為n 型半導體 (B)源極為n 型半導體 (C)本體（body）為n 型半導體 (D)通道傳導的載子為電子

工作在飽和區的空乏型N 通道MOSFET，IDSS = 4 mA，VTH = -3 V，若ID =16 mA，VGS 為何？ (A)3 V (B)6 V (C)9 V (D)12 V

雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？ (A)最低 (B)最高 (C)次高 (D)一樣

如圖為雙極性差動式放大器含射極電阻ER ，已知電晶體1Q 和2Q 的基極內電阻r、射極內電阻er 、轉導mg ，共基極電流增益和共射極電流增益(1)等參數均相同，試求差動增益/dodidAvv之值？ (A)/ (22)CeERrR (B)/ ()CeERrR (C)/ (22)CERrR (D)/ ()CERrR

有關運算放大器的應用，下列何者使用正回授？ (A)反相放大器 (B)非反相放大器 (C)射極隨耦器 (D)史密特觸發電路

下列何種矽電晶體具有常閉型通道？ (A)PN 接面型場效電晶體 (B)MOS 增強型場效電晶體 (C)MOS 空乏型場效電晶體 (D)雙極性接面電晶體

在金氧半場效電晶體（MOSFET）中，已知轉導mg 、爾利電壓（Early voltage）AV 、汲極電流DI 和輸出阻抗or 等的參數，下列關係何者正確？ (A)AD oVI r (B)Dm oIg r (C)/mDAgIV (D)1/omrgRCRCVCC-VCCREREQ1Q2vc1vc2vodvidI

一電路如圖所示，R1 與C1 並聯，R2 與C2 並聯。Vi 為直流時，V0/Vi 為何？ (A)-R2/R1 (B)1+ R2/R1 (C)-C1/C2 (D)1+ C1/C2

有一半波整流器的輸入電壓峰值為10 V，則其輸出電壓的峰值大約為： (A)10.7 V (B)9.3 V (C)5 V (D)3.2 V

厚度為1 密爾（mil）之矽晶片，若均勻摻以濃度為16310cm的磷原子，及濃度為1532 10cm的硼原子，則其片電阻（sheet resistance）約為何？（設電子移動率為1300 cm2/Vs，1 密爾25.4 μm） (A)1040 Ω/□ (B)640 Ω/□ (C)240 Ω/□ (D)40 Ω/□

承上題，當Vi 電壓為極高頻時，試求V0/Vi 值趨近於下列何者？ (A)-R2/R1 (B)1+ R2/R1 (C)-C1/C2 (D)1+ C1/C2

有一增益為A = 10000，單極頻率（single pole frequency）為105 rad/s 之放大器，將其置入回饋因素（feedback factor）f = 0.01 的回饋迴路，設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益（open loop gain），則此放大器之開迴路單一增益頻率（unit gain frequency）為： (A)109 rad/s (B)105 rad/s (C)103 rad/s (D)102 rad/s

在二極體的反向偏壓電流（reverse bias current）中，流入空乏區（depletion region）之載子主要來自下列那一種組合？ (A)n 型區的電子與p 型區的電洞 (B)n 型區的電洞與p 型區的電子 (C)p 型區的電子與n 型區的電子 (D)p 型區的電洞與n 型區的電洞

如圖之電路，已知每個二極體的切入電壓為0.7 V，當ID1=ID2 時，則電阻R 為何？ (A)0.6 kΩ (B)1.2 kΩ (C)2.4 kΩ (D)4.8 kΩ

如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若Ri = 20 kΩ，Rf= 200 kΩ，R1 = 1.5 kΩ，C1 = 0.02 μF，則此電路的截止頻率fCH 為多少？ (A)5.3 GHz (B)5.3 MHz (C)5.3 kHz (D)5.3 Hz

有一共源極放大器（common source amplifier），其增益為20A ，且50 fFgsC，10 fFgdC，則其輸入電容（input capacitance）應為多少fF？ (A)1030 (B)520 (C)260 (D)110

假設二極體導通電壓為0.7 V，圖中電路輸出波形正、負峰值電壓分別為何？ (A)4.0 V、-5.8 V (B)5.1 V、-3.3 V (C)5.8 V、-4.0 V (D)3.3 V、-5.1 V

有一N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓VP = - 4 V，且源極電壓VS = 0 V，則下列那一個條件可使此JFET 工作於飽和區？ (A)VG = - 5 V, VD = 1 V (B)VG = - 2 V, VD = 1 V (C)VG = 0 V, VD = 0 V (D)VG = 0 V, VD = 5 V

如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓00.7 VDV，已知電阻1kLR 。對於電路輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者正確？ (A) (B) (C) (D)

圖為一典型的負載電壓調節器，流過稽納二極體的電流為何？ (A)50 mA (B)30 mA (C)80 mA (D)0 mA

關於BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？ (A)電晶體操作在飽和（saturation）區時之轉導值（transconductance）較操作於順向主動區（forwardactive region）時為大 (B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗ro 較操作於順向主動區時為大 (C)操作於放大器模式時，基集極接面應避免順向偏壓 (D)電晶體操作在截止（cutoff）區時，基射極接面必為順向偏壓VDDI = 1 mAvoviC = ∞C = ∞1 MΩ

一增益為100 的閉迴路放大器，在25℃調整成零電壓輸入下具有零輸出電壓，當此放大器的輸入偏移電壓漂移為6 μV/℃，求在30℃時零電壓輸入下的輸出電壓值約為何？ (A)1 mV (B)3 mV (C)13 mV (D)30 mV

漣波因數越小，濾波器的濾波效果將為何？ (A)不變 (B)越佳 (C)越差 (D)不一定

橋式全波整流電路的輸入信號：vi(t) = 18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？ (A)60 Hz (B)120 Hz (C)377 Hz (D)754 Hz

圖示為一個理想箝位電路（D 為理想二極體），當其輸入正弦信號( )sin()imv tVt伏特時，假設RC時間常數遠大於1/ ，測得穩態輸出信號( )ov t 的直流準位為4 伏特、振幅為10 伏特，則偏壓電源RV應為多少伏特？ (A)-6 (B)-4 (C)6 (D)16

構成整流濾波四倍電壓倍增器，最少需要幾個電容及二極體？ (A)3 個電容、4 個二極體 (B)4 個電容、3 個二極體 (C)3 個電容、3 個二極體 (D)4 個電容、4 個二極體

下圖電路中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω。電阻值R = 10 Ω。若vi (t) = 3 sin 10t伏特。則vo (t)的最小值為何？ (A)4 V (B)2 V (C)-2 V (D)-2.7 V

一般常用的倍壓電路之直流輸出係取自於何種元件間之端電壓？ (A)電容器 (B)電感器 (C)電阻器 (D)二極體

若輸入電壓訊號為Vin = 12 sin(ωt)V，二極體導通電壓為0.7 V。下列輸出Vo 波形圖，何者正確？ (A) (B) (C) (D)+－VoVin

下圖中二極體D1 與D2 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波，vi (t) = 4 sin 10t 伏特，R1，R2，R3 皆為 10 Ω，則電流| i | 之最大值為何？ (A)530 mA (B)265 mA (C)65 mA (D)20 mA

( )10sin()iv tt伏特的正弦信號輸入圖示的理想截波電路（1D 與2D 為理想二極體），則偏壓電源1V與2V 為下列那一種組合時，輸出信號ov 的峰對峰電壓值將為6 伏特？ (A)11V 伏特，27V 伏特 (B)13V 伏特，29V 伏特 (C)12V 伏特，28V 伏特 (D)14V 伏特，22V 伏特vID1vAU1vORLvOvOvOvOvIvIvIvIVD0-VD0C DRVRvi(t)vo(t)Rvo(t)vi(t)D1D2V1V2

圖為箝位器及其輸出波形，二極體導通時電壓為0.7 V。請問要得到這樣的輸出波形，電路中的Vdc要給多少？ (A)0.7 V (B)4.3 V (C)6.3 V (D)9.3 V

如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7 V，則二極體D2 之逆向峰值電壓（PIV）為何？ (A)20 V (B)39.3 V (C)41.4V (D)60.7 V

建構完成半波整流電路3 個、中間抽頭變壓器型全波整流電路2 個、橋式整流電路1 個，這6 個電路總共需要二極體的數目最少為何？ (A)6 (B)7 (C)9 (D)11

理想的箝位電路不會改變下列何種數值？ (A)輸入電壓的上峰值 (B)輸入電壓的下峰值 (C)輸入直流位準 (D)輸入電壓的峰對峰值

若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω，若Vi ＝+ 5 V，關於下列電路之敘述，何者正確？ (A)X 點電壓＝5 V (B)D2 電流為2.15 mA (C)Z 點電壓為4.3 V (D)Y 點電壓為0 Vvovii

典型半波整流-電容濾波電路（理想二極體）輸入( )18sin(37700 )iv tt伏特，當電路中電容值10 μFC 與負載5 kLR 時，求該電路輸出之漣波電壓峰對峰值()r ppV約為多少伏特？ (A)0.03 (B)0.06 (C)0.18 (D)0.3

下圖之電路中，若Vi = 5.7 V，欲使電晶體操作於飽和區，且VBE = 0.7 V、VCE(sat) = 0.2 V，下列敘述何者正確？ (A)I C (sat) = 14 mA (B)β ≥ 59.2 (C)IB = 0.35 mA (D)α = 0.8

如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m 表斜率） (A) (B) (C) (D)

圖示理想變壓器中有關初級電壓（V1）、初級電流（I1）及輸入等效電阻（R1），次級電壓（V2）、次級電流（I2）及負載電阻（R2）間之關聯性，下列敘述何者正確？ (A)V1 = 2V2 (B)I1 = 2I2 (C)R1 = 2R2 (D)I1V1 = 2I2V2

有關圖中的偏壓電路之特性，下列敘述何者錯誤？ (A)電阻RB 具有負回授作用 (B)電晶體不會進入飽和區 (C)VBC 永遠是逆向偏壓 (D)溫度上升時VCE 上升－+Vi

如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？ (A)1 V (B)4 V (C)7 V (D)10 V

圖中二極體D1 之導通電壓為0.7 伏特，導通電阻為0 Ω，10R ，若輸入電壓( )3sin10iv tt伏特，則( )ov t 的最大值為多少伏特？ (A)3 (B)1.7 (C)1 (D)0.3

有關空乏型MOSFET 之操作特性，下列敘述何者錯誤？ (A)空乏型MOSFET 所加的VGS 可為正值或負值 (B)對於n 通道的空乏型FET，若增加正值VGS 會使ID 變小 (C)空乏型MOSFET 所加的VGS = 0，ID 可以不為零 (D)欲使n 通道的空乏型MOSFET 的ID = 0，則所加的VGS 需為負值

如圖電路，設二極體均為理想二極體，R = 10 kΩ，R1 = R2 = 5 kΩ，V1= V2= 5 V。當vI= 8 V 時，vO為多大？ (A)0 (B)3 V (C)6 V (D)8 V====

下圖電路中二極體D1 之導通電壓為0.7 V、導通電阻為40 Ω。電容C 兩端之初始跨壓為0 V，則電阻R 流過的最大電流值為何？ (A)0 mA (B)46 mA (C)60 mA (D)74 mA

雙極性接面電晶體（BJT）之β = 200，熱電壓VT= 25 mV。若此電晶體工作於集極電流IC = 0.25 mA，則其小訊號模型參數re 約為何？ (A)100 Ω (B)50 Ω (C)40 Ω (D)20 Ω

圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m 表斜率） (A) (B) (C) (D)

圖中二極體D1 之導通電壓為0 伏特、導通電阻為0 Ω，電容C 兩端之初始電壓為0 伏特，( )10sin10invtt伏特，下列何者錯誤？ (A)outv之穩態輸出含弦波 (B)vout 最低電壓為20伏特 (C)outv最高電壓為0 伏特 (D)Cv 之穩態電壓為20伏特V1V2R1R2I1I22：1RD11 Vvi(t)vo(t)+--+CD1vovivit3 V-3 VR10 ΩD1C+-vinvout+-vC

有關雙極性接面電晶體（BJT）共基極放大器電路之敘述，下列何者錯誤？ (A)輸入阻抗大於輸出阻抗 (B)輸入與輸出電壓同相 (C)電流增益< 1 (D)輸出電流為集極電流IC

電路上某npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8 V，下列何者正確？ (A)VCE = 0.2 V (B)VCE = 8 V (C)VCB = 0.7 V (D)VCB = 2.1 V

圖中輸入信號為弦波( )5sin10iv tt伏特，二極體D1 之導通電壓為0.7 伏特，導通電阻為0 Ω。OP 為理想之運算放大器，電容C 之初始電壓為0 伏特。電路穩定時，下列敘述何者正確？ (A)5sin10ovt伏特 (B)輸出為直流電壓，電壓5 伏特 (C)輸出為直流電壓，電壓4.3 伏特 (D)輸出為直流電壓，電壓5伏特

共射極（CE）放大器組態的頻率響應不佳，其原因為下列何者？ (A)雪崩效應（Avalanche effect） (B)爾利效應（Early effect） (C)米勒效應（Miller effect） (D)溫度效應（Temperature effect）

某β = 100 之npn 雙極性接面電晶體，若IB = 10 μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（SaturationRegion）？ (A)IC = 1 mA、IE = 1.01 mA (B)IC = 0.5 mA、IE = 0.51 mA (C)IC = 1.01 mA、IE = 1 mA (D)IC = 0.8 mA、IE = 0.79 mAVCC = 8 VRCVCBVCEVBE

如圖所示為一放大器小訊號模型，其輸出電壓ov 為何？ (A)()(/ /)mioLg vrR (B)()()m ioLg vrR (C)()(/ /)m ioLg vrR (D)()()m ioLg vrR

在單一極點放大器的高頻響應中，當工作頻率大於3dB 頻率時，工作頻率每增加10 倍，輸出電壓信號會衰減為原先的幾倍？ (A)1/2 (B)1/6 (C)1/10 (D)1/16

假設電晶體操作於飽和區，如圖所示共閘極放大器之增益（vo/vi）為何？電晶體之μnCox = 500 μA/V2，W/L = 100，VTH = 0.6 V，VGS = 0.8 V。 (A)20 (B)30 (C)40 (D)50

若一個兩級的BJT 放大器需要有高輸入阻抗及低輸出阻抗，其先後組合下列何者為佳？ (A)共基極放大器＋共射極放大器 (B)共射極放大器＋共集極放大器 (C)共射極放大器＋共基極放大器 (D)共基極放大器＋共集極放大器

直接耦合放大器可以視為下列何者？ (A)低通放大器 (B)帶通放大器 (C)高通放大器 (D)帶斥放大器

於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？ (A)面積較小 (B)可同時當成電流源偏壓 (C)負載上的壓降較小 (D)頻寬增加

如圖所示之共源極放大器之增益為何？（假設電晶體之轉導為mg ，輸出電阻為or ，電流源之輸出電阻為oR 。） (A)()moogRr (B)m og r (C)mog R (D)(/ / )moogRr

有一功率放大器輸出阻抗為200 Ω，今欲連接一8 Ω 喇叭；為獲得最大功率轉移，連接放大器和喇叭之間的輸出變壓器的圈數比N 應為何？ (A)25 (B)20 (C)10 (D)5

下列何種放大器組態有較顯著的米勒效應？ (A)共閘極放大器 (B)共集極放大器 (C)共基極放大器 (D)共源極放大器

如圖所示之PNP 雙極性電晶體（BJT），下列何者為其輸出特性曲線圖？ (A) (B) (C) (D)IC (mA)VCE (V)D1COPvovivivo-+RLro+-vgsgmvgsvoviVDDBECIEICIBIC (mA)IC (mA)IC (mA)VCE (V)VCE (V)0000VCE (V)

圖示電路中，L1= 20 μH、L2= 80 μH、C3= 16 pF，則使電路維持振盪之放大電路臨界電壓增益值Av 為何？ (A)0.25 (B)-0.25 (C)-4 (D)-8VoViVf

雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時： (A)基射極接面、基集極接面都順偏 (B)基射極接面順偏、基集極接面逆偏 (C)基射極接面逆偏、基集極接面順偏 (D)基射極接面、基集極接面都逆偏

如圖所示之FET 之自給偏壓式電路，若汲極靜態電流為0.2 mA，則閘源極偏壓GSV為多少？ (A)-5 V (B)5 V (C)-6 V (D)6 V

如圖IC 單穩態多諧振盪器，當觸發信號由Vi 注入時，開始產生脈波於IC 的Vo 上呈現，決定脈波寬度的主要元件為何？ (A)R1//R2 和C2 (B)R3 和C1 (C)R1//R2 和C1 (D)R3 和C2

矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為： (A)0.2 V (B)0.3 V (C)0.7 V (D)1 V

圖示的電晶體放大電路，求輸出ov 不失真之最大振幅約為多少？ (A)1 V (B)2 V (C)2.8 V (D)3.8 V

當555 計時器搭配外部的電容器和電阻器構成單穩態多諧振盪電路時，下列敘述何者正確？ (A)外部電阻器的電阻值越大，其輸出的脈波寬度就會越小 (B)外部電容器的電容值越小，其輸出的脈波寬度就會越大 (C)無需外部觸發訊號 (D)在實務操作上，改變555 計時器IC 上一個稱為控制電壓（Control voltage）接腳的電壓值，也能調整其輸出脈波的寬度

關於雙載子電晶體（BJT）的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ (A)在特定β 的條件下，rπ與偏壓電流成正比 (B)在特定β 的條件下，gm 與偏壓電流成正比 (C)在特定元件大小的條件下，ro 與偏壓電流成反比 (D)對共射級放大器而言，rπ 越大則輸入阻抗越大Bvπrπ+－Egm vπCro

圖示電晶體放大器之固定偏壓電路中，2 VECQV。若要將ECQV改成6 V，電晶體之值應改為多少？（電晶體其他特性參數不變。） (A)150 (B)100 (C)40 (D)25150 kΩRDRSIDFETVDD = +15 V100 kΩ5 kΩ40 kΩ2 kΩ8 VvoviC1C2β = 75IB = 40 μA-10 VR1R2β = 50

關於電壓比較器之敘述，下列何者錯誤？ (A)未使用回授網路的運算放大器可以作為電壓比較器使用 (B)使用正、負雙電源之運算放大器作為電壓比較器使用時，會因為反相輸入端和非反相輸入端的電壓大小比較結果使其輸出端呈現接近正、或負電源電壓之飽和結果 (C)作為電壓比較器使用之運算放大器為一個線性電路 (D)作為電壓比較器使用之運算放大器，其輸出端電壓的狀態從開始轉變到呈現飽和，於兩個輸入端之間只需要微小的電壓差距，例如只有0.1 mV

圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（vo）正半週的最大擺幅恰為5 V 時，電阻R 約為多少？電晶體基-射極的導通定電壓固定為0.8 V。 (A)64 kΩ (B)100 kΩ (C)128 kΩ (D)210 kΩ

圖示之空乏型金氧半場效電晶體（MOSFET）的特性參數包括：夾止電壓4 VPV 、於0 VGSV的夾止飽和電流16 mADSSI，該MOSFET 的輸出直流偏壓DSQV等於多少？ (A)2 V (B)3 V (C)4 V (D)5 V

已知圖中電晶體Q1 之β1=150，rπ1=2.2 kΩ，Q2 之β2 =220，rπ2 =1.4 kΩ。如需考慮耦合電容器CC 對電壓增益的影響，且欲控制其3dB 頻率在100 Hz 以下，則CC 的大小可以是下列何者？ (A)22 nF (B)220 nF (C)2.2 μF (D)22 μF

如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一3.5 kΩ 的負載，電晶體基-射極的導通定電壓為0.8 V 下，求該電晶體於集極端的電壓約為多少？ (A)9 V (B)7 V (C)5 V (D)4 V

分析如圖之電路，若雙極性接面電晶體（BJT）操作在順向主動區（forward active region）且轉導值mg 為10 mA/V ，電晶體之10，10 kSR ，10 kER 。忽略元件之輸出阻抗or ，求/oivv ？ (A)10/11 (B)20/11 (C)10 (D)100

圖示電路，V+ = +10 V、V- = -10 V、RE= 2 kΩ，若電晶體VEB= 0.7 V，VEC(sat)= 0.2 V，且工作在飽和區（Saturation Region），則下列何者為可能的電阻RC？ (A)2.5 kΩ (B)1.9 kΩ (C)1.3 kΩ (D)0.9 kΩ

圖示PMOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt ＝-0.5 V，若RG1 ＝3 MΩ、RG2 ＝2 MΩ、VDD ＝5 V，欲電晶體在飽和區工作，電壓VD 的最大值應為若干伏特？ (A)4 V (B)3.5 V (C)2.5 V (D)2 V

如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（saturation region），下列何種調整方式可使電晶體進入主動區（active region）？ (A)提高bV (B)提高CCV (C)提高R (D)選用逆向飽和電流（Is）較大之BJT 電晶體

下列放大器何者有「源極隨耦器」之稱？ (A)CS 放大器 (B)CD 放大器 (C)CG 放大器 (D)CB 放大器

如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知Vf 的電壓值為8 伏特，此電路中流過電阻器R 的電流絕對值取其最大與最小值分別以I1 和I2（單位mA）表示之，則下列那一敘述為正確？其中施加於理想OPA 之電壓為±16 V。 (A)I1 = 8 mA (B)I2 = 4 mA (C)I1+I2 = 8 mA (D)I1-I2 = 2 mA

某電路之轉移函數：100( )100T ss，當角頻率為100 rad/sec 時，( )T s 之相角為： (A)90 (B)45 (C)45° (D)90°6 V-6 V2 kΩ3 MΩ3 MΩVDSQVCCRSREvivoQ1VCCvoviVbR

有關雙極性接面電晶體（BJT）各電極區域：射極（E）、基極(B)、集極(C)在摻雜濃度與厚度之敘述，下列何者正確？ (A)摻雜濃度：E>B>C；厚度最薄為B (B)摻雜濃度：B>E>C；厚度最薄為C (C)摻雜濃度：C>E>B；厚度最薄為E (D)摻雜濃度：B>E>C；厚度最薄為B

有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？ (A)比較器 (B)史密特觸發電路（Schmitt trigger） (C)無穩態電路（Astable） (D)電壓隨耦器

圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為12 V，110 kR 、240 kR ，輸出電壓Ov 原為12 V，輸入電壓Iv 為下列何者電位時，可以使輸出Ov 為12 V？ (A)-4 V (B)-2 V (C)2 V (D)4 V

如圖所示理想運算放大器電路，輸出電壓VO 為何？ (A)-2.5 V (B)-4 V (C)-7 V (D)-15 V

某電路之轉移函數：( )1010sT ss，當角頻率為10 rad/sec 時，相角為何？ (A)-90° (B)-45° (C)45° (D)90°

如圖所示為一電容耦合之雙極性電晶體放大器。電晶體的100，0.7 VBEactiveV，25 mVTV 。忽略爾利效應，求/oivv 之值約為何？ (A)-20 (B)-28 (C)-40 (D)-100

如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin有效值為120/√2 V，求輸出電壓的峰值為何？ (A)15 V (B)14.3 V (C)10.6 V (D)29.3 V

圖示MOS 電路，vi 為輸入電壓，vo 為輸出電壓，本電路主要作用為何？ (A)調諧放大 (B)高通放大 (C)差動放大 (D)峰值偵測

如圖為考畢子振盪器（Colpitts Oscillator），已知10.01nFC 和20.66 nFC 和100 mHL ，求振盪頻率of 約為多少？ (A)19.5 kHz (B)122 kHz (C)160 kHz (D)1 MHz

下圖為何種濾波器電路？ (A)主動高通濾波器 (B)主動低通濾波器 (C)被動高通濾波器 (D)被動低通濾波器

圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±12 V，R1 = 10 kΩ、R2 = 40 kΩ，輸出電壓vO 原為-12 V，輸入電壓vI 為下列何電位時，輸出vO 將為+12 V？ (A)-3 V (B)-2 V (C)2 V (D)3 VOPAR2vO+－R1+－vIIREF

如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體1Q 和2Q 的電流增益分別為150和2100，若1Q 和2Q 的BEV都是0.7 V 且輸出阻抗or 不計，求電晶體1Q 的射極電壓1EV 約為多少？ (A)0.8 V (B)1.8 V (C)2.8 V (D)3.8 VvIvOR1R2vovi+5 V2.5 kΩ430 kΩ1 kΩQC = ∞C = ∞RLC1C2∞∞50 μA5 mA1 MΩ1 MΩvivoQ1Q2IE1VE1+9 V

電路及輸入端的電壓波形如圖所示，若二極體的切入電壓為0.7 V，則輸出電壓Vout 波形在低於幾伏特會被截除？ (A)-12.7 V (B)-30 V (C)11.3 V (D)12.7 V

有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述，下列何者正確？ (A)v1 為弦波 (B)v2 為方波 (C)v3 近似為三角波 (D)v3 的振幅較v1 為小

如圖為變壓器交連金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器，若電晶體Q 的有效值汲極電流()1AD rmsI，10LR ，圈數比5n ；求LR 上之輸出功率為多少瓦特？ (A)500 (B)250 (C)100 (D)50

MOSFET 電路如下圖所示，若Vtn= 0.5 V，μnCox（W/L）= 2 mA/V2，則關於此MOSFET 電路之敘述，下列何者正確？ (A)ID = 2.25 mA (B)MOSFET 操作在飽和區（saturation region） (C)此MOSFET 電路適合作為線性放大器 (D)RD = 6.55 kΩ

如圖電路，已知輸出vo 的飽和電壓在±10 V，其R1 = 100 kΩ，R2 = 1 MΩ；若在電容器C 旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7 V，則輸出電壓vo 會在什麼狀態？ (A)保持在-0.7 V (B)保持在-10 V (C)保持在+10 V (D)保持在±10 V 之間變化

如圖雙穩態電路，其110 kR 且216 kR ，若在0t 時輸出電壓ov 飽和在13 V；當在0t 時，輸出電壓ov 突然由13 V轉態並飽和在13 V；在0t 時，引起輸出電壓ov 突然轉態的輸入電壓Iv 狀態為何？ (A)5 VIv  (B)5 VIv  (C)5 VIv  (D)5 VIv 

下圖為555 計時器應用電路。其中RA 為1/4 W 的電阻器，外觀標示著色碼-「橙橙棕」，代表其電阻值為330 Ω。另外電阻器RB 上表示其大小的色碼為「棕灰紅」；而電容器C 為一陶瓷電容，外觀上打印有103 之字樣。下列敘述何者錯誤？ (A)此應用電路為一無穩態多諧振盪器 (B)輸出端（Output）的振盪頻率為50 kHz (C)RB = 1.8 kΩ (D)C = 0.01μF

如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且3 dB 頻率為7.07 × 105 rad/s，當電阻R 為5 kΩ 時，所需的電容C 值為何？ (A)100 pF (B)200 pF (C)500 pF (D)707 pFv1R2R+－v2CR1v3v＋v—

如圖所示波形產生電路，U1 為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為10 V與10 V，已知1100 kR 、21MR 、3500 kR 、0.01μFC 。試求輸出電壓OV 之頻率約為多少？ (A)220 Hz (B)550 Hz (C)1.1 kHz (D)5.5 kHzvoIoIDv1v2+VDDvsQn：1+VCC-VCCR1R2v+vovIR1R2U1R3CRLOV